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131.
Yu. V. Borovskikh 《Journal of Mathematical Sciences》1991,53(4):353-358
Estimates of a rate of convergence of orderO(n
–1) are obtained for integral functionals of an empirical process.Translated fromTeoriya Sluchainykh Protsessov, Vol. 15, pp. 10–16, 1987. 相似文献
132.
V. Yu. Korolev 《Journal of Mathematical Sciences》1991,57(4):3270-3277
Translated fromProblemy Ustoichivosti Stokhasticheskikh Modelei. Trudy Seminara, 1988, pp. 84–92. 相似文献
133.
134.
A convenient method is proposed for the synthesis of all the individual methyl ethers of methyl 2-acetamido-2-deoxy-α-D-glucopyranoside based on the partial methylation of 2-acetamido-2-deoxy-α-D-glucopyranoside with dimethyl sulfate in an alkaline medium followed by preparative liquid column chromatography on silica gel of the resulting mixture of methyl ethers. 相似文献
135.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
136.
用共沉淀法制备了Y2O2S∶Eu3 ,Mg2 ,Ti4 红色长余辉材料。测量了材料的电子显微形貌、晶体结构和发射光谱。通过与固相法制备的Y2O2S∶Eu3 ,Mg2 ,Ti4 长余辉材料比较,发现两种方法都可以制备粒度基本相同的纯相Y2O2S基质晶体,但共沉淀法样品的颗粒结构更松散。研究了Eu3 浓度对两种方法制备样品的谱线发射强度的影响,通过比较共沉淀法和高温固相法制备的样品中Eu3 的5D1→7F3较高能级跃迁的587.6 nm谱线强度随Eu3 浓度的变化,发现共沉淀法更有利于Eu3 均匀进入Y2O2S基质晶格而形成有效的发光中心。 相似文献
137.
138.
139.
The main result of the paper is a theorem, using which a new proof of Roth’s theorem is obtained, a new solvability criterion
for the matrix equation AX-YB = C is proved, a formula for a particular solution of the latter is derived, and the least of
the orders of square nonsingular matrices containing a given rectangular matrix as a submatrix is determined. Bibliography:
5 titles.
__________
Translated from Zapiski Nauchnykh Seminarov POMI, Vol. 323, 2005, pp. 15–23. 相似文献
140.
The quantum states are presented in these processions of fabricating poly-Si films. Amorphous silicon films prepared by PECVD has been crystallized by conventional furnace annealing (FA) and rapid thermal annealing (RTA), respectively. It is found that the thin films grain size present quantum states with the increasing of the gas flow ratios of SiH4, H2 mixture, substrate temperatures, frequency power, annealing temperature and time. 相似文献