Infinitely Many Sign-changing Solutions for a Schr(o)dinger Equation in RN

We consider the existence of infinitely many sign-changing solutions for the nonlinear timeindependent schr(o)dinger equations of the form {-△u+Vλ(x)u=f(u), u∈H1(RN), (1.1) where Vλ(x) = λα(x) + 1.     

Algebra matrix and similarity classification of operators

In this paper, by the Gelfand representation theory and the Silov idempotents theorem, we first obtain a central decomposition theorem related to a unital semi-simple n-homogeneous Banach algebra, and then give a similarity classification of two strongly irreducible Cowen-Douglas operators using this theorem.     

O′-β′复相Sialon陶瓷中相组成的控制

用Si₃N₄,SiO₂和Al₂O_?作原料,以Y₂O_?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si₃N₄-O’(x=0.3)-Y₂Si₂O₇-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。     

《光谱学与光谱分析》2007年征订启事

The authors achieved the temporal coherent control in an Er^3＋ doped telluride glass, one kind of disordered solids. The upconversion at 670 nm was modulated and the dephasing time was simulated as 300 fs. Moreover, the photon echo signal gave the dephasing time due to the phonon interaction. The agreement between the two data indicates that the interaction between the wavepacket and the phonon leads to the fast disappearance of wavepackets interference, which is helpful for the tech- nique to be applied to the disordered solids.     

氦原子与非对称替代氢分子碰撞(E=0.3eV)角分布计算

用密耦方法计算了非对称同位素替代分子与氦原子碰撞(He-HD,HT,DT)转动激发,当入射能量E=0.3 eV时,得到了上述碰撞体系的微分散射截面或角分布.基于上述理论计算,讨论了原子与双原子分子碰撞的同位素效应.     

直接置换法制备包覆型纳米铜-银双金属粉末

 以AgNO₃为主盐，采用直接置换法初步制备了包覆型纳米铜-银双金属粉末，分析了工艺条件对包覆效果的影响，并用透射电子显微镜、X射线能量色散谱仪和X射线衍射仪进行了表征。实验结果表明：纳米铜-银双金属粉末为包覆型结构，平均粒径约70 nm，分散性较好，表面银的原子分数达到74.28%。在洗涤过程中加入一定量的保护剂，有效解决了纳米铜粉的氧化问题。     

富锌条件下生长氮掺杂氧化锌薄膜的光学和电学性质

报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al₂O₃)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×10²⁰cm^-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。     

含吩噻嗪及其衍生物的聚合物有机电致发光材料的合成和器件制备

利用吩噻嗪单体的空穴传输能力、吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性和它们分子结构的非共面性,制备了高效的含吩噻嗪及其衍生物结构单元的对苯撑乙烯聚合物有机电致发光材料P1。同时在单体中引入了烷氧基和长链烷基,使得合成的聚合物在四氢呋喃、氯仿、二氯甲烷、甲苯等溶剂中有较好的溶解性。研究吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性对聚合物P1的电子传输性能的影响,合成不含吩噻嗪衍生物的同一类型聚合物P2。制备以聚合物P1和P2为发光层的单层OLED器件,经测量,聚合物P1的器件外量子效率是聚合物P2器件的3.5倍。     

基于小波变换和数学形态学的运动物体检测

提出了一种基于帧差法和小波变换相结合的运动目标检测方法，充分利用帧差法计算简单和小波变换的多尺度特性。实验表明，这种方法可以有效地从复杂自然场景的图像序列中检测出完整的运动目标。而且能够有效的抑制噪声。同时减少计算时间，满足检测的实时性要求。     

恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数，对恒流应力大小的依赖性更加强烈，隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Q_inj)的函数. 在较低Q_inj下氧化层中发生正电荷俘获，在较高Q_inj下发生负电荷俘获，导致栅压变化的反复. 关键词： 2PROM')" href="#">E²PROM 隧道氧化层 退化 恒流应力