光子晶体光纤宏弯曲损耗特性的理论分析

利用有效折射率模型对全内反射型光子晶体光纤的宏弯曲损耗特性进行了理论研究,分析了光子晶体光纤的结构参量和弯曲半径对其宏弯曲损耗谱的影响,计算了某些结构参量的光子晶体光纤在1.5 5μm波长处的临界弯曲半径.研究表明,光子晶体光纤的弯曲损耗特性与其结构参量密切相关.     

利用线性啁啾光纤光栅补偿偏振模色散方案的研究

本文提出一种基于线性啁啾光纤光栅补偿偏振模色散的新方案 ,对光纤光栅由于挤压而产生的群时延差进行了理论计算 ,并实验测量了一被挤压的线性啁啾光纤光栅的两偏振方向的群时延曲线 ,测量的结果证明这种方案切实可行 .     

Integrated optoelectronic chip pair for transmitting and receiving optical signals simultaneously

An integrated optoelectronic chip pair, which can transmit and receive optical signals simultaneously, is proposed in this Letter. The design and optimization of its key structure, the vertical cavity surface emitting laser's distributed Bragg reflector, are presented. Analysis is also done for its influence on the integrated chip's performance. Moreover, the chip pair's performance under dynamic conditions is analyzed. Their 3 dB modulation bandwidths are higher than 10 GHz, and their 3 dB photo-response bandwidths are around 23 GHz. Their applications will further improve the performances of the optical interconnects.     

一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计

高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求.利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中.仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40 μm至1.62/μm范围内反射率高于99%.引入SWG后的RCE PD在1.55 μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB.有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题.     

Design and fabrication of InP micro-ring resonant detectors

The quantum efficiency and the transient response of the InP semiconductor micro-ring resonant detector are analyzed to get the optimum design parameters.Then the side coupling micro-ring resonant is fabricated using the InP semiconductor material based on the parameters.The micro-ring resonant cavity has the raius of 80 μm,waveguide width of 3 μm and the coupler gap of 1 μm.The test results show that the FSR is 0.75 nm,and the FWHM is 0.5 nm,which are consistent with the theoretical calculation results.     

一种多功能SFP光模块监测平台的设计与实现

设计并实现了-种SFP光模块实时监测平台,该平台可实时监测SFP光模块的温度、电压、激光器偏置电流以及发射和接收光功率等参量.该平台的应用简化了系统维护工作,提高了系统的可靠性.     

单片集成GaAs基长波长谐振腔光探测器的研究

介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反射镜(DBR).所制备的器件在1 549.4 nm处获得了67.3%的量子效率和17 nm的光谱响应线宽,在1 497.7 nm处获得了53.5%的量子效率和9.6 nm的光谱响应线宽,而InGaAs吸收层厚度仅为200 nm.采用单片集成法,工艺简单、易于产业化,随着缓冲层技术的发展,此种RCE光探测器的性能还将获得进一步提升.     

用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT

实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。     

基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延

采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延样品进行双晶X射线衍射(DCXRD)测试,并比较1.2μm厚InP外延层(004)晶面ω扫描及ω-2θ扫描的半高全宽(FWHM),确定了InxGa1-xP组分渐变缓冲层的最佳生长温度为450℃、渐变时间为500s。由透射电子显微镜(TEM)测试可知,InxGa1-xP组分渐变缓冲层的生长厚度约为250nm。在最佳生长条件下的InP/GaAs外延层中插入生长厚度为48nm的In0.53Ga0.47As,并对所得样品进行了室温光致发光(PL)谱测试,测试结果表明,中心波长为1643nm,FWHM为60meV。     

一种GPON网络保护的新方法

这篇论文提出了一种关于GPON保护的新策略,该策略是对G.984.1中保护类型B的一种改进。经仿真证明,这种新策略具有更好的成本有效性,而且其可靠性与保护类型B相当。