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991.
采用硝酸钴、硫酸钴、氯化钴和乙酸钴分别作为Co2+原料,通过水热法制备尖晶石型纳米钴铁氧体吸波材料.利用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和矢量网络分析仪(VNA)对制备的钴铁氧体进行表征和分析.以CTAB为表面活性剂,晶化温度为180℃、晶化时间为8h,通过对比不同原料制备的钴铁氧体形貌、粒径、电磁损耗和吸波性能可以得出结论:以硝酸钴和氯化钴为原料制备出的钴铁氧体存在杂质峰,以硫酸钴和乙酸钴为原料可以制备出纯相纳米钴铁氧体,晶面距离分别为0.25246 nm和0.25730 nm,平均粒径为35 nm和28.5 nm.以乙酸钴为原料制备的钴铁氧体吸波反射率最小,为-8.3dB,电磁波吸波效果最好. 相似文献
992.
993.
As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into the nanometer regime, quantum mechanical effects are becoming more and more significant. In this work, a model for the surrounding-gate (SG) nMOSFET is developed. The SchrSdinger equation is solved analytically. Some of the solutions are verified via results obtained from simulations. It is found that the percentage of the electrons with lighter conductivity mass increases as the silicon body radius decreases, or as the gate voltage reduces, or as the temperature decreases. The eentroid of inversion-layer is driven away from the silicon-oxide interface towards the silicon body, therefore the carriers will suffer less scattering from the interface and the electrons effective mobility of the SG nMOSFETs will be enhanced. 相似文献
994.
采用溶胶-凝胶法制备了Ca3SiO5∶Eu^2+发光材料。测量了材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一峰值位于505 nm处的不对称的宽带谱;监测505 nm发射峰,所得材料的激发光谱为一双峰宽谱,峰值为374和397 nm。研究了合成条件对Ca3SiO5∶Eu^2+材料发射光谱的影响,结果显示,随合成温度或合成时间或Eu^2+浓度的增大,Ca3SiO5∶Eu^2+材料发射光谱峰值强度均表现出先增大后减小的趋势,当合成温度为1 100℃、合成时间为4 h、Eu^2+浓度为0.5 mol%时,Ca3SiO5∶Eu^2+材料发射光谱峰值强度最大。 相似文献
995.
996.
997.
利用概率分布理论和中国近46年逐日最高、最低温度资料,对中国近46年来高温、低温破纪录事件频次和强度的时空分布特征进行了统计分析.结果表明:1976—2005年以来,中国实际检测年均发生高温破纪录事件频次多于理论值2.5次左右,而低温破纪录事件则少于理论值约4.5次,这与全球增暖趋势相一致.高温破纪录事件多发生于中国西北、华北、东北和青藏高原一带,低温破纪录事件则相反,在这些地方明显偏少;在温度破纪录事件年发生频次相对趋势上,中国大部地区高温破纪录事件频次有一定程度的增加而低温破纪录事件呈现普遍减少趋势;
关键词:
破纪录事件
气候变化
极端事件
中国气候 相似文献
998.
基于labview的闪光灯光强检测系统的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为了更好的对闪光灯性能做出评价,本文设计了一种应用于闪光灯的光强检测系统。以labview为开发平台,不仅能观测一定时间内的闪光波形,还可以快速准确的计算出闪光的峰值光强、有效光强和闪光时间。介绍了该系统的参数计算原理、硬件结构和labview程序设计,针对数据采集过程中易丢失数据问题提出了有效的解决方法,并完成数据的存储。检测结果表明,该系统操作简单,可检测闪光时间大于1ms的任意闪光波形,连续采集时间最大达10s,利用该系统能对闪光灯性能做出很好的评价。 相似文献
999.
采用顶点及平板下压加载的加载方式对半球壳的准静态压缩进行了实验研究,获得了半球壳的变形模态及力-位移曲线。通过准静态压缩实验观察在不同加载方式下球壳变形模式随压缩深度的变化,发现半球壳出现了轴对称和非轴对称变形形式。利用ABAQUS有限元软件对球壳准静态压缩过程进行数值模拟,分析加载方式与球壳尺寸等对变形行为的影响。结果表明:球壳在压缩下的变形可分为加载点附近局部压平、轴对称凹陷以及形成非对称多边形3个阶段。其中,在压平向凹陷转变时,小截面平头加载的接触力-位移曲线产生了突跳现象,但在半球头与平板加载时未出现,且凹陷之后,半球头加载下接触力的增加速率减小,而平板加载下接触力的增加速率几乎保持不变。壳的径厚比越大,后期的变形程度越复杂;径厚比越小,由压平到凹陷转变时的临界荷载越大,球壳承载力越大。计算表明,在本研究范围内球壳凹陷前后接触力的大小以及增加速率只与厚度有关,而与半径的相关性则较小。 相似文献
1000.