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121.
半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析 总被引:3,自引:3,他引:0
本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。 相似文献
122.
BAHADURASYMPTOTICEFFICIENCYINASEMIPARAMETRICREGRESSIONMODEL¥LIANGHUA;CHENGPINGAbstract:TheauthorSgiveMLEθ1MLofθ1inthemodelY=θ... 相似文献
123.
本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。 相似文献
124.
本文就红外光谱中溶剂效应机理提出了溶质和溶剂分子间的瞬时配位作用机制,认为同-溶质在不同溶剂中的振动波数不同,是由于这种瞬时配位作用改变了溶质价电子运动状态所致。据此提出了溶剂效砂的定量关系式,测定了七种溶剂配位效应常数。用这一套经验参数处理了几种取代苯甲酸的羰基伸缩振动的溶剂效应,得较好的线性关系。还发现羰基的振动波数与取代基的Hammett常数σ之间,羰基伸缩振动对溶剂效应的敏感度与σ之间,H 相似文献
125.
几种约束广义逆矩阵的有限算法 总被引:2,自引:0,他引:2
陈永林 《高等学校计算数学学报》1997,19(3):232-240
1引言与引理众所周知,关于非奇异方阵的正则逆的有限算法是由Faddeev大给在1949年之前提出的,这就是著名的Faddeev算法[1,P…334-336]。自从五十年代中期广义逆矩阵的研究复兴与发展以来,有不少学者提出了关于广义逆矩阵的有限算法。第一个给出关于广义逆矩 相似文献
126.
测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=Ea0+sum from s=1 to 3|ηt,s|-1/(ne)v7ΔG7, E=Ec0-sum from s=4 to 6|ηt,s|+1/(ne)v8ΔG8.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式. 相似文献
127.
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
关键词: 相似文献
128.
129.
塞曼石墨炉原子吸收光谱法测定粉尘降尘中痕量锡 总被引:5,自引:0,他引:5
以KOH熔样,又以KOH作基体改进剂,研究了测定锡的灰化温度、原子化行为和消除干扰及试样前处理的方法,以KOH熔解的粉尘及降尘样液,特别适用于塞曼石墨炉的测定,背景可完全扣除。方法简便、快速、准确,灵敏度和精度高。相对标准偏差为4.0%,回收牢在96.4~110%范围内。 相似文献
130.
本文提出了用准直孔结合调节束流导引磁场获得较好品质强流电子束的方法,运用该方法在1.5MeV直线感应加速器(LIA)进行了试验,结果准直束流前后沿明显减小,束亮度提高几倍;同时,用此方法测出了束密度及束亮度的径向分布. 相似文献