“拍照赚钱”问题的任务定价解题思路

针对2017年全国大学生数学建模竞赛B题,介绍了出题的基本背景,给出了基本的解题思路,并对参赛论文情况进行了简单评述.     

Ru (bpy)2+3体系电化学发光法测定阿奇霉素的研究

实验发现,阿奇霉素对联吡啶钌的电致化学发光(ECL)具有显著的增强作用.据此,建立了以金电极为工作电极的测定阿奇霉素ECL分析新方法.采用了循环伏安(CV)和ECL法,研究了阿奇霉素对联吡啶钌体系的电化学行为和ECL行为的增强作用.结果表明,在最佳条件下,阿奇霉素浓度在2.0×10-4～4.0×10+7moL/L范围内...     

吡唑并[2,3-c]吡喃酮衍生物的一锅法熔融合成

在无溶剂条件下,以双分子的β-酮酸酯和取代肼为原料进行升温熔融反应,经一锅法合成了15种不同取代的吡唑并[2,3-c]吡喃酮类化合物(4a~4o).化合物4a~4o的结构经红外光谱(IR)、核磁共振波谱(NMR)和高分辨质谱(HRMS)确证.该方法克服了传统合成方法中溶剂对环境造成的污染及分步合成的不便,收率可达40%~85%.该方法具有无溶剂参与、条件温和、收率高及操作简便等优点,符合绿色化学和节约型经济理念.研究了反应速度、产率与取代基的关系;利用超高液相色谱-高分辨质谱联用(UPLC-HRMS)仪检测跟踪反应,发现并确定了新的中间体C,据此提出了一种新的反应机理.此外,中间体C含有四元环结构,并以稳定的形式存在,此类中间体的发现为制备四取代的环丁烷类化合物提供了新思路.     

鹰嘴豆芽素色烯类拼接衍生物的合成及其抗白血病活性

以鹰嘴豆芽素与丙二腈芳基烯烃(2)，在催化剂Ca(OH)₂催化下，在甲醇回流下发生Michael加成环化反应，获得合成了9个新颖的鹰嘴豆芽素色烯类拼接衍生物3a~3i，产率78%~85%, 其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和HR-MS（ESI-TOF）表征。采用MTT法研究了3a~3i对人白血病细胞(K562)的体外抗肿瘤活性。结果表明：化合物3a~3d对K562具有一定的抑制活性, 说明鹰嘴豆芽素色烯类骨架可以作为先导化合物进一步研究。     

有机异质结连接层C60/CuPc电荷产生能力研究

有机异质结连接层因其具有良好的透光性能、制备工艺和有机电致发光器件(Organic light-emitting diodes,OLEDs)完全兼容的优点,被广泛应用于叠层OLEDs中。在叠层OLEDs中,连接层可产生电荷,其工作性能是影响叠层OLEDs性能的关键因素之一。为了获得最佳性能的有机异质结连接层,本文制备了结构为glass/ITO/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq_3)(60 nm)/C_(60)(x nm)/CuPc(y nm)/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis (phenyl)-be-nzidine(NPB)(40 nm)/Al (100 nm)的有机器件,直接获得了有机异质结连接层C_(60)/CuPc产生的器件电流。通过结构优化发现,结构为C_(60)(30 nm)/CuPc(10 nm)的连接层具有最强的电荷产生能力,并对最优结构连接层形成的物理机制作了合理的解释.本文获得的结果可为理解有机异质结连接层工作机理以及制备高性能叠层OLEDs提供理论基础。     

新型甘油拼接3-四取代氧化吲哚的无催化剂无溶剂合成

以3-氯氧化吲哚为原料，在无催化剂、无溶剂条件下于80 ℃发生亲核取代反应，合成了10个新型的甘油拼接3-四取代氧化吲哚，收率54%~72%， dr值10/9~>10/7, 其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和HR-MS（ESI-TOF）表征。     

双光子吸收碱金属蒸气激光器研究进展

蓝紫激光和中红外激光在基础研究和国防工程中有重要的应用前景。单光子吸收的碱金属蒸气激光器具有量子效率高、受激发射截面大和热管理性能好等优点,近些年来已成为激光领域中研究热点之一,目前已实现k W量级的输出。双光子吸收的碱金属蒸气激光器可实现蓝紫激光和中红外激光级联输出的特性,也引起越来越多的关注。本文从碱金属原子密度、泵浦光功率、偏振和频率失调量以及调控激光等几种影响因素出发,综述了双光子吸收碱金属蒸气激光的研究进展,在此基础上分析了影响激光输出特性的原因,最后对双光子吸收碱金属蒸气激光器的发展趋势进行了展望。     

高分子共混薄膜的分相结构与力学性能

结合蒙特卡罗(MC)方法和三维弹簧格子模型,发展了一种从非均相高分子材料的组成出发,预测材料的微观结构及力学性能的连续介观模拟方法。计算结果显示:A-B高分子共混薄膜的形貌与共混比例密切相关,改变薄膜中两种聚合物的共混比例对薄膜整体的力学性能有较大的影响。     

Co纳米线磁矩反转动态过程的有限元微磁学模拟

采用有限元微磁学模拟方法研究了Co纳米线在不同外加恒磁场下磁矩的翻转过程.研究结果表明在直径为10 nm的Co纳米线内,经过一定的形核时间将在其一端形成一个反向磁畴.磁畴壁的类型为横向畴壁,该畴壁将在一外加恒定磁场的驱动下匀速地从一端运动到另一端.畴壁的运动速度与外加磁场大小呈线性关系.在H为1000 kA/m时,发现在纳米线的两端均会形成一个“头对头”的反向磁畴.计算结果表明,畴壁内磁矩的方向旋转一个周期所导致的畴壁运动的距离相同,与外加磁场强度无关. 关键词： 磁性纳米线 微磁学模拟 磁畴 横向畴壁