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通过高温固相法合成了LED用红色荧光粉Sr(1-1.5x)Mo0.8Si0.2O3.8∶Eu3x+(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)。通过XRD、激发光谱和发射光谱测试了材料的物相组成以及发光性能。x=0.1样品的XRD谱与JCPDS 08-0482(SrMoO4)的标准卡片相同。Eu3+代替晶格中Sr2+的位置成为发光中心。随着Eu3+含量x的增加,593 nm处的5D0-7F1跃迁和614 nm处的5D0-7F2跃迁发射强度会相互转换:当x≤0.4时,以磁偶极5D0-7F1跃迁为主,发射橙色光;而当x=0.5时,以电偶极5D0-7F2跃迁发射为主,发射红光。可能是过量掺杂的Eu3+离子,只能存在于晶格空位形成缺陷,无法占据SrMoO4中Sr2+的格位中,Eu3+在晶格中占据非对称中心的格位,导致电偶极跃迁变成允许跃迁,从而增加了5D0-7F2跃迁,减弱了5D0-7F1跃迁。因此,可以通过调节激活剂的含量获得不同发光色的荧光粉。Eu3+掺杂的硅钼酸锶体系,614 nm激发下,在368 nm处出现宽的基质吸收峰和467 nm处7 F0-5 D2的跃迁峰,且这2处的吸收峰在x=0.5时比x=0.4时... 相似文献
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采用溶胶凝胶法制备不同配比的Y2O3∶Eu3+、Y2O3∶Tb3+和Y2O3∶Eu3+,Tb3+荧光粉.并通过XRD、SEM和激发、发射光谱对其结构和发光性能进行了研究,用能级图解释了激活剂之间的能量传递关系.结果表明,材料结晶良好,粒度分别为20、31nm和17nm左右,样品形貌类似片状结构.(Y110Eu)2kO3和(Y110Tb)2kO3配比时相对发光强度最高.而共掺杂时,存在着强烈的Eu3+向Tb3+的能量转移,导致红色发光强度的降低而敏化了绿光和蓝光的发射.分析可知,除了激活剂的含量对发光性能有强烈的影响之外,不同的激发波长对体系混合光的形成有很大的影响.当在305nm的激发波长下,可以得到红绿蓝混合光,实现了通过一种荧光粉的激发,发射出近白色的光.为改变灯用三基色荧光粉的组成并降低成本奠定了有利的实验基础. 相似文献
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针对能够将初生γ-奥氏体保留到室温的Fe-15Mn-0.6C合金,采用扫描电镜(SEM)及其配备的能谱仪(EDS)和电子背散射衍射(EBSD)系统,对添加Ce的合金中的夹杂物进行形貌观察、成分分析和相鉴定,采用FactSage软件系统的Phase Diagram和Equilib模块对添加Ce的合金中的夹杂物行为进行热力学计算。结果表明,添加含Ce夹杂物的类型和数量影响取决于O, S, Ce的相对含量,在0.0006%O-0.0020%S-0.016%Ce和0.0006%O-0.0051%S-0.025%Ce条件下,合金中主要形成CeS夹杂,在0.0015%O-0.0045%S-0.025%Ce条件下,合金中主要形成Ce2O2S和CeS夹杂,夹杂物形状圆整,尺寸多数约1~2μm。热力学计算为添加Ce对Fe-15Mn-0.6C合金中夹杂物的影响提供了理论依据。研究结果能够为进一步搞清添加Ce细化初生γ-奥氏体的异质形核作用提供扎实的研究基础。 相似文献
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使用DFT+U的方法研究了F,Si掺杂CeO2(001)表面的结构和电子结构,分析了F,Si掺杂对CeO2(001)表面还原性能的影响。结果表明:F,Si掺杂的CeO1.963(001)体系中表层氧空位形成能均小于次表层氧空位形成能。CeO1.963F0.037(001)面的氧空位形成能比CeO1.963(001)面的要大,而Ce0.926Si0.074O1.963(001)面的氧空位形成能比CeO1.963(001)面的要小。Si掺杂的CeO2(001)面局部晶格发生畸变,结构变得不稳定。CeO2(001)面的Ce 4f电子态部分占据费米能级,禁带宽度变为零,并且上下自旋电子态不对称;CeO1.926F0.037-sur面的Ce 4f电子态和O 2p电子态分布变得局域,费米能级处产... 相似文献