MgxB2起始成分对不可逆场和临界电流密度的影响

我们用固相反应法成功合成了MgrB2（0．5≤x≤1．3）系列样品，并对其结构，临界电流密度（Jc）和不可逆场（Hirr）进行了研究．实验结果表明，随着x增大晶格常数α逐渐增大，而晶格常数c在x=0．9左右达到最大值．所有x〉0．5的样品在零场下的Jc值都在10^6A／cm^2左右．然而在高磁场下，Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大．20K时．Mg0．8B2样品的不可逆场达到最大值5．2T，比MgB2样品要高出0．8T．研究表明，高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关．     

Amplification effect on stimulated Brillouin scattering in the S-band forward G652 fiber Raman amplifier

The amplification effects on forward and backward stimulated Brillouin scattering (SBS) lines in the forward pumped S-band distributed G652 fiber Raman amplifier (FRA) have been studied. There is a pump threshold power of Stokes backward stimulated Brillouin scattering (B-SBS) line in the forward pumped G652 FRA, it is about 1 mW. The Stokes B-SBS lines are amplified by FRA and fiber Brillouin amplifier (FBA). The gain of amplification is given as Ga = GR · GB where GR is Raman gain and GB is Brillouin gain. In experimental work, the saturation gain of the first order Stokes backward SBS line is about 58 dB and the saturation gain of 25-km G652 forward FRA is about 25 dB, so the gain of FBA is about 33 dB. The forward stimulated Brillouin scattering (F-SBS) is generated and amplified in S-band G652 FRA. The stimulated threshold powers of the forward first order Stokes SBS (SB1-), second order Stokes SBS (SB2-), and third order SBS (SB3-) in the forward pumped FRA are 2.3, 1.6, and 1.6 mW, respectively. In experimental work, the saturation gains of SB1-, SB2-, and SB3- are about 38, 62, and 60 dB, respectively. The saturation Raman gain of 25-km G652 forward FRA is about 8.8 dB, so the Brillouin gains of SB1-, SB2-, and SB3- are about 29.2, 53.2, and 51.2 dB, respectively. The forward and backward cascaded SBS lines have been observed.     

Pressure dissociation of dense hydrogen

The self-consistent fluid variational model （SFVM） has been used to describe the pressure dissociation of dense hydrogen at high temperatures. This paper focuses on a mixture of hydrogen atoms and molecules and is devoted to the study of the phenomenon of pressure dissociation at finite temperatures. The equation of state and dissociation degree have been calculated from the free energy functions in the range of temperature 2000-10,000K and density 0.02-1.0g/cm^3, which can be compared with other approaches and experiments. The pressure dissociation is found to occur in higher density range, while temperature dissociation is a more gradual effect.     

高密度流体He+H_2混合物物态方程研究

选择高密度流体He +H2 混合物作为研究对象 ,用Ree混合规则和vanderWaals单组分流体变分微扰理论加量子力学一级修正模型编制计算程序。作为对计算模型及其程序的检验 ,首先用已有的α exp 6优化势参数 ,计算了T =30 0K的He +H2 混合物的等温相平衡线 ,得到了与实验值和分子动力学 (MD)数值模拟一致的结果 ,然后进一步计算了 0～ 60GPa和 5 0～ 70 0 0K压力温度范围内的流体He+H2 混合物 (He∶H2 分别为 1∶1、1∶3、3∶1摩尔比 )的高压物态方程。与Monte Carlo模拟数据所进行的比较表明 ,在低温下 ,量子力学修正对热力学量的计算是重要的     

一类广义N维非线性Schrdinger方程的孤子解及其性质研究

研究一类Ｎ维广义非线性Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程的孤子解及其性质，研究非线性参数α变化（α→０及α→∞）时孤子性态的变化规律，同时研究该问题的数值解法，得到了该方程的ＰＲ差分格式的收敛性和稳定性条件．     

其它——Wendelstein 7-AS仿星器超声分子束注入实验

核工业西南物理研究院和德国马克斯-普朗克等离子体物理研究所建立了合作研究Wendelstein 7-AS(W7-AS)装置上的超声分子束注入实验。由我方提供物理思想和设计，德方提供器件和设备，于2001年5月在W7-AS装置上安置和调试了一套超声分子束注入系统，并成功地进行了实验。     

用带电悬浮粒子云模拟雷电放电的研究

文中介绍一种在悬浮带电粒子云中模拟雷云放电的方法．试验表明，在合理的参数配合下在带电粒子云中可以获得放电通道达到２．５—３．０ｍ的火花通道以模拟雷电放电．详细讨论了悬浮带电粒子云发生器的原理和构成；悬浮带电粒子云的基本特征；不同极性下放电的形式和特点．文中还比较了带电粒子云中的放电以及长空气间隙外加冲击电压时的放电，说明两种放电的一些特征参数比较接近．     

GdBCO超导体的顺磁性及低温下磁通分布的动态观测

本文研究了100～300K之间Gd1．8Ba2.4Cu3．4O7-δ（简写为GdBCO）超导体的顺磁性，对GdBCO的磁化强度随磁场和温度的变化分别在100K和0．1T进行了测试，GdBCO的顺磁性遵从朗之万顺磁性理论．在磁光显微镜下，低温12K场冷下，我们观察了从0mT～29mT磁通线进入GdBCO的超导体的过程，以及磁通线在GdBCO超导体中的分布。     

多体相互作用对高压固氦状态方程的影响

采用量子化学自洽场方法及原子团簇理论对固氦晶格原子势能进行多体展开，定量确定了最近邻原子间距R在0.26—0.175nm之间，短程的两体到五体相互作用对晶体结合能及压缩特性的贡献，并对不同间距下多体展开式的截断位置进行了讨论. 结果表明：当最近邻原子间距R在0.26—0.175 nm之间取值，在具有hcp相结构的晶格中，氦原子势能的多体展开式是一收敛的交错型级数，该级数中两体项、四体项为正值，而三体项、五体项为负值. 当R在0.26—0.23 nm之间取值时, 仅保留级数中两体和三体项就能很好地描述晶格原子势能；当R在0.23—0.20 nm之间取值，多体展式需要展开到四体相互作用项；当R在0.20—0.175 nm之间取值必须再加入五体项贡献. 考虑到五体相互作用后，理论计算已能圆满地解释目前固氦等温压缩数据，其最大压力达 60GPa. 关键词： 固氦 状态方程 多体相互作用     

自然的边界：物理学的第二课程狭义和广义相对论以及量子力学

人们对广义相对论和量子力学的公共渴求是无止境的，我们除了竭力地吸引学生的这种学习愿望外(这些学生大多数不会成为物理专业工作者，但所有的学生都可以经历“深奥的物理学”)，还必须选择地应用它。理科、工科和数学学科的学生每个人都熟知微积分，