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1.
2.
西部开发中能源配置模型的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
开发西部丰富的能源资源,解决东部地区能源紧缺的矛盾,是东西部经济合作、优势互补、东西联动双赢战略研究的一项重要课题.在国家投资主体和市场经济条件下,以能源消费效益最大为目标,建立了基于边际效益均衡的能源空间配置优化模型;兼顾经济效益与环境效益的能源部门配置优化模型.结果显示,各地区、部门要获得更多的能源,就必须提高能源的使用效率,提高能源消费的边际效益,降低污染排放水平.  相似文献   
3.
采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。  相似文献   
4.
用气压浸渗工艺制备了体积分数40%~50%Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料,使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒,其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm.测定了这些复合材料的静、动态压缩性能,并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤,结果表明,与基体材料相似,这些复合材料表现出明显的应变率敏感性;当增强颗粒平均粒径小于60μm时,材料的累计损伤基本与应变率无关,而主要取决于材料的应变.材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的.较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤,并随着颗粒体积分数的增加,材料的流动应力和损伤率都相应增加.  相似文献   
5.
6.
带强迫项变系数组合KdV方程的显式精确解   总被引:17,自引:0,他引:17       下载免费PDF全文
卢殿臣  洪宝剑  田立新 《物理学报》2006,55(11):5617-5622
通过构造两个新的Riccati方程组,推广了Riccati方法,使其具有简洁的形式,丰富和发展了已有的结果,借助Mathematica软件,求出了带强迫项变系数组合KdV方程的一些精确解,包括各种类孤波解、类周期解和变速孤波解. 关键词: Riccati方程组 变系数组合KdV方程 强迫项 类孤波解  相似文献   
7.
超宽谱微波急性辐照对大鼠外周血血象的影响   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 采用90 kV/m低剂量和180 kV/m高剂量超宽谱微波全身一次辐照大鼠10 min,于照后5个时相点取静脉血进行血常规参数测定。结果发现:低剂量微波辐照后0 h WBC总数就开始升高;高剂量微波辐照后0 h WBC总数明显升高,辐照后12和24 h,WBC总数下降,在188 h时WBC总数又显著升高。RBC,HGB,HCT和RDW-CV在两个剂量辐照后24 h内升高,至辐照后188 h,降至正常水平。红细胞的MCV,MCH在两个剂量的微波辐照后无显著变化。低剂量微波辐照后3,12,24 h,MCHC明显低于正常对照值,高剂量微波辐照后仅在照后24 h内MCHC明显低于正常对照值。在两个剂量辐照后,血小板总数显著高于正常对照值。辐照后24 h和188 h PDW均显著低于正常对照值;MPV,P-LCR在两个剂量辐照后188 h显著低于正常对照值。实验结果表明:低剂量和高剂量的微波辐照均可造成机体类似急性炎症性反应,对红细胞形态和功能影响较小,可使骨髓生成和释放红细胞及血小板增加。  相似文献   
8.
众所周知,相似矩阵的迹相等对于非交换代数和环上的矩阵不一定成立,有趣的问题是给定一个条件使得相似矩阵的迹相等对于非交换代数或非交换环上的矩阵成立。本文对于特征不是2的任意域F上定义的广义四元数代数上的两个矩阵A和B,给出如果A和B相似并且它们的主对角线上的元素在F中,那么它们的迹相等。  相似文献   
9.
本文以矩阵的秩为工具给出了三矩阵乘积 ABC 的 Moore-Penrose 逆满足逆序律(ABC)+=C+B+A+的充要条件,同时也给出了该结果的若干推论及应用.  相似文献   
10.
KTP晶体中一种特殊缺陷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。 关键词:  相似文献   
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