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利用Schur引理确定了角动量耦合的Clebsch-Gordan系数按照其定义所允许的任意程度,然后利用正交归一关系和相位知识,导出了Clebsch-Gordan系数的对称性. 相似文献
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实验以潮州工夫茶文化为背景,在工夫茶传统冲泡工艺的基础上,采用茶汤抗氧化活性为评判指标,探讨工夫茶冲泡工艺的优化条件.实验内容包括文献调研、实验方案设计、实验操作、数据处理及小论文撰写等一系列学习任务.实践教学结果表明,将传统茶文化融入实验教学中,易于激发学生的学习兴趣,传递文化基因;引导学生从文化生活源头提出问题,运用科学方法分析问题、解决问题,利于学生熟悉科学过程,养成正确的科学思维习惯;同时,实践活动中学生会触及到多个学科领域、多重实验操作技能训练,可以全面提升学生的综合素养,达成课程育人目标. 相似文献
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采用高温固态反应和均衡热压方法相结合,我们制备了一系列Gd掺杂的Chevrel相GdxPb1-xMo6S8超导样品.为了研究掺入的磁性Gd3+离子对于磁通线的钉扎作用和对临界电流及其它性质的影响,我们系统地测量了样品的电阻率,热电势,比热和临界电流密度.同时,我们计算了磁性Gd3+离子与磁通线之间的相互作用和这种作用可能导致的磁通钉扎及对临界电流的影响,并与实验结果进行了比较.结果显示除非Gd3+离子的分布是非常不均匀的,Gd3+离子所引起的钉扎是不重要的.另一方面,热电势和电阻率等输运性质及比热的结果显示由于Gd3+取代了Pb2+使载流子浓度降低了.载流子浓度的降低进而引起其它超导参数如热力学临界场Bc的变化,导致钉扎势的减小,最终降低了临界电流. 相似文献
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Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
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This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature (HT) A1N layer and a low-temperature (LT) A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer. 相似文献
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本文应用文[1]提出的变分原理,用有限单元法分析加筋板的稳定性,并用典型算例与同自由度单元~[2-6]的结果进行比较. 相似文献
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