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101.
We give a direct method for calculating the quark-number susceptibility at finite chemical potential and zero temperature. In this approach the quark-number susceptibility is totally determined by G[μ](p) (the dressed quark propagator at finite chemical potential μ). By applying the general result in our previous study [Phys. Rev. C 71 (2005) 015205, 034901, 73 (2006) 016004 ] G[μ](p) is calculated from the model quark propagator proposed by Pagels and Stokar [Phys. Rev. D 20 (1979) 2947]. The full analytic expression of the quark-number susceptibility at finite μ and zero T is obtained. 相似文献
102.
Based on the external field approach and the differential form of Ward identity, we derive a more compact formula for the particle-number susceptibility in QED3 at finite temperature. Using the zero frequency approximation the numerical value of the particle-number susceptibility is calculated in the Dyson-Schwinger approach for the case that the number of fermion flavours equals one and two, respectively. An enhanced fluctuation of the particlenumber density is observed across the transition temperature, which should be an essential characteristic of chiral phase transition in QED3. 相似文献
103.
从壳模型组态及核子-核子有效相互作用出发,借助于一种描述偶偶核高自旋态的微观理论方案,对同位素126Ba,128Ba和130Ba的低能态及质子拆对占据h11/2侵入轨道所出现的回夸现象作了研究.得到了与实验定性符合较好的结果.对Yrast带,进一步探讨了带间相互作用强度与耦合算子之间的关系. 相似文献
104.
105.
106.
电化学沉积是一种工艺简单、 成本低廉、 并且易于批量生产 YBa2Cu3 O7 -δ 涂层导体缓冲层的方法. 本文成功的在双轴织构的 Ni-5at. % W (Ni-5 W) 金属基带上外延生长了 Y2 O3 缓冲层薄膜. 原子力显微镜 (AFM) 测量表明 Y2 O3 薄膜表面致密, 粗糙度小, 其表面粗糙度仅为1 .8 nm. 电化学沉积与磁控溅射相结合获得了 MS-GZO/EDY2 O3 双层缓冲层, 在此缓冲层结构上成功地外延生长了 YBa2Cu3 O7 -δ 超导层, 液氮温度下临界电流密度J c 为0.65 MA/cm2 相似文献
107.
采用溶剂热法制备了具有不同厚度和大小的Zn_(0.8)Cd_(0.2)S-乙二胺(En)杂化纳米片固溶体,考察了制备过程中S/(Zn+Cd)摩尔比对所制备光催化材料的组成与结构、光电性质以及亲水性能的影响。研究表明,随着制备体系中硫脲含量的增加,固溶体纳米片表面逐渐平整;合适的S/(Zn+Cd)摩尔比可以提高光催化材料光生电子和空穴的分离效率。光催化性能评价表明,制备过程中的S/(Zn+Cd)原子比对其制氢活性有明显影响,在可见光照射下,S/(Zn+Cd)为4.75时,合成的Zn_(0.8)Cd_(0.2)S-En样品表现出最高的H_2产率,可达12100μmol·h~(-1)·g~(-1)。光催化活性的提高与样品较少的表面缺陷、合适的形貌以及高光生电子和空穴分离效率有关。 相似文献
108.
109.
采用自组装技术,利用均聚极性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线。采用扫描电镜(FE-SEM)和透射电镜(HRTEM)对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明,ZnO纳米线直径约50~80nm、长度大于4μm,具有六方纤锌矿单晶结构,且沿c轴方向择优取向生长。采用室温下光致发光(PL)谱和紫外吸收(UV)光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明,其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射,UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收,且随着纳米线粒径的减小,吸收峰出现了蓝移现象。研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系。 相似文献
110.
氧化锌纳米线自组装定向生长动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了以极性高分子(如聚丙烯酰胺)长分子链作为自组装网络, 利用高分子软模板控制ZnO纳米点成核和ZnO纳米线定向生长, 从而使ZnO纳米线在半导体硅衬底上自组装生长的过程; 采用差示扫描量热法(DSC)测试了高分子络合-烧结法制备ZnO纳米线的结晶曲线, 对其结晶动力学进行了研究, 推导出结晶动力学方程为: 1-Xt=exp(-7.475×10-2t1.9); 并利用热重(TG)测试结果, 通过热分解反应, 导出了反应动力学方程: dα/dT=(3.76×1023/Φ)e-21340.8/T(1-α) 2.8, 从而得到了化学反应速度随时间、浓度和温度变化的关系, 并用结果解释了实验现象. 相似文献