ELLIPSOMETRIC SPECTRA OF CONDUCTING POLYANILINE

We report the ellipsometric spectrum studies on a new kind of conducting polymers, polyaniline. In the UV-visible range (1.4-4.8eV photon energy region) the absorption coef-ficient, the complex dielectric function and the refractive index of polyaniline as functions of photon energy are obtained. The spectra of nonconducting and fully conducting polyaniline have been analyzed and discussed. The experimental results show that the emeraldine base form of polyaniline has a large energy gap (E_g～3.6eV) and its absorption spectrum shows a broad exciton absorption peak centered at 2 eV. The absorption spectrum of emeraldine salt after protonation have four absorption peaks centered at 1.5, 1.83, 3.0 and 3.88eV. We also investigated the spectrum evolution of the samples from nonconducting (σ<10^-9Ω^-1·cm^-1) to conducting (σ≈10⁺¹Ω^-1·cm^-1) states, and give the dielectric function and the refractive index of the samples.     

一类反应扩散方程奇摄动Robin问题的广义解

讨论了一类奇摄动反应扩散方程R ob in问题.在适当的条件下,研究了问题广义解的渐近性态.     

一类非线性反应-扩散方程组的奇摄动

本文研究了更广泛的一类非线性反应-扩散方程组:其中的初始——边值问题。引入了多重尺度变量,利用比较定理得到了任意次近似精度的一致有效的渐近解。     

Ce:KNSBN晶体中ps激光脉冲二波耦合的直接观察与记录

重复频率为82MHz的ps激光脉冲可在慢响应的光折变晶体Ce:KNSBN中实现二波耦合。本文报道用条纹照相机直接记录的实验结果并给出解释。 关键词：     

COHERENT OPTICAL PHONON EXCITATION BY FEMTOSECOND LASER PULSE IN YBa2Cu3O7-δ THIN FILMS

With a correlation of nonequilibrium carriers relaxation and coherent phonons displacive excitation, the coherent optical phonon oscillations in YBa₂Cu₃O_7-δ thin films excited by femtosecond laser pulse are simulated theoretically. It is revealed that as the oxygen concentration decreases, the coherent phonon oscillations become easier to be observed due to the decrease of the local coupling between the carriers and the lattice vibrations in the CuO₂ plane.     

光泵Ba/He系统582.8nm碰撞诱导荧光辐射及其弛豫振荡

观察到光泵Ba/He混合物产生的582.8nm碰撞诱导荧光新谱线及其弛豫振荡.进行理论分析和计算,结果与实验相符合.     

电子对於原子半导体晶格的形变作用

乾根—别卡曾经分析过原子晶体中的极化子问题。文中指出,其中弹性形变的考虑是不正确的,而且“绝热型”的极化子,在例如Ge,Si等原子晶体中存在的可能性是十分微小的。以微扰论为基础的计算证明,电子引起的局部体积变化发生在半径≈λ的范围内,λ是以声速运动的电子的德布罗意波长。局部体变的数值等於E/(α+4/3μ)(E为形变势常数,α和μ分别为体变和切变模量)。局部体变还在样品中引起一个均匀的形变,两者合起来使样品体积改变E/α。具体的分析证明,在类氢的杂质能级中的电子使样品体积产生同样的体积变化。这个效应是相当大的;例如,在Ge和Si这样的晶体中,效应甚至可以舆实验所观测到Ⅲ,Ⅴ族杂质原子的体积效应相比拟。导带中低速电子能量的改变约等於(电子质量/原胞质量)(E/(kΘ_D))E;在Ge晶体中,如果E=1—10电子伏,能量改变是0.001—0.1电子伏。相应的有效质量改变是1/1000—1/10电子质量。在类氢杂质能级中,电子能量改变远比上值为小;理论上电子—晶格互作用有着可能致使类氢能级自发电离。     

高阶拟线性椭圆型方程奇摄动问题

本文利用微分不等式和多重尺度，研究了一个高阶椭圆型偏微分方程摄动边值问题，并得到了一致有效的渐近展开式。     

Pt和Pd的超薄覆盖层对Ag膜表面增强喇曼散射的影响

在用化学沉积法制成的银岛膜上,蒸镀上不同厚度的Pt和Pd,测量了吡啶分子在Pt-Ag,Pd-Ag体系的表面增强喇曼散射(SERS)谱,得到SERS谱随覆盖层厚度的增加而衰减的关系曲线,并与电磁衰减理论计算的结果作了比较。此外,在两个体系都发现了新的振动谱线。我们认为它对应于吡啶在Pt和Pd上的吸附态。 关键词：     

离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性

为了进一步发展测定离子注入损伤层的椭圆偏光法,我们测量了离子注入硅在4000—7000?波长范围内的椭圆偏振光谱,并由此得到它的色散关系。注入条件为150keV,10¹⁵cm^-2和10¹⁶cm^-2的砷离子注入。由于在硅样品表面处形成无定形层,我们用单层模型,从(ψ,Δ)-λ数据计算出(n,k)-λ关系,并可定出损伤层厚度。在～4800?处,出现折射率n的谱峰,峰值约4.9。本文还比较了离子注入损伤层、溅射无定形硅膜层、蒸发无定形硅膜层和单晶硅的实验结果。 关键词：