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991.
合成了一种新的含有3个配体的稀土配合物Eu(TTA)2(N-HPA)Phen(TTA-噻吩甲酰基三氟丙酮,N—HPA=N-苯基邻氨基苯甲酸,phen=邻菲咯啉)。将稀土配合物作为掺杂物与基质PVK按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。通过荧光光谱,分析了薄膜的发光特性,并将其应用于有机电致发光。研究了PVK和Eu(TTA)2(N—HPA)Phen之间的能量传递,并且制备了发光层为PVK:Eu(TTA)2(N—HPA)Phen,结构为ITO/PVK:Eu(TrA)2(N—HPA)Phen/BCP/Alq3/Al的多层器件,发现改变PVK和稀土配合物的掺杂比,可以不同程度地抑制PVK的发光,最终得到纯的Eu^3+的红色发光。实验结果证明,在PVK:Eu(TTA)2(N—HPA)Phen=5:1的质量比下,从PVK到稀土配合物之间存在充分的能量传递。  相似文献   
992.
在水热条件下合成了[Ni(en)2]6[(VO)12O6B18O39(OH)3].6H2O多钒硼酸盐,X射线衍射分析表明,该晶体属三方晶系,R-3空间群.测试了晶体的IR光谱和TG曲线,用循环伏安法详细研究了合成化合物的氧化还原性质及电子转移机理,结果表明该化合物具有两对氧化还原峰,其电子转移数分别为单电子和三电子.  相似文献   
993.
合成了标题卟啉配体及其钴、镍、铜、锌和铁的五种配合物.对它们进行了元素分析、UV、IR和荧光光谱等结构表征.用DTA、TG、DSC等手段研究了这些新化合物的热稳定性及热分解机理,实验结果与HMO方法计算的结果一致.  相似文献   
994.
995.
CVD法不同条件下制备的多壁碳纳米管的Fenton氧化改性   总被引:2,自引:0,他引:2  
碳纳米管经焙烧和稀硝酸纯化处理后,在相同的实验条件下,采用Fenton试剂产生的·OH分别对CVD法合成的两种制备条件不同的多壁碳纳米管进行氧化改性处理。红外光谱(FT IR)表明,改性后的两种碳管结构中都引入了羟基、羰基和羧基等含氧官能团。此外,由于制备条件不同,导致它们的石墨化程度、缺陷含量和抗氧化能力等性质也不同,因此CVD法制备条件能够对碳管Fenton氧化改性结果产生重要影响。机理分析表明,这些含氧官能团可以看作是具有强亲电性和强氧化性的·OH对碳管上缺陷位置和不饱和键进行攻击的结果。  相似文献   
996.
以硝酸铽、苯乙酮酸(HL), 2, 2'-联吡啶(dipy)、 1, 10-菲啰啉(phen)和三苯基氧膦(TPPO)合成了TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2和TbL2(TPPO)2NO3 3种新型固态配合物. 用元素分析、电导率、红外光谱和核磁共振谱对其进行了表征, 确定了配合物的组成. IR表明, 配合物中羧酸根可能以单齿方式配位. 1HNMR显示, 苯乙酮酸根配位后苯环上5个氢原子的化学位移移向高场. 室温下测定了配合物的荧光激发光谱, TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2和TbL2(TPPO)2NO3最佳激发波长分别为361.0, 359.0和367.0 nm;分别以最佳激发波长测定了配合物的发射光谱, 配合物TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2 和TbL2(TPPO)2NO3显示Tb3+离子的特征发射光谱, TbL3dipy(H2O)2和TbL3phen(H2O)2均产生四条谱带, 分别归属于^5D4-^7Fj(j= 6, 5,4,3)能级跃迁(TbL3dipy(H2O)2: 489.0, 545.0, 584.0, 620.0 nm;TbL3phen(H2O)2: 490.0, 544.0, 583.0, 620.0 nm);但在相同测定条件下, TbL2(TPPO)2NO3仅显示5D4-7F5(544.0 nm)能级跃迁光谱. 3种配合物中TbL3dipy(H2O)2发光强度最高.  相似文献   
997.
2,4,6-三硝基间苯二酚(斯蒂芬酸)及其盐类,如斯蒂芬酸铅、斯蒂芬酸钡等是常用的含能材料[1],但斯蒂芬酸铅盐及钡盐在爆炸后产生重金属污染,对使用人员的健康及环境都产生危害.  相似文献   
998.
室温和低热固相反应在合成化学中的应用   总被引:16,自引:0,他引:16  
介绍了室温和低热固相反应的监测手段和影响因素。总结了它在金属原子簇化合物、多酸、简单配位化合物、亚稳态化合物合成以及材料化学和生产实际中的应用。  相似文献   
999.
介绍了带羟基桥连双-(中环多胺)的合成。首先利用N-对甲苯磺酰基-3-羟基-1,5-二氮杂环庚烷与5种双官能基化合物在N2气氛下于无水乙腈中反应,得到5种带对甲苯磺酰基的中环多胺,然后利用HBr/HOAc脱去保护基团,得到桥连双-(中环多胺)的氢溴酸盐。所有新化合物的结构均经IR、1HNMR、MS或元素分析证实。  相似文献   
1000.
利用还原偶联方法合成出新化合物四(4,4′,4",4′″-N,N-二乙氨基)四苯乙烯(TDEFE).通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态-瞬态荧光光谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等,讨论了分子的构象效应等因素对TDETE光致发光行为的影响.在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带,分别为全扭曲构象分子(位于345 nm附近的发光Ⅰ带)、半扭曲构象分子(位于430 nm附近的发光Ⅱ带)和激基缔合物(530 nm发光Ⅲ带)的辐射衰变所致.在聚合物(PMMA)中,一方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制,表现为Ⅱ带的辐射衰变速率常数(kf值)增大、同时非辐射衰变速率常数(knf值)减小;另一方面,TDETE分子之间相互作用得到加强而有利于缔合物形成,结果,使发光Ⅱ带和Ⅲ带合二为一出现了强而宽的发射峰,荧光量子产率从溶液中的0.055提高到0.855.此外,在PMMA介质中观测到TDETE分子聚集体在626 nm处的发光带(Ⅳ),粉末态中聚集体Ⅳ带的强度骤增,峰值波长红移至650 nm.  相似文献   
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