掺Yb硅酸盐玻璃的热漂白性能研究

采用传统高温熔融法制备了掺Yb硅酸盐玻璃, 玻璃组成为 60SiO₂-12Al₂O₃-28CaO-1.0 mol%Yb₂O₃. 将玻璃分成两组, 一组经总剂量3 kGy的Co⁶⁰γ辐射源辐射, 另一组做空白对照. 然后测试了玻璃未辐射、辐射后及热漂白后的吸收谱和近红外发光谱. 实验结果表明: 一定的热处理会使得玻璃在辐射过程中产生的色心缺陷发生分解, 即辐射后的玻璃在300–900 nm波段的吸收系数显著地降低了, 在400 nm处未经辐射、经3 kGy辐射以及热漂白后的玻璃吸收系数分别是0.93, 2.9, 1.89 cm^-1. 另外, 玻璃的近红外发光强度明显增强, 在1028 nm处未经辐射、经3 kGy辐射以及热漂白后的玻璃近红外发光相对强度分别是588, 261, 436, 从而极大地改善了玻璃的光学性能. 所以一定的热处理可以使辐射后的玻璃产生热漂白的现象. 研究结果为进一步发展抗辐射玻璃材料提供了新的实验依据.     

射频功率对氢气与反式二丁烯的低压电感耦合等离子体的影响（英）

利用等离子体聚合技术制备的GDP壳层是目前ICF靶丸的主要烧蚀层材料。为了了解GDP薄膜沉积过程中的CH等离子体的状态,采用朗缪尔探针和质谱仪对C4H8/H2等离子体的组分和状态参数进行了诊断,并对等离子体的电子能量分布函数、电子密度、电子温度等进行了深入分析。同时讨论了等离子体状态与放电参数之间的关系。研究发现,射频功率对等离子体参数有明显的影响。从10 W到35 W,电子密度正比于射频功率。随着射频功率的增加,在两步电离机制作用下,电子温度和等离子体电势呈现先减小后增大的变化趋势。另外,在高气压下,质谱诊断中发现了大量的稳定的小质量碎片离子,这表明在高气压下等离子体气相中的离子碎片聚合反应被抑制。     

基于免疫磁球的埃博拉病毒糖蛋白高灵敏比色检测

用免疫磁球捕获埃博拉病毒糖蛋白,与生物素化抗体形成免疫夹心复合物,然后链霉亲和素标记辣根过氧化物酶(SA-HRP)催化3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)进行显色,通过370 nm处吸光度对病毒糖蛋白进行定量。对免疫磁球进行了免疫荧光表征,通过对照实验验证方法的可靠性,并对检测条件进行了优化。结果表明,吸光度与病毒糖蛋白浓度在1.0~25.0 ng/m L内呈线性关系,检出限达到0.18 ng/m L。该方法重现性较好,特异性好,抗干扰能力强,可实现复杂样品中埃博拉病毒的检测。     

超高效液相色谱-线性离子阱/静电场轨道阱高分辨质谱法快速检测化妆品中22种功效成分北大核心CSCD

建立了超高效液相色谱-线性离子阱/静电场轨道阱高分辨质谱法同时测定化妆品中的22种功效成分。样品采用甲醇超声提取,C18色谱柱(100 mm×2.1 mm,1.8μm)分离,以0.1%(v/v)甲酸水溶液和乙腈为流动相进行梯度洗脱。在正离子模式下,以保留时间和一级母离子精确质量数进行定量分析,以高能碰撞诱导解离获得的二级碎片离子精确质量数进行确证。结果表明,该方法线性关系良好,检出限(LOD)为0.003~2.01 mg/kg;定量限(LOQ)为0.02~4.36 mg/kg;水、乳、霜3种基质中3个添加水平的回收率范围为63.2%~125.1%,相对标准偏差为0.18%~10.9%。对标示含有烟酰胺、抗坏血酸葡糖苷、咖啡因、泛醇及甘草类(光果甘草根茎叶、甘草根、胀果甘草根)、麦冬根、人参根、黄芪根、虎杖根、苦参根、地黄根、积雪草、茶叶提取物的54批样品进行检测,标示单体功效成分的样品均有检出,标示不同植物提取物的46批样品中,24批检出植物提取物的功效成分。该方法简便快速、定性定量可靠,适用于化妆品中22种功效成分的定量测定。     

先进光刻材料

随着半导体产业的技术发展与进步,芯片制造在摩尔定律的推动下也在不断向先进工艺节点推进。与此同时,我们迫切需要开发与之相匹配的光刻材料来满足光刻图形化的快速发展需求。本文从光刻材料的成分和性能出发,介绍了光刻图形化技术所用的从紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光胶、共轭聚合物光刻材料到导向自组装光刻材料,分析了光刻材料的发展现状,最后总结全文并对国内光刻材料的未来发展趋势进行展望。     

大面积负离子束源磁过滤器的设计及实验研究

中性束注入是磁约束核聚变能研究中重要的辅助加热手段。大面积负离子源是中性束注入系统的核心部件。在负离子源工作过程中,负离子的电子结合能非常小(约0.75e V),极易被高能电子破坏。为此需要设计过滤磁场降低电子温度,减少负离子的损失,同时也可以减少伴随引出的电子。根据大面积负离子束源的机械结构,分别设计了永磁体产生过滤磁场和利用等离子体电极(PG)电流产生磁场两种磁过滤器结构;通过有限元算法对产生的过滤磁场进行模拟分析和优化,完成了大面积负离子束源过滤磁场的研制。在负离子束源测试平台开展实验测试,引出区电子温度从5eV降至1eV。这个结果初步验证了大面积负离子束源的过滤磁场的性能,为大面积负离子束源的研制提供了支持。     

关于对惯性力的一些看法(续)

本刊于1983年第三期发表了“关于对惯性力的一些看法”一文,文中摘登了三位作者的来稿.这次发表的摘登文章,算作上文的继续.附带说明,本刊对惯性力的讨论,将暂告一段落.     

氦制冷/液化流程优化设计与分析综述北大核心

针对现存主要的大型低温氦制冷/液化流程的优化设计方法进行了详细总结和分析,从而得出一些普适性的结论。指出流程设计过程中存在的可进一步优化的问题,对如何设计高效节能的大型氦低温系统具有参考意义。     

IrO_2掺杂对La_(0.7)Ca_(0.2)Sr_(0.1)MnO_3室温磁电阻效应的增强

将IrO2掺杂到固相反应法制备的La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3(LCSMO)微粉中,制备了(1-x)La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3+xIrO2(LCSMO/IrO2)复合体系。通过X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)以及直流四探针法测试,对复合材料的结构及性能进行了研究。结果发现,在复合体系中,一部分Ir4+离子取代了B位的Mn4+离子,另一部分以IrO2氧化物的形式存在于颗粒的边界处。随着IrO2掺杂量的增加,样品的比饱和磁化强度(σs)快速下降,而居里温度(TC)先下降后上升,电阻率也发生显著变化。与此同时,IrO2的掺杂使样品的低场磁电阻效应(LFMR)和高场磁电阻效应(HFMR)都有所增强,在H=3 kOe,T=307 K,x=5%的样品磁电阻达到11.65%;同样对于x=5%的样品,在H=2 T,T=295 K,磁电阻达到28%,室温磁电阻得到显著增强,这可能与本征磁电阻效应的特点及材料的TC和相变温度接近室温有关,另外掺杂物本身的特性对磁电阻的增强也有一定的影响。     

去合金化工艺对纳米多孔铜纯度的影响

采用腐蚀去合金化方法制备纳米多孔铜材料。研究了固溶时间、腐蚀时间及腐蚀温度对纳米多孔铜表面形貌及残余Mn含量的影响。研究表明:由于固溶时间的延长，合金成分越来越均匀化，去合金化后所得纳米多孔铜的残余Mn原子分数降低。固溶95 h的前驱体合金，随着腐蚀时间的延长，其残余Mn含量降低不明显；随着温度的升高，其残余Mn原子分数由25 ℃的3.54%降至60℃的1.14%，但是60 ℃腐蚀后的孔隙与丝径尺寸明显粗化，样品易碎。通过调整去合金化参数，实验所制备的纳米多孔铜呈现均匀的海绵状纳米多孔结构，残余Mn原子分数1.23%, 平均丝径尺寸40 nm。