中物院远红外自由电子激光实验研究

中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.     

Large time behavior of the solutions to the Boltzmann equation with specular reflective boundary condition

In this paper a half space problem for the one-dimensional Boltzmann equation with specular reflective boundary condition is investigated. It is shown that the solution of the Boltzmann equation time-asymptotically converges to a global Maxwellian under some initial conditions. Furthermore, a time-decay rate is also obtained.     

Study on the Baryon State X Produced in the Process J／ψ→p＋X,X→p＋P

The decay process J/ψ→p X X→p P，where p,p and P are the proton,antiproton and pseudoscalar states,respectively,has been studied in terms of the angular distribution and the generalized moment analysis methods.The result shows that we can identify the spin,but cannot determine the parity of the baryon resonance state X produced in the process J/ψ→p X X→p P.     

p+209Bi核反应微观数据的理论计算

利用光学模型、激光模型、蒸发模型及扭曲波玻恩近似理论,对入射能量从阈能到300MeV,p+²⁰⁹Bi的中子反应截面、剩余核截面、出射粒子的多重数进行了理论计算及分析,并将计算结果与实验数据进行了比较.同时得到一组能量到50?0MeV与实验数据符合很好的光学势参数.     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长

报道了N+离子轰击产生的氮化硼(BN)纳米结构,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果.应当强调的是,这种类富勒烯和发夹结构的演化,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物,可以被认为是类富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段.提出了一种类富勒烯等结构的电子辐照动力学模型,并进行了讨论. 关键词： 氮化硼 电子辐照 透射电子显微镜 氮化硼纳米形成物     

求解非线性方程的一个新方法

提出了一种求解非线性方程的数值方法，此方法不需要导数的计算，其收敛阶与抛物线法相同，但计算量要比抛物线法小得多。