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961.
962.
963.
Ar放电型检测器的工作电流主要是由Ar~+产生的。由于Ar的电离能很高(15.6eV),国外采用设备昂贵的高频电源,而国内多采用放射源。采用放射源虽然可以大大降低电离电压(500V左右),但放射源及载气渗入,不仅造反污染,而且仪器工作不稳。工作电流随仪器污染程度而异,以至最后必须定期清洗设备,以保证定量分析的正常进行。 本检测器采用直流高压源,整个GC系统无污染,工作电流稳定,可以长期运行,定量可靠,使用方便,操作无特殊要求,而且全部设备可以立足国内,便于普及,尤其适合于使用与生产单位对高纯氩的监 相似文献
964.
965.
以香豆素二硫化物(C-S-S-C)/三丁基膦(Bu3P)/H2O复合体系为链转移剂, 偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂, 4-乙烯基吡啶为单体制备了末端含有疏水性香豆素光响应基元的光敏感遥爪聚合物(聚4-乙烯基吡啶(C-P4VP)). 用傅里叶变换红外(FTIR)光谱、凝胶渗透色谱(GPC)、氢核磁共振(1H-NMR)等对该聚合物进行了结构表征. 研究显示该遥爪聚合物可在不同pH值(pH=3-6)的酸性水溶液中自组装成胶束, 且随体系酸值的降低, 聚合物胶束结构由松散变为紧密, 同时香豆素端基的光二聚反应程度呈现先下降后上升的趋势. 相似文献
966.
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本。21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量β-Ga2O3单晶晶圆,京都大学开展了β-Ga2O3薄膜外延研究并获得了高质量的同质外延片。在此基础上,日本信息通信研究机构于2012年构建了第一个β-Ga2O3金属半导体场效应晶体管(MESFET),证明了β-Ga2O3在功率器件领域拥有巨大潜能,开启了β-Ga2O3研发的新纪元。此后,国际上众多机构加入了β-Ga2O3单晶、外延、器件的研发潮流。随着研发工艺的进步,β-Ga2O3基功率器件的耐压上限一次次被刷新。本文梳理了β-Ga2O3单晶、外延、器件发展的时间线,汇总分析了β-Ga2O3功率器件的研究现状,指出存在的问题和可能的解决方案,并对其未来进行了展望,期望为以后的技术发展提供参考。 相似文献
967.
研究了横磁波在各向同性右手介质和双曲色散型单轴左手介质界面处波矢和能流的折射。计算发现,当入射角在很大范围内变化时,波矢的折射角和能流的折射角几乎不变。调节光轴角可使波矢折射角和能流折射角随入射角变化不敏感的现象更明显,经分析计算给出光轴角的调节范围。这一现象是由双曲色散型单轴左手介质的各向异性及负的主折射率引起的,可以用来实现光束准直、光束整合、光束压缩以及方便的光束耦合。如果光从双曲色散型单轴左手介质向各向同性右手介质入射,还能实现超棱镜(superprism)现象。计算了横磁波穿越界面时的透过率,证实双曲色散型单轴左手介质可能实现上述应用。 相似文献
968.
969.
结构可靠度计算常采用经典的响应面法拟合隐式功能函数或高维功能函数,而对于强非线性功能函数的实际工程问题,尽管其能够计算出结构可靠度的结果,但此时多项式响应面的拟合精度不够,很容易造成不收敛的现象。为了解决上述问题,将响应面法与单纯形寻优的思路进行结合来探求一种有效的计算方法。本文利用单纯形算法对每次迭代的验算点进行优化;再以优化后的设计验算点为中心进行取样,利用响应面法循环迭代计算;最后,沿着真实响应面逐渐逼近最终的验算点。该方法能够解决高维非线性的隐式极限状态方程可靠度计算收敛性的问题,可以提高计算精度和计算效率,具有一定的工程适用性。 相似文献
970.
光束正入射至均匀突变界面时的自旋-轨道相互作用表现为拓扑荷数为±2的、自旋可控的涡旋相位.然而,该涡旋相位的物理来源以及界面的性质在自旋-轨道相互作用过程中起到何种作用,这些问题还有待解决.首先建立一个简洁的菲涅耳琼斯矩阵来描述这种自旋-轨道相互作用,并揭示其中的涡旋相位其实是一种贝里(Berry)几何相位,它来源于光束本身的拓扑结构,而界面的性质影响自旋-轨道相互作用的转换效率.一般情况下,转换效率极低,限制了其应用.因此,基于上述理论,提出采用光轴平行于界面法线方向的单轴薄层材料,来极大地增强这种自旋-轨道相互作用. 相似文献