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磁场中电弧等离子体柱的螺旋不稳定性 总被引:9,自引:0,他引:9
讨论了具有抛物互形电流分布的电弧等离子体柱在磁场中的不稳定性问题,从磁流体力学方程组出发,推导出电弧柱扰动满足的方程与边界条件,求得了这些方程的解析解,进而导出了在趋中心电流分布情形下电弧运动所满足的微分方程,由此给出了稳定性判据。将所得结果与均匀电流分布情形做了比较,稳定区域增宽,与实验结果相符。 相似文献
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科学文献中蕴含的大量历史数据和经验知识,对材料设计与研发具有重要参考价值.文本挖掘尽管能高效地探索并利用被存储在海量科学文献中的信息,但高质量文本数据的获取困难阻碍了其在材料领域更广泛的应用.本文从品质和数量双视角剖析了材料领域的文本数据质量问题及其相关研究工作,提出高质量的材料科学文本挖掘数据集构建方法.该方法通过可溯源的文献自动获取方案确保文本数据的源头可追溯;以下游任务为驱动对文献进行预处理以提升预标注文本语料的质量;基于材料四面体准则定义适配全体系的标签注释方案以完成对语料的高品质标注;利用融合材料领域知识的有条件文本数据增强模型实现材料文本数据量的扩充.在不同体系数据集上的实验结果表明,该方法可有效地提升下游文本挖掘模型的预测精度,其中在NASICON型固态电解质材料实体识别任务上的F1值达84%.本文为文本挖掘在材料领域的深入应用提供理论指导和解决方案,并有望推进数据与知识双向驱动的材料设计与研发. 相似文献
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Numerical Simulation on Expansion Process of Ablation Plasma Induced by Intense Pulsed Ion Beam 下载免费PDF全文
We present a one-dimensional time-dependent numerical model for the expansion process of ablation plasma induced by intense pulsed ion beam (IPIB). The evolutions of density, velocity, temperature, and pressure of the ablation plasma of the aluminium target are obtained. The numerical results are well in agreement with the relative experimental data. It is shown that the expansion process of ablation plasma induced by IPIB includes strongly nonlinear effects and that shock waves appear during the propagation of the ablation plasma. 相似文献
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针对激光烧蚀半导体材料Ge初期的特点,建立了1维的热传导和流体动力学模型。对波长为248 nm、脉宽为17 ns、峰值功率密度为4×108 W/cm2的KrF脉冲激光在133.32 Pa氦气环境下烧蚀Ge产生等离子体的特性进行了数值模拟。结果表明:单个激光脉冲对靶的烧蚀深度达到55 nm,蒸气膨胀前端由于压缩背景气体产生压缩冲击波, 波前的速度最大,温度很高。从不同时刻的电离率分布图中得出,在靶面附近区域,Ge的1阶电离始终占优势;在中心区域,脉冲作用时间内,Ge的2阶电离率比1阶电离率大,脉冲结束后,Ge的2阶电离率下降,1阶电离率逐渐变大。 相似文献
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提出了一种阵列式线-线沿面介质阻挡放电结构,利用双极性高压纳秒脉冲电源,在大气压空气中激励产生了相对大面积的放电等离子体。其中,高压电极、地电极均为圆柱形金属,放电反应器由20组相间排列的阵列式线型高压电极和套有介质管的阵列式线型地电极组成。利用电压探头、电流探头、示波器等测量了放电电压和放电总电流,并计算得出了放电的实际电流。利用光纤、光栅光谱仪、CCD等测量了波长范围在300~440 nm和766~778 nm的发射光谱,即氮分子第二正带N2 (C3Πu→B3Πg)包括Δν= +1, 0, -1, -2, -3、氮分子离子第一负带N+2(B2Σ+u→X2Σ+g),N2 (B3Πg→A3Σ+u)和O (3p5P→3s5S2)的发射光谱。比较了氮分子第二正带N2 (C3Πu→B3Πg)的各个振动峰和各个活性物种的发射光谱强度,以及这些发射光谱强度随着脉冲峰值电压的变化。测量了N2(C3Πu→B3Πg, 0-0)的二次、三次衍射光谱,与原始光谱在转动带、背景光谱等方面进行了比较,并计算了二次衍射和原始光谱之间的峰值比。利用氮分子第二正带N2 (C3Πu→B3Πg, Δν=+1, 0, -1, -2)和氮分子离子第一负带N+2 (B2Σ+u→X2Σ+g, 0-0)模拟了等离子体的转动温度和振动温度,对模拟结果进行了比较,并研究了脉冲峰值电压对等离子体振动温度和转动温度的影响。通过测量放电的电压和计算得到的放电电流发现,当脉冲峰值电压为22 kV,脉冲重复频率为150 Hz时,阵列式线-线沿面介质阻挡放电的放电电流在正脉冲、负脉冲两个方向上均可达75 A左右。通过诊断放电等离子体的发射光谱发现,在测量的波长范围内,放电产生的活性物种主要有氮分子第二正带N2 (C3Πu→B3Πg)、氮分子离子第一负带N+2(B2Σ+u→X2Σ+g),N2 (B3Πg→A3Σ+u)和O (3p5P→3s5S2)。在脉冲峰值电压22~36 kV的变化范围内,氮分子第二正带N2(C3Πu→B3Πg, 0-0)的发射光谱强度始终保持最强,N2 (B3Πg→A3Σ+u)次之,而氮分子离子第一负带N+2(B2Σ+u→X2Σ+g)和O (3p5P→3s5S2)的发射光谱强度较弱。同时,当脉冲峰值电压升高时,氮分子第二正带N2 (C3Πu→B3Πg)的所有振动峰,以及氮分子离子第一负带N+2(B2Σ+u→X2Σ+g),N2 (B3Πg→A3Σ+u)和O (3p5P→3s5S2)的发射光谱强度均随之升高。通过比较氮分子第二正带N2(C3Πu→B3Πg, 0-0)的原始、二次衍射、三次衍射光谱发现,二次、三次衍射光谱的转动带更清晰,但三次衍射光谱的背景更强,因此氮分子第二正带N2(C3Πu→B3Πg)的二次衍射光谱更有利于模拟等离子体的转动温度。通过比较模拟得到的振动温度和转动温度发现,氮分子第二正带N2 (C3Πu→B3Πg, Δν=-2)在N2 (C3Πu→B3Πg)四个谱带Δν=+1, 0, -1, -2中最适于模拟等离子体振动温度,而利用氮分子离子第一负带N+2 (B2Σ+u→X2Σ+g,0-0)模拟得到的等离子体转动温度要比N2 (C3Πu→B3Πg, Δν=-2)的模拟结果高约10~15 K。同时,当脉冲峰值电压升高时,由N2 (C3Πu→B3Πg, Δν=-2)和N+2 (B2Σ+u→X2Σ+g, 0-0)模拟得到等离子体的转动温度均出现了略微上升的趋势,而利用N2 (C3Πu→B3Πg, Δν=-2)模拟得出的振动温度则略微下降。 相似文献