小朋友学习珠心算

第二节 进位加法 一、20以内的进位加法 两个一位数相加,和等于10或大于10的加法。我们称进位加法。如图所示:     

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炎一6,4 35 一2,314 一()一()一(》() 7,只2_一6 夕,8一37 一5,6 13 ()()()·() 一6,514 ()()、()() 9,3 68 8,694 6,837 一4,15一4 ()()()() 一4,2 71 ()()一()() 一4,1 23 ()_.()戈)() (二)一盘清 女日: 7,486 请小朋友算题: 一5,2」71 一}一!一}一_{ 二军止 暴 7,一24 98,246 5。948 人一70‘ 一(一)(「)()(.) 位位对齐同位相减(不借) 一7,103 ()()()() 珠算是改珠形式: 布7,456 1,9528,7_92 4,8 96 一l,3 10一6,1一72 ()()()()_()()()() 一2,754 ()()()_() 用一盘清方法计算: 二二 兰二 58一一65--l3一 76--23一93一一 7,3 2 63,6 1 89,…     

双光学平板莫尔条纹实验

传统的莫尔(Moire′)条纹一般是在一组透射光栅上实现的。本文提出了一种实现莫尔条纹的新方法——双光学平板法。利用两块相同厚度的光学平板产生的多光束干涉效应来产生莫尔条纹。原理光线斜入射至一光学平板时,其反射光会在远处屏幕上产生一组清晰的干涉条纹。再使第一平板上的反射光以同样入射角入射到第二平板上。最终的反射光为两组干涉条纹的重叠,即产生了莫尔条纹。实际光路见图,激光束由透镜L略加扩束后到达固定平     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

D→Klv～l衰变过程的研究

用光锥QCD求和规则研究D→Klv～_l衰变过程，首先计算D→K跃迁形状因子，通过构造新的关联函数，消除了twist-3波函数的不确定性给计算结果所带来的影响，从而使计算结果更加精确. 计算得到的分支比与最近的实验数据相一致. 关键词： QCD光锥求和规则 D介子半轻衰变 分支比 形状因子     

线性流形上矩阵方程BTXB=F的双对称最小二乘解

1引言令R~(n×m)、OR~(n×n)、SR~(n×n)(SR_0~(n×n))分别表示所有n×m阶实矩阵、n阶实正交阵、n阶实对称矩阵(实对称半正定阵)的全体,A~ 表示A的Moore-Penrose广义逆,I_k表示k阶单位矩阵,S_k表示k阶反序单位矩阵。R(A)表示A的列空间,N(A)表示A的零空间,rank(A)表示矩阵A的秩。对A=(a_(ij)),B=(b_(ij))∈R~(n×m),A*B表示A与     

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第三节 珠算基础知识 一、算盘构造图 珠算式心算使用的算盘可以分为两种:第一种是普通珠算盘;第二种是珠心算算盘。它们的构造请看后面的图式。 (一)普通珠算盘构造图     

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二、加减混合五行加余 （一）原理 加减混合十五行，珠心算技术鉴定与竞赛题，减题占五行。加余中，进66…6，退55…5，总体进11…1。加减混合二十行，珠心算竞赛题，减题占七行。加余中，进88…8，退77…7，总体进11…1。     

Dynamic Mechanism of Sustainable Molecular Orientation Generated From Cyclic Rotational States

Recently, two papers presented by Ortigoso et al. [Phys. Rev. Lett. 93 （2004） 073001 and Phys. Rev. A 72 （2005） 053401] develop a novel strategy in which the best sustainable molecular alignment/orientation has been achieved. We intend to analyse the dynamic mechanisms, including those Ortigoso et al. have not clarified.     

担载Ru_3（CO）_（12）－Fe_2（CO）_9混合簇的脱羰基作用和表面加氢反应

担载于ＺｒＯ２上的Ｒｕ３（ＣＯ）１２－Ｆｅ（ＣＯ）９混合簇的红外光谱表明，Ｒｕ３（ＣＯ）１２以Ｒｕ（ＣＯ）２Ｏ２表面络合物存在．混合族在真空中随温度升高而发生脱羰基作用，５００℃左右羰基完全脱掉；以Ａｌ２Ｏ３为载体者其羰基不易脱除，升高温度出现多种羰基带．混合簇中的Ｆｅ２－（ＣＯ）９极易脱羰基．担载混合簇在Ａｒ气中进行ＴＰＤＥ时，低温时以脱羰基为主，高于１５０℃时发生表面歧化反应而生成ＣＯ２；在Ｈ２气中，低温时仍以脱羰基为主，高于１５０℃时发生表面加氢反应而生成ＣＨ４．混合簇的脱羰基和表面反应能力与Ｒｕ／Ｆｅ比及载体有关．担载混合簇在ＣＯ加氢反应中以Ｒｕ（ＣＯ）２Ｏ２和分散Ｆｅ存在，还出现－ＣＨｘ多种表面物种．