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71.
Extended Power Law Nonlinear Response and Amplitude-Dependent ac Susceptibility of High-To Superconductors 下载免费PDF全文
NINGZhen-Hua CHENKai-Xuan YINLan LUGuo XUXiao-Lin GUOjian-Dong WANGFu-Ren YINDao-Le 《中国物理快报》2004,21(7):1340-1343
We show a nonlinear materials equation of superconductors in the form of an extended power law which can be derived from the Ginzburg-Landau (GL) functional. The critical current Jc and ac susceptibility X are analysed by using this equation, and the puzzling question of the increasing height of the out-of-phase susceptibility peak Xpeak with increasing amplitude hac is explained. 相似文献
72.
利用富铈混合稀土改善工业纯铝中富铁相形貌的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金相分析方法研究了富Ce混合稀土变质对含不同Fe量的工业纯铝的组织和其中富铁相形貌的影响。试验结果表明,随着Fe含量的增加,富铁相由弥散细小的颗粒状向短棒状、长针状转变;富Ce混合稀土变质使铝中的富铁相由长针状变为弥散细小的颗粒状。随着稀土含量的增加,-αAl晶粒逐渐细化,富铁相尺寸及数量逐渐减小。添加0.5%稀土时,-αAl晶粒细化效果最佳,而且富铁相呈细小颗粒状均匀分布在-αAl基体的晶界处。本文还对稀土改善富铁相的机制进行了分析。 相似文献
73.
SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能 总被引:2,自引:0,他引:2
3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高. 相似文献
74.
75.
We investigate the new spinor field realizations of the W3 algebra, making use of the fact that the W3 algebra can be linearized by the addition of a spin-1 current. We then use these new realizations to build the nilpotent Becchi-Rouet-Stora-Tyutin charges of the spinor non-critical W3 string. 相似文献
76.
相干态是最接近经典态的量子态,而广泛研究的相干迭加态——如奇偶相干态、Schleich的镜像迭加相干态等——则显示更多非经典效应。另外,双模及多模迭加态,特别是所谓的纠缠态,在量子信息处理如量子隐形传态和量子密码术中扮演重要角色。我们就相空间中相互垂直的相干态的迭加态进行讨论,研究其非经典特性,如光子数统计分布、正交分量压缩效应、Wigner分布函数的负性以及由此引入的非经典判别子。结果表明,这一类相干迭加态在满足某种条件下具有亚泊松光子统计分布和正交分量的压缩效应,并且参数变量在一定范围内这两种非经典效应同时存在;这些迭加态的Wigner分布中存在不同程度的负值区域.并与奇偶相干态做出了比较.计算相廊的Wigner函数积分判别子可以定最地分析其负性的深度。 相似文献
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78.
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在考虑自由体积和局部临界扩散势能的基础上,提出一种新的计算自扩散系数模型,并给出新模型中各个因子物理含义.同时还提出一种计算局部临界扩散势能的新方法,并应用于新模型.另外将衍生van der Waals状态方程应用于求解自由体积,式中所需径向分布函数由Morsali-Goharshadi方程得到.在相同条件下,新模型比原自由体积模型更准确. 相似文献
80.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生. 相似文献