湿化学法制备硅纳米线阵列及其光电化学产氢性能分析

为了探究不同方法条件下制备的硅纳米线阵列电极产氢性能异同,文中分别采用了两步金属辅助催化无电刻蚀法、一步金属辅助催化无电刻蚀法以及阳极氧化法来制备硅纳米线阵列用作为光电分解水电池光阴极材料。通过FESEM、XRD和UVVis-IR DRS等手段对实验样品的形貌、晶型、减反性表征,发现相比于其他2种方法所得硅纳米线样品,两步金属辅助催化无电刻蚀法制备的硅纳米线结构晶型保持更好,表面缺陷更少。光电化学测试表明两步金属辅助催化无电刻蚀法制备的硅纳米线光电化学性能表现最优,其光电流密度值是一步法的4倍,阳极氧化法的40倍;转移电荷电阻仅是一步法制备的硅纳米线阵列阻值的1/3,阳极氧化法制备的1/1 000。     

分数阶超混沌Chen系统和分数阶超混沌Rssler系统的异结构同步

分数阶系统具有更大的密钥空间,然而异结构的分数阶系统在保密通信领域更具有普遍性,因此,研究异结构的分数阶同步问题具有重要的意义.本文讨论了分数阶超混沌Chen系统和分数阶超混沌Rossler系统的异结构同步问题,基于分数阶系统稳定性理论,应用主动控制同步法和自适应控制同步法来设计各自不同的控制器,使得响应系统和驱动系统同步.数值仿真表明了本文所研究方法的可行性和有效性.     

基于区间估计的综合评判方法及其应用

综合评判方法是系统评价中重要的数据处理方法.为了克服传统综合评判方法中的数据信息用"点"数值的不足,考虑整个评价过程中的数据信息用"区间数"表示的合理性,构建基于区间估计的综合评判方法.指标评价区间估计的集值统计处理,指标权重区间估计的区间判断矩阵处理,综合评判区间可能度分析.通过案例分析表明,综合评判方法具有较强的可行性和操作性,特别适用于综合评判中的数据信息不确定情形.     

弱属性层次模型WAHM及其应用

属性层次模型AHM是一种解决无结构问题的重要决策方法.基于属性层次模型AHM的全面分析,加以推广改进,提出一种弱属性层次模型WAHM.在相关定义的基础上,给出了WAHM弱属性判断矩阵的构建方法和弱一致性的判定定理,以及相对属性权公式.通过算例得知,弱属性层次模型WAHM与属性层次模型AHM相容,适用范围更广.     

广义模糊一致矩阵的性质及指数排序方法

在模糊一致矩阵的基础上,引入了广义模糊一致矩阵.研究了广义模糊一致矩阵的性质及指数排序方法,给出了判定模糊矩阵是广义模糊一致矩阵的充要条件,得到了广义模糊一致矩阵的求排序向量的指数排序方法,以及该指数排序方法是强条件下保序的结论.     

精确计算SM中混合链图传播下e■→f■反应截面

采用电弱统一标准模型（SM）,分析了由参与电弱相互作用的各种混合圈构成的光子γ,中间玻色子Zo重整化链图传播子的构架方式,并完成了相关解析计算,进而获得了γ,Z₀重整化混合圈链图传播子的解析计算结果.作者又将γ,Z₀混合圈链图传播子D_γ^{（m-chain）}（s）,D_Z^{（m-chain）}（s）和D_γZ^{（m-chain）}（s）应用到粒子反应e■→f■中,精确计算了e■→f■反应总截面σ_SM^（chain）.通过与LEP实验组的实验观测值的比较,发现本文理论计算结果比最低（树图）阶的结果与实验吻合更好.     

InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究

利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性．几何结构分析表明，In（3pk＋4p）／2As（3pk＋4p）／2（p=6，8，10，k=3，4，…，11）双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式，并得到In（3pk＋4p）／2As（3pk＋4p）／2双壁管状团簇及（m，n）@（2m，2n）（m=n=3，4，5）型InAs纳米管的管径公式．电子特性的计算结果表明：[6，k]@[12，k＋2]型管状团簇和（3，3）Q（6，6）型纳米管稳定性最高；利用前线轨道随尺寸的变化规律，得到InAs双壁管状团簇的生长机理，阐明实验合成InAs纳米管的微观机理；态密度和能带研究结果表明，InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性．     

从表象变换的角度看CG系数

从表象变换的角度出发,结合两个简单的例子,给出了CG系数更为清晰的物理图像和简单明了的计算步骤.     

新型半金属材料-Cr掺杂纳孔结构AlN的第一性原理研究

采用基于密度泛函的第一性原理,研究纳孔结构AlN的稳定性及Cr掺杂纳孔结构AlN的能带结构、态密度、磁矩等性质.结果表明,纳孔结构AlN具有高于岩盐矿结构AlN的稳定性,并在一定压强条件下可实现纤锌矿AlN到纳孔结构AlN的转变;Cr掺杂纳孔结构AlN后,能带结构和态密度均显示半金属性特征;Al23CrN24和Al22Cr2N24的磁矩分别为3+B、6+B,进一步说明Cr掺杂纳孔结构AlN晶体是半金属铁磁体.     

三元化合物ZnCrS2电子结构和半金属铁磁性的第一性原理研究

以闪锌矿相的ZnS 2×2×1超原胞为基础,通过将其中的Zn用Cr按1∶1配比进行了a和b两种不同位置的替换构造出了三元化合物ZnCrS₂ 理论模型,然后采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势(PWPP)方法分别计算了两种不同模型ZnCrS₂的电子结构和磁学性质. 结果表明,两种模型的ZnCrS₂的铁磁态都比反铁磁态更稳定,均是半金属铁磁体(半金属能隙分别为0.9631 eV和0.7556 eV), 其中a位替换不但具有较大的半金属 关键词： 2')" href="#">ZnCrS₂ 电子结构 半金属铁磁性 第一性原理