RP(j)×CP(k)上向量丛的全Stiefel-Whitney类

本文利用Steenrod上同调运算及吴公式决定了RP(j)×CP(k)上的向量丛的全Stiefel-Whitney类的可能的形状．     

船舶侧斜螺旋桨空化噪声调制谱模型

针对侧斜螺旋桨船舶建立了一种螺旋桨空化噪声调制谱理论模型.将螺旋桨旋转过程中崩溃的空泡体积的周期性变化近似为空化噪声能量的变化,根据船尾伴流速度与空泡噪声体积成比例以及螺旋桨转速与空泡数量成比例的关系,推导出了空化噪声调制谱数学表达式.理论分析和仿真验证了桨叶之间的差异性是调制谱轴频线谱存在的主要原因,而影响调制谱叶频...     

液晶分子预倾角的温度依赖性的研究

液晶分子的预倾角是液晶显示器件的重要参数，本文探讨了温度对平行排列的液晶分子的预倾角的影响，指出了温度的升高，导致液晶分子的预倾角降低，并用分子空间相互作用模型进行了理论分析。     

热流密度/对流换热边界下双向梯度板的瞬态温度场分析

采用有限单元-有限差分法研究了热流密度/对流换热边界条件下双向梯度板的瞬态热传导问题。采用细观力学方法结合混合律准则描述了材料的热物理属性,通过推导一种8节点高阶双向梯度单元建立了结构的连续梯度有限元模型。计算给出了在考虑组份属性的温度效应下,温度场的时间响应历程以及不同时刻温度场的空间分布形式,并与材料属性温度无关时的计算结果进行了比较,最后讨论了相关参数对瞬态温度场的影响规律。结果表明：温度较低时,组份属性的温度效应对瞬态温度场影响很小;在 y 方向热流密度载荷的作用下,温度场沿 x、y 方向均存在明显的梯度;x 方向组份体积分布系数的增大,延长了温度场达到稳态需要的时间,绝对温度梯度沿 x、y 方向均增大,稳态温度场升高;增大 y 方向组份体积分布系数的值,情况相反。     

论经典力学中的参考系

力学最本质的问题是物体的受力与其运动的关系问题,本文对经典力学中的参考系进行了梳理和讨论,主要得到了以下结论：(1)探讨了牛顿第一运动定律在物理学和力学上的基础意义,利用该定律既可以对惯性参考系进行定义,同时也能够对时间进行度量;(2)指出了\绝对静止坐标系" 未必存在,但近似的\绝对静止坐标系" 却很容易找到;(3)分析了质心平动参考系的特殊性,总结了其对惯性参考系动力学理论在形式上的影响。     

一种新的菲涅耳位相波带片

利用液晶分子取向的电场可控及光学各向异性的特点,设计了一种新型的菲涅耳痊相波带片,这种器件具有制作简单、造价低廉、抗划损的优点。     

三维谐振子Wigner函数的星乘解

Wigner函数作为相空间中的一个准概率分布函数,也是密度矩阵的特殊表示形式,具有十分重要的物理意义。首先介绍了Wigner函数的性质及其计算方法,然后利用星本征方程(Moyal方程)计算了三维谐振子的Wigner函数。最后讨论了在相空间中描述声子与电子(或光子)相互作用的方法,并得到了跃迁几率在相空间中所满足的方程。     

熔盐锌热法制备三维多孔碳用于高性能钾离子电池负极材料

采用熔盐锌热法,以蔗糖为前驱体成功制备了三维多孔碳材料,并将其用作钾离子电池负极材料。所制备的三维多孔碳具有大量相互贯通的孔道,有效地缓解了电极在充放电循环过程中的体积效应,提高了电解液对电极的浸润性,缩短了钾离子的扩散路径,从而展现出优异的循环稳定性和倍率性能。三维多孔碳电极在0.5 A·g-1的电流密度下,经过2500次循环后仍展现174.6 mAh·g-1的比容量,甚至在4.4 A·g-1的高倍率下容量仍保持在170 mAh·g-1。     

带电谐振子在非均匀外场中的非对易能级

非对易空间的量子效应是出现在弦的尺度下的一种物理效应．从Moyal—Weyl乘法与Bopp变换出发,利用了非对易相空间的量子力学代数关系;在考虑坐标一坐标非对易性的情况下,讨论了非对易空间中带电谐振子在非均匀外场中的Hamiltonian,并且给出了相应的能级．     

Nickel-disilicide-assisted excimer laser crystallization of amorphous silicon

Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film has been prepared by means of nickel-disilicide (NiSi多晶硅 受激准分子激光器结晶 结晶化 界面晶粒生长polycrystalline silicon, excimer laser crystallization,Ni-disilicide, Ni-metal-induced lateral crystallization, two-interface grain growthProject supported by the National High Technology Development Program of China (Grant No 2002AA303250) and by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60576056).9/7/2005 12:00:00 AM3/6/2006 12:00:00 AMPolycrystalline silicon （poly-Si） thin film has been prepared by means of nickel-disilicide （NiSi2） assisted excimer laser crystallization （ELC）. The process to prepare a sample includes two steps. One step consists of the formation of NiSi2 precipitates by heat-treating the dehydrogenated amorphous silicon （a-Si） coated with a thin layer of Ni. And the other step consists of the formation of poly-Si grains by means of ELC. According to the test results of scanning electron microscopy （SEM）, another grain growth model named two-interface grain growth has been proposed to contrast with the conventional Ni-metal-induced lateral crystallization （Ni-MILC） model and the ELC model. That is, an additional grain growth interface other than that in conventional ELC is formed, which consists of NiSi2 precipitates and a-Si. The processes for grain growth according to various excimer laser energy densities delivered to the a-Si film have been discussed. It is discovered that grains with needle shape and most of a uniform orientation are formed which grow up with NiSi2 precipitates as seeds. The reason for the formation of such grains which are different from that of Ni-MILC without migration of Ni atoms is not clear. Our model and analysis point out a method to prepare grains with needle shape and mostly of a uniform orientation. If such grains are utilized to make thin-film transistor, its characteristics may be improved.