在Λ型三能级原子系统中实现光减速及光存储

在充缓冲气体的87Rb原子样品中, 通过探针光、耦合光与Λ型三能级原子相互作用过程中的量子干涉效应,产生了窄线宽的EIT透明窗口,由此实现了探针光群速度的降低.在最好的实验参数条件下,探针光群速度降低到c/42000.同时,研究了光群速减慢与介质温度、耦合光功率以及单光子频率失谐量之间的关系.在此基础上,通过控制耦合光与探针光的通断,实现了光脉冲在原子蒸汽中的存储与读取.     

N-烯丙基-N’-(对苯磺酸钠)硫脲与铋的显色反应及其应用

N-烯丙基-N'-(对苯磺酸钠)硫脲(NaNTu)是一种新的硫脲类衍生物,它合成简便,原料易得,性质稳定,无毒,易溶于水;在一定条件下,能与少数金属离子生成非常稳定的配合物,某些配合物还具有特征的颜色,因此具有很好的分析特性。本文对NaNTu与Bi(Ⅲ)的显色反应进行了研究,结果发     

平台框架部件刚度的简化计算

利用卡氏定理,对惯性平台框架部件的刚度进行简化计算。通过微机编程获得数据,为结构设计初期合理选取结构参数提供参考。     

Compact liquid-refractive index measuring equipment

Based on total reflection principle, a compact liquid-refractive index measuring equipment was designed and fabricated, in which a diode laser was used as light source and a charge-coupled device (CCD) as photodetector. The influence on measurement accuracy of the wavelength shift and intensity fluctuation of the diode laser were surmounted by an effective feedback method. It is crucial whether the diode laser could be used in such a system.     

校准电表的一种方法

利用电位差计的高精度，设计出合理的实验电路对C31型电表进行校准，使得电表的准确度等级得以提高。     

陶瓷材料的动态压缩测试

陶瓷材料是地面车辆和航空器防护装甲的重要组成材料。一直以来，陶瓷材料的高应变率压缩性能都受到众多研究者的密切关注。陶瓷材料的高应变率压缩性能是通过SHPB试验获得的。对于传统的SHPB试验，必须满足“一维应力假设”、“试样的轴向应力均匀假设”和“压杆弹性假设”，才可以得到有效的测试结果。而这些基本假设均受到陶瓷材料高强度、高弹性模量和高脆性的挑战。     

大耦合孔同轴输出腔的3维解析分析

 在高功率微波器件中，通常采用大耦合孔的同轴微波输出腔，该腔为3维结构。采用场等效原理将腔体、耦合孔及其输出负载(行波边界)进行分区,每个区域中的场由界面上的磁流密度决定。采用格林函数积分法可得每个区域中的3维场,再由各个区域的场匹配方程求得腔体的谐振频率、特性阻抗、有载品质因数、模式分布等参数。为腔体的计算和设计提供一种计算模型。     

单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征

利用各种实验手段对M52Mn24Ga24单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征.针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果,分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理.根据不同方向磁场干预相变应变的结果,计算了Ni52Mn24Ga24单晶中等效取向内应力的大小约为2.45 MPa.从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两个方面,对单晶样品在[001]和[010]两个等价的晶体学方向上磁感生应变特性的差别,包括最大应变值、饱和场、滞后效应和起始磁场数值的参数,进行了分析和讨论.     

Three Stilbene Tetramers from the Roots of Caragana sinica

Three stilbene tetramers, carasinols A-C (1-3), along with three known substances, leachianol C, cararosinol A and stenophyllol B, were isolated from the roots of Caragana sinica. Their structures were elucidated by spectroscopy. It was found that compounds isolated except for stenophyllol B stimulated the proliferation of cultured osteoblasts.     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。