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871.
聚合物发光材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
描述了聚合物的发光原理及发光器件构造,详细地介绍了聚合物发光二极管的发展历史及最新动态,着重于颜色的调谐、发光效率的提高等方面。  相似文献   
872.
本文尝试将损伤复合材料层板性能衰减研究扩展到含一般各向异性铺层的基体开裂层板对第(Ⅰ)部分提出的分解刚度法给出分解刚度值确定方程,完整了开裂层板本构关系解;对(θm/90n)s开裂层板刚度衰减进行了数值计算并对计算结果进行了讨论.  相似文献   
873.
阻抑催化动力学法测定青霉胺   总被引:1,自引:0,他引:1  
在H2SO4介质中, Fe(Ⅲ)能催化H2O2与甲基红之间的褪色反应;加入青霉胺后, 青霉胺又能灵敏地阻抑该氧化褪色反应, 从而建立青霉胺的测定方法. 青霉胺测定范围为5.0~40.0 μg/L, 检出限为2.4 μg/L. 该方法具有操作简便、灵敏度高、试剂易得等特点, 可用于实验样品中青霉胺的测定.  相似文献   
874.
赵春娥  杜先能 《大学数学》2006,22(3):100-102
给出了伪投射模的另外一种等价定义,并对伪投射模的自同态环的Jacobson根做了讨论,还对伪投射盖做了某些探讨.  相似文献   
875.
1 INTRODUCTION The copper plays an important role in metallo-proteins involved in significant electron transfer andoxygenation reactions[1]. Various model complexesfor such enzymes have been synthesized and the re-activity to oxygen been investigated…  相似文献   
876.
本文基于第一性原理方法,对非金属元素(N)与过渡金属元素(Mo, Ru, Rh, Pd)掺杂SnO2的电子结构和磁学性质进行计算分析.结果表明:形成能与过渡金属原子半径密切相关,随着过渡金属原子半径的增加,形成能在降低,其中N-Mo掺杂体系形成能最低,故该体系最容易掺杂形成;能带结构分析表明,由于掺杂体系自旋向上/向下杂质能级的数量和分布均不对称,掺杂体系均有磁性产生;进一步探究态密度可知,体系产生磁性的原因是过渡金属原子和N原子之间产生p-d轨道杂化,最外层电子轨道上的空位及单电子相互耦合所导致.结果表明,由于掺杂原子的引入,SnO2体系产生磁性,并且掺杂体系呈现亚铁磁性,其中N-Rh掺杂体系的磁性最好,其磁矩为1.88μB,有望成为良好的稀磁半导体材料.  相似文献   
877.
采用低成本的气相辅助电沉积方法(vapor-assisted electro-deposition,VAED)成功制备了面积为15 cm2均匀致密的钙钛矿薄膜.首先通过电化学沉积制备PbO2薄膜,然后与HI气体反应得到PbI2薄膜,接下来再与HI和CH3NH2混合气体反应,得到CH3NH3PbI3薄膜.实验发现:电化学沉积电压对PbO2薄膜的表面形貌和微结构有重要影响;在PbO2向PbI2的转化过程中,随着反应时间的减小,PbI2的结晶性逐渐增强,最佳反应时间为10 min;在钙钛矿的转化过程中,当HI/CH3NH2体积比为1:2时可获得均匀致密、四方相的钙钛矿薄膜.本研究提供了一种低温制备大面积均匀CH3NH3PbI3薄膜的方法,得到的CH3NH3PbI3薄膜可望在光电器件中得到应用.  相似文献   
878.
基于密度泛函理论的第一性原理,计算分析了Nd、Sm、Gd和Dy四种稀土元素掺杂SnO2的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂稀土元素Nd、Sm、Gd、Dy后,Sn7 XO16体系的晶胞体积及晶格常数都有不同程度的增大,禁带宽度减小,在费米能级附近出现了杂质能级.光学性质方面,掺杂稀土元素Nd、Sm、Gd、Dy后,体系的吸收边都向低能方向移动,发生了红移,拓宽了光谱响应范围,与未掺杂之前相比,掺杂稀土元素Nd后的静态介电常数减小,其余三种体系增大.  相似文献   
879.
常规跨超声速风洞进行马赫数4.5试验时,常常伴有空气液化现象,造成试验数据可信度低,在高超声速风洞研制马赫数4.5喷管,具有对气流加热的能力,可以提供更加准确的试验数据。目前国内0.5 m量级高超声速风洞还不具备马赫数4.5的试验能力。通过无黏流计算方法计算轴对称喷管型面,并采用Sivells-Payne方法进行附面层修正,然后进行数值验证,证明了计算出的型面满足国军标对马赫数的设计要求,可以投入加工生产。  相似文献   
880.
为研究高压气囊桩的布设方式对既有隧道的保护效果,以JD08地块基坑施工对宁波轨道交通3号线区间隧道的影响为例,通过建立基坑开挖对隧道影响的二维计算模型,计算分析了气囊桩与隧道距离、气囊桩埋深、气囊桩加载压力对隧道水平和竖向位移以及其整体结构的影响,并与实测结果进行对比.结果表明:计算结果与实测结果较为接近,基坑设计方案满足地铁保护要求;气囊桩加载后,隧道出现挤压回弹,基坑开挖引起的隧道水平位移有所减小;随着气囊桩长度的增加,挤压作用更为明显,隧道水平位移减小,隆起增大,横向收敛增大;气囊桩与隧道间距以3 m为宜,气囊压力以800 kPa为宜.  相似文献   
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