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41.
多小波子空间上的单小波表示 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在较弱的条件下,建立了2重多小波子空间与单小波子空间的关系.即由2重多小波构造出单小波.一方面,这种单小波的平移伸缩与2重多小波的平移伸缩生成的子空间是完全相同的;另一方面,它具有插值性.因此通过构造出的单小波建立了多小波子空间上的Shannon型采样定理. 相似文献
42.
首先叙述了光纤传输Nd~(3+): YAG激光的优点,接着分析了不同光纤和其传输Nd~(3+): YAG激光的特点。然后通过对光纤传输系统各部分的分析与设计,结合实际,设计了光纤耦合机构。最后,对来自于工件反射光问题提出了解决方案。 相似文献
43.
本文给出了对高功率横流CO_2激光器脉冲预电离过程的理论和实验研究.表明了预电离过程中光电离的重要作用.实验结果表明,脉冲预电离可增大高功率横流CO_2.激光器的pd值(p为放电气压、d为放电间隔),增大放电区注入功率密度.对于提高此类型激光器的放电稳定性和输出激光功率是一种技术简单而有效的手段. 相似文献
44.
45.
一种改进的计算探测器校正因子的相关抽样方法 总被引:1,自引:0,他引:1
对于小尺寸探测器处于大块介质的情形, 在探测器的校正因子的Monte Carlo模拟中, 存在两个难题: 一是由于探测器尺寸很小粒子难以到达探测器并发生碰撞; 二是两个随机变量比值难以达到要求精度. 本文使用经过改进的粒子碰撞自动重要抽样方法, 再结合相关抽样方法, 解决了这两个难题, 并在MCNP-4C程序平台上加以实现. 除了粒子碰撞自动重要抽样以外, 还选用了其他3种方法: 直接模拟、区域分裂、强迫碰撞+Dxtran球分别与相关抽样方法结合, 对一个简化的探测器校正因子计算模型进行了计算. 实际计算结果表明, 相关抽样方法无论与哪种方法结合, 都起到了提高相关量计算效率的作用; 而它与粒子碰撞自动重要抽样结合, 比其他方法具有明显的优越性. 相似文献
46.
本文对嵌入式Windows CE.Net操作系统的主要体系结构进行剖析.研究设计出了维吾尔文本地化环境,利用资源编译器编译和反编译功能,构建了基于Windows CE.Net平台的维吾尔文图形用户界面资源库,实现Windows CE.Net的界面维文化和基于Windows CE.Net的应用程序的维文支持;开发了输入法程序,实现Windows CE.Net的维吾尔文字键盘输入和软键盘输入;通过编制维吾尔文字库,为Windows CE.Net平台下维吾尔文字的显示、打印提供了基础. 相似文献
47.
采用固相反应合成了四羟基苯基卟啉与与Fe^2+,Co^2+金属离子的配合物,在室温下,将其与分子O2作用,提纯后得到两种固态氧合配合物.通过元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振氢谱(^1HNMR)、电导、热分析(TG/DTA)、紫外光谱(UV)等测试手段确定了氧合配合物的组成为[Co·THPP·O2](NO3)2·2H2O、[Fe·THPP·O2]Cl2·2H2O],可知1mol配合物吸收了1molO2,采用失重法测定了氧合配合物中的配位氧,确定1mol金属配合物吸收1molO2形成超氧配合物. 相似文献
48.
程建纲 《数学物理学报(A辑)》2005,25(4):482-488
该文考虑两点边值问题[1/q(t)][q(t)y′(t)]′+p(t)f(y(t))= 0,λ_1 y(α)-λ_2y′(α)=0 and y(β)=B非负解的存在性, 其中p(t)可能在t=α或t=β附近具有奇异性, f(0)≥0,
lim_(y→+∞)f(y)/y=+∞, 并且存在y>0, 使得f(y)<0. 相似文献
49.
Q.-Y. Shao A.-D. Li J.-B. Cheng H.-Q. Ling D. Wu Z.-G. Liu N.-B. Ming C. Wang H.-W. Zhou B.-Y. Nguyen 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2005,81(6):1181-1185
LaAlO3 (LAO) gate dielectric films were deposited on Si substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The interfacial structure and composition distribution were investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary-ion mass spectroscopy (SIMS), and Auger-electron spectroscopy (AES). HRTEM confirms that there exists an interfacial layer between LAO and Si in most samples. AES, SIMS, and XPS analyses indicate that the interfacial layer is compositionally graded La–Al silicate and the Al element is severely deficient close to the Si surface. Electrical properties of LAO films were evaluated. No evident difference in electrical properties between samples with and without native SiO2 layers was observed. The electrical properties are discussed in terms of LAO growth mechanisms, in relation to the interfacial structure. PACS 73.40.Qv; 81.15.Gh; 77.55.+f; 68.35.-p 相似文献
50.