中空纤维三相液相微萃取荧光光度法测定绿豆芽中的吲哚类植物生长素

基于中空纤维液相微萃取技术,建立了绿豆芽中吲哚类植物生长素的荧光检测方法。通过L9(34)正交实验,对中空纤维液相微萃取条件进行优化,得到的优化条件为:样品溶液的p H值调为4.0,萃取溶剂为正辛醇,接受相为p H 12.0的Na OH,搅拌速度为1 000 r/min,萃取时间为60 min。在最优萃取条件下,吲哚类植物生长素的富集倍数可达92倍。供体相中吲哚类植物生长素的质量浓度在1.71~50.0 mg/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.997 9,检出限(S/N=3)为0.57 mg/L,样品的加标回收率为88.6%~100.7%,相对标准偏差(RSD)不大于4.8%。该方法操作简单,环境友好,可用于绿豆芽中吲哚类植物生长素含量的准确快速测定。     

高校非化学专业“无机及分析化学”教学中的问题及对策

从教师队伍、教学内容、教学手段以及教学对象等方面出发,以喀什大学生物专业为例,分析了非化学专业的"无机及分析化学"教学中存在的问题,探析了问题产生、存在的根源,并提出提高"无机及分析化学"教学质量的切实可行的对策。     

准东煤水热提质过程中煤质特性变化对CO_2气化影响

选取准东高钠煤为研究对象,在高压反应釜中进行了不同温度(150-350℃)下的水热提质处理实验,依托电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、氮气等温吸附模型(BET)和X射线衍射(XRD)等技术,分析了煤样的煤质特性变化以及对CO_2气化的综合影响规律。结果表明,水热提质处理后煤样成熟度增加,煤阶上升,钠的脱除效果显著,在300-350℃时脱除率均大于95%。煤焦化学结构致密、有序、稳定;煤样CO_2气化曲线向高温区偏移,气化活性指数呈下降趋势且300-350℃时下降明显。水热提质过程中煤样气化反应活性受到煤阶、碱金属钠含量、物理孔隙结构、化学微晶结构等多个因素的综合影响。     

原位水热合成Ce(Ⅳ)-X分子筛及对噻吩的吸附性能

通过原位水热合成方法直接制备出不同载Ce量的Ce(Ⅳ)-X分子筛,并考察了其对模拟汽油中噻吩的吸附性能。采用粉末X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FT-IR)、紫外-可见漫反射(UV-vis DRS)、全谱直读等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、氮气吸附和NH₃程序升温热脱附(NH₃-TPD)等方法对分子筛进行表征。结果表明,合成分子筛均具备典型的X型分子筛结构,同时Ce(Ⅳ)被较好地引入到分子筛的骨架结构中;载Ce分子筛的酸性大于X分子筛,而且Ce(Ⅳ)-X分子筛的酸性随着Ce掺杂量的增加而增强。吸附实验表明,载Ce分子筛对噻吩的吸附性能明显好于X分子筛。其中,n(Ce)/n(Si)=0.05的分子筛脱硫效果最佳,饱和吸附容量达到52.541 9 mg/g。再生实验表明,加热再生的Ce(Ⅳ)-X分子筛对噻吩仍具有理想的吸附效果。n(Ce)/n(Si)=0.05的分子筛再生后饱和吸附容量为47.512 1 mg/g,约为新鲜吸附剂的90.43％。     

退火温度及退火气氛对ZnO薄膜的结构及发光性能的影响(英文)

采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(N2,O2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条件得到具有最小半峰全宽及最大晶粒尺寸的薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明:氮气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为900℃;氧气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为800℃。红外(IR)光谱中,退火后Zn-O特征振动峰红移,说明在退火过程中,原子重新排布后占据较低能量位置;同样的退火温度下,氮气氛下退火的薄膜质量更优。同步辐射光电子能谱(synchrotron-based XPS)分别表征了未退火及N2,O2下900℃退火的ZnO薄膜,分峰拟合结果表明氧气氛下退火产生更多的氧空位。结构表征结合光致发光(PL)谱表明绿光的发光峰与氧空位有关。     

k维各向同性谐振子的超对称量子力学体系

构造了k维各向同性谐振子的四类升降算子，及相应的超对称量子力学体系，并讨论了它们的一般形式。     

aodSrTi1-xRuxO3系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构研究

利用同步辐射光电子能谱技术研究SrTi_1-xRu_xO₃系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构. 通过测量该系列氧化物的光电子能谱(PES)和X射线吸收谱(XAS),得到了SrRuO₃在入射能量53eV时的共振光电子能谱(RPES),SrTi_1-xRu_xO₃中,随着x变化而变化的价带光电子能谱和O 1s的吸收谱.然后参照文献中局部密度近似方法(LDA)模拟计算的能带结构,进行初步的分析和解释.     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K3C60单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150 K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K3C60导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5 eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

表面热处理研究石墨及含杂质单壁碳纳米管的C 1s X射线吸收谱

用表面敏感光电子能谱全电子产额模式(TEY)对石墨及含杂质单壁碳纳米管的C 1s X射线吸收谱进行了研究.在高真空里表面退火处理后,石墨C 1s X射线吸收谱中未占据π^{*和σ*态特征峰之间的小峰消失,证实此峰不是来自于一直被认为的所谓的类自由电子态,而来自于样品表面态,即表面结构扭曲或吸附气体所引起的结构变化.而且π*和σ*峰强度有明显的变化,提示着在研究不同纳米管未占据态的态密度对比研究中,原位温度处理是关键的.我们通过对含杂质不同单壁碳纳米管的态密度对比研究来说明这种处理过程的必要性.}