N-(2-吡咯甲基)-1-苯基乙亚胺·二甲基铝的合成、结构及其催化丙交酯的活性

通过席夫碱配体N-（2-吡咯甲基）-1-苯基乙亚胺与三乙基铝按物质的量之比为1：1在无氧无水的条件下反应,合成了席夫碱铝的有机金属化合物N-（2-吡咯甲基）-1-苯基乙亚胺·二甲基铝。其结构分别用核磁氢谱、碳谱,元素分析和X射线单晶衍射技术进行了表征。铝化合物在催化外消旋丙交酯开环聚合反应中表现出了中等的活性并得到了以等规聚合为主的高聚物。     

第十一届全国实验力学学术会议征文通知（第一轮）

经中国力学学会批准，由实验力学专业委员会主办、大连理工大学承办的第十一届全国实验力学学术会议将于2005年7月26日至29日在辽宁省大连市召开，具体时间见第二轮通知．全国性的实验力学学术会议一般每3年举行一次，至今已举办10届．本次学术会议旨在邀请实验力学同行交流最新研究成果，切磋新的试验测试技术，研讨新的发展方向，     

高耸异型烟囱结构风压和风振系数试验研究

本文在模拟的大气边界层中,对某一发电厂高耸异型烟囱的刚性模型进行了测压试验研究,得到了这一结构的平均风压系数、最大和最小风压系数分布,以及该结构的风荷载体型系数;结果表明在烟囱外形明显变化的局部区域,风压绝对值较大,与理论分析一致。同时,对动态测力试验模型进行了高频动态天平测力试验研究,详细介绍了试验及数据处理方法,根据试验结果计算得到了该烟囱在风作用下的动力响应和风振系数;根据试验结果计算所得的风振系数值大于按规范公式估算值。这些结果不仅为结构的风荷载计算提供了依据,也有助于进一步认识该类异性烟囱结构的风荷载和风振特性。     

互注入垂直腔表面发射激光器的多次偏振转换特性研究

基于垂直腔表面发射激光器(VCSELs)的自旋反转模型, 研究了互注入VCSELs系统中参数连续变化所引起的多次偏振转换(PS)特性. 研究结果表明: 连续改变互注入强度ξ、两个互注入VCSELs中一个激光器的激射频率以及同时连续改变两个激光器的激射频率, 均可产生多次的PS. 详细分析了上述三种参数连续变化所引起的多次PS的特性, 并讨论了耦合延时时间对多次PS特性的影响.     

2-氰基-3-取代胺基-3-[2-(4-氟苯基)-乙胺基]丙烯酸乙酯类化合物的合成及生物活性研究

以氰基乙酸乙酯为原料,经与二硫化碳、硫酸二甲酯反应合成了2-氰基-3,3-二甲硫基丙烯酸乙酯(1),然后引入对氟苯乙胺得到化合物(3),其与脂肪胺反应合成了新型含对氟苯乙氨基的2-氰基丙烯酸乙酯类化合物5a～5h,其结构经元素分析,IR1H NMR和13C NMR等确证.初步生物活性试验表明,部分化合物具有一定抗烟草花叶病毒活性.     

促进学生创新学习的教学方法探索和实践

针对化工原理课程的特点,通过建立促进学生创新学习的教学理念,采用促进创新学习的教学方法,对共性和特例进行比较研究,针对实际问题开展课堂讨论以及开设化工原理开放实验和设计实验等引导学生进行创新学习,以促进学生对传递过程原理的理解、掌握和应用。     

杂环取代苯并[4,5]呋喃[3,2-d]嘧啶类衍生物的合成及其抗癌活性

采用生物活性因子拼接的方法将活性基团1,3,4.三唑等引入苯并[4,5]呋喃[3,2-d]嘧啶化合物中,合成了7个未见文献报道的杂环取代苯并[4,5]呋喃[3,2-d]嘧啶类衍生物,其结构经NMR,IR和MS表征.初步生物活性测试结果表明,部分化合物对人前列腺癌细胞PC3具有一定的抑制活性.     

健康维吾尔人微核率的测定

采用薛开先的“人体末梢血微核率测试法”，检测了没有接触过任何诱变剂的１００个健康维吾尔人末梢血淋巴细胞２０００００个，检测出有２７个微核，激核率为０．１４‰．不同年龄组微核率的分布范围为０～１，各组平均微核率之间没有显著性差异（Ｐ＞０．０５），微核在不同性别的健康维吾尔人群中的分布范围也是０～１‰，平均微率率在不同性别之间也同样无显著性差异（μ＝０．５，Ｐ＞０．０５）．因此，从健康维吾尔人群中检测出来的微核率，可作为确定健康的一项指标，这对医学、环境研究以及诱变致癌因子的遗传毒理学检测有重要意义．     

数学问题解答

2006年1月号问题解答(解答由问题提供人给出)1591如图,△ABC中,CD⊥AB于D,△ACD、△BCD的内切圆分别切AC,BC于E,F.求证:(1)若∠ACB=90°,则∠EDF=90°.(2)若∠EDF=90°,则∠ACB=90°.证明(1)因为∠ACB=90°,CD⊥AB,所以△ACD∽△CDB,所以ACBC=BCDD=CADD=BACC CADD--BCDD.因为A     

硅表面化学镀银晶籽层生长过程的研究

室温下在HF+AgNO₃溶液中于硅表面制备了银晶籽层。利用开路电位时间曲线（OCP-t）、阳极溶出伏安法（ASV）以及扫描隧道显微镜（STM）等方法研究了硅表面银晶籽层的形成过程，解释了银晶核长大的过程。提出了银晶籽在硅表面的生长机理是：首先是在硅表面没有被完全覆盖的情况下，单层银晶籽生长的同时伴随有多层的生长，此后单层逐渐形成连续的薄膜，在单层晶籽层上多层薄膜逐渐增厚，并伴随有部分银原子向硅中的扩散。