Influence of Width of Left Well on Intersubband Transitions in AlxGa1-x N/GaN Double Quantum Wells

Influence of width of left well in AlxGa1-xN/GaN double quantum wells （DQWs） on absorption eoefficients and wavelengths of the intersubband transitions （ISBTs） is investigated by solving the Sehroedinger and Poisson equations self-consistently. When the width of left well is 1.79 nm, three-energy-level DQWs are realized. The ISBT between the first odd and second odd order subbands （the lodd-2odd ISBT） has a comparable absorption eoefficient with the lodd-2even ISBT. Their wavelengths are located at 1.3 and 1.55 μm, respectively. When the width of left well is 1.48nm, a four-energy-level DQWs is realized. The calculated results have a possible application to ultrafast two-eolour optoeleetronie devices operating within the optical communication wavelength range.     

Thermal Rectification Effect of an Interacting Quantum Dot

We investigate the nonlinear thermal transport properties of a single interacting quantum dot with two energy levels tunnel-coupled to two electrodes using nonequilibrium Green function method and Hartree-Fock decoupling approximation. In the case of asymmetric tunnel-couplings to two electrodes, for example, when the upper level of the quantum dot is open for transport, whereas the lower level is blocked, our calculations predict a strong asymmetry for the heat （energy） current, which shows that the quantum dot system may act as a thermal rectifier in this specific situation.     

天花粉蛋白的聚乙二醇定点修饰及其性质的初步研究

用聚乙二醇(PEG)定点修饰天花粉蛋白(TCS), 并比较了修饰前后TCS的生物活性、免疫原性及药代动力学等诸多性质. 选择TCS分子上可能的抗原决定簇位点KR173-174进行定点突变, 并将所构建的突变体TCS_KR173-174CG在大肠杆菌中表达及纯化. 通过该突变体第173位引入的半胱氨酸残基进行PEG定点修饰. 通过比较研究, 分析所构建的PEG修饰型TCS的DNA酶活性、致核糖体失活活性、免疫原性、急性毒性以及药代动力学性质, 研究结果表明, 所构建的突变型TCS(mTCS)的活性与野生型TCS(wTCS)活性几乎相当, 而免疫原性已显著降低. PEG修饰型TCS虽有活性下降, 但其免疫原性、急性毒性以及药代动力学性质得到显著提升. 表明通过基因工程及化学修饰方法改造TCS是可行的, 所构建的突变型及PEG修饰型TCS值得进一步研究.     

沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响

采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4～9 Pa)对薄膜结构和性能的影响.利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征.结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04～2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰, 随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132～96 Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低.     

导电聚苯胺与磁性CoFe2O4纳米复合物的制备与表征

在利用HNO3酸化处理CoFe2O4磁性纳米粒子使其表面离子化、分散性得到改善的基础上, 采用原位聚合法制备了具有电磁功能的聚苯胺/CoFe2O4 (PANI/CoFe2O4)纳米复合物. 借助TEM, XRD, FT-IR, TG, 四探针电导率仪、VSM(振动样品磁强计)等分析手段研究了复合物的形貌、结构、热稳定性及电磁性能. 结果表明, 处理过的CoFe2O4磁性纳米粒子可形成分散均匀的PANI/CoFe2O4纳米复合物, CoFe2O4以25 nm左右的粒子分散于聚苯胺基体中; PANI与CoFe2O4之间存在化学键合作用, 正是这种作用使复合物热稳定性得以提高; 复合物同时具有导电性和磁性能, 且随CoFe2O4含量变化而变化.     

不同氧压下脉冲激光沉积LiCoO2薄膜的研究

使用脉冲激光沉积(PLD)法,在不同的氧压下制备了锂离子二次电池正极材料LiCoO2的薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等分析测试方法,对沉积的薄膜进行了晶体结构和表面形貌的分析.结果显示,氧压达到正常标准时(加Pa),LiCoO:薄膜具有明显的c轴择优取向,同时薄膜的晶粒尺寸更为均匀,表面更为光滑.而氧压较低(1 Pa)时,薄膜表现为随机取向.这些结果表明,PLD方法制备LiCoO2薄膜时应该充分考虑腔体气压对等离子体的散射作用以提高薄膜表面的质量.     

全自动傅里叶变换红外显微镜及红外图象技术进展

本文介绍了傅里叶变换红外显微镜以及红外图象技术。     

K(Ta0.56Nb0.44)O3四方铁电结构的第一性原理研究

在广义梯度近似(GGA)下利用全电势线性化的缀加平面波法(FLAPW)的总能量计算,确定了K(Ta_0.56Nb_0.44)O₃固溶体的四方精细结构,即B位离子(Ta和Nb)在铁电相的平衡构型.结果表明,Ta相对于氧八面体沿[001]方向有约为0005nm的偏心位移,而Nb的偏心位移约为0016nm,铁电非稳的发生主要应归因于后者. 关键词：     

高速车随机延迟逐步加速交通流元胞自动机模型

提出介于Nagel-Schreckenberg(NS)模型和Fukui-Ishibashi(FI)模型之间的一种新的一维交通流元胞自动机模型. 此模型采用NS模型中的车辆逐步加速方式,和FI模型中的仅最大速车可随机减速的车辆延迟方式.证明新模型的基本图,即车流渐近稳态的平均速度与道路上的车辆密度之间的函数关系与FI模型的完全相同.这也就是说,只允许最高速车辆可发生延迟的FI交通流模型,如果将其突然无限制加速方式(车辆可在一个时步内从零速加速到最高速限M或车头距离所允许的最大速度),改变为车辆的逐步有限加速 关键词： 交通流 元胞自动机模型 相变基本图 Nagel-Schreckenberg模型 Fukui-Ishibashi模型     

非线性正常导体-绝缘体无规网络渡越指数的研究

考虑在渗流阈值附近弱非线性正常导体与绝缘体所构成的无规网络在任意d维空间的非线性渡越行为.系统由正常导体浓度为p,且满足弱非线性电流密度(J)电场(E)关系:J=σ1E+χ1|E|βE和浓度为1-p的绝缘体(σ2=0)构成.在略高于正常导体渗流阈值pc时,复合系统的有效响应可表示为〈J〉=σe〈E〉+χe|〈E〉|β〈E〉,当线性响应与非线性响应两者可相互比较时,此时的电流密度和电场强度被分别称为渡越电流密度|Jc|和渡越电场|Ec|,且发现略高于渗流阈值pc时具有幂指数关系:|Ec|～(p-pc)M(β 关键词：