基于液晶光阀的全息照相控光仪

设计了通过液晶光阀自动调整全息照相物光和参考光辐照比至最佳状态,同时能实现曝光时间自动控制的控光仪.该仪器巧妙运用液晶光阀和硅光电池器件,使测量、调整、自控一体化,从而提高拍摄优质全息图的工作效率.     

直径对脉冲爆震发动机性能的影响

本文通过实验研究了脉冲爆震发动机的直径对其性能的影响．实验结果表明；当爆震室的直径增大时，爆震波压力波形相似，平均峰值压力比较接近，且比冲基本保持不变，而推力则随爆震室直径的增大而增大。实验曲线表明爆震室内的流动具有自相似性，从而为建立尺寸律提供了实验依据．本文中比冲和平均推力是利用摆动原理测量的，并与由作用在推力壁上的压力计算得出的比冲和平均推力的理论值和实验值进行了比较，结果基本吻合，说明该测量方法可行．     

电子回旋共振放电的电离特性PIC/MCC模拟(Ⅰ)——物理模型与理论方法

采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法对电子回旋共振(ECR)放电中的电离过程进行了模拟，其中带电粒子与微波的相互作用由PIC方法的电磁模型描述，粒子间的碰撞过程由MCC方法描述.考虑的碰撞类型有电子与中性粒子的弹性、激发、电离碰撞，离子与中性粒子的弹性、电荷交换碰撞，碰撞截面均依赖于能量而变化.阐述了理论分析的过程，为数值模拟ECR放电奠定了基础. 关键词： 电子回旋共振放电 粒子模拟 蒙特卡罗 电离     

ZnS∶Zn,Pb蓝粉在低压阴极射线激发下的应用

通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。     

Assisted Cloning and Orthogonal Complementing of an Arbitrary Unknown Two-Qubit Entangled State

Based on A.K. Pati‘s original idea [Phys. Rev. A 61 (2000) 022308] on single-qubit-state-assisted clone, very recently Zhan has proposed two assisted quantum cloning protocols of a special class of unknown two-qubit entangled states [Phys. Lett. A 336 (2005) 317]. In this paper we further generalize Zhan‘s protocols such that an arbitrary unknown two-qubit entangled state can be treated.     

有界变量线性规划的基线算法

本文对有界变量线性规划的算法进行了研究，得到了一种解此问题的新算法。文中根据基线算法的算法原理，通过对BL表的旋转，在各变量满足界约束的条件下，使目标函数值不断增大，直至得到有界硬上界，从而得到问题的最优解。文中给出了有界变量线性规划基线算法的计算步骤，并给出了一个例子。与单纯形法相比，采用基线算法解有界变量线性规划操作更简单。迭代次数少，解题速度更快。     

Σ-原子能级的理论计算与分析

通过对Σ-原子的理论分析,数值求解了相应的Dirac方程,得到 了一组Σ-原子的能级值,与实验数据相当吻合;其结果连同K-原子的情况支持了Batty 光学模型势在奇异原子中应用的正确性,进而表明核子间的强相互作用力为吸引力.     

烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究

用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型，得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据．将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合，得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。     

Syntheses, structures, and properties of novel molybdenum and tungsten complexes of fullerenes

The synthesis and characterization of several fullerene-based organometallic complexes containing Mo and W is reported.     

不同入射角度下强流脉冲电子束能量沉积剖面和束流传输系数模拟计算

 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大，理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数，并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明，随着入射角的增大，靶材表面层单位质量中沉积的能量增大，电子在靶材料中穿透深度减小，能量沉积系数减小，相应的束流传输系数也减小；能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。