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101.
102.
利用3维软件设计了适用于S波段相对论速调管放大器的单重入输入腔,该腔体采用了偏心设计,以便减小耦合孔处的不均匀场对腔间隙场的影响,分析了腔体耦合孔尺寸对腔间隙场均匀性的影响;建立了带输入波导结构的3维输入腔开放腔模型,并应用此模型,采用3维PIC程序模拟了注入微波功率、束直流对输入腔间隙后束流调制的影响。研究结果表明:耦合孔尺寸对腔间隙电场均匀性影响较大,当耦合孔离轴越近时,腔间隙场越不均匀;在结构参数和束参数固定的条件下,基波电流调制深度随着间隙电压的增加而增加,但达到最大基波调制电流的漂移距离几乎不变;在结构参数和注入微波参数固定的条件下,束直流越大,达到最大基波调制电流所需的漂移距离越短。研究结果为腔体的设计和输入腔束流调制实验提供了参考依据。 相似文献
103.
采用分离式霍普金森压杆(SHPB)试验方法对粗骨料取代率为0%、30%、50%和100%的再生混凝土进行冲击试验,研究了应力-应变关系曲线、动态抗压强度、动态弹性模量以及破坏形态受应变率影响的变化规律。试验表明,应力-应变关系曲线开始段呈线性关系,随应变率的增大,线性段斜率增大,持续范围扩大,峰值应力变大;峰值应力具有率敏性,随应变率增大,峰值应力不断增加,取代率对峰值应力的影响差别不明显;动态弹性模量也具有率敏性,呈正相关关系,取代率不同,其率敏性程度有所差异;随着应变率增大,试件破坏程度随之加剧,从完整无裂缝到瞬间崩裂成碎块。 相似文献
104.
太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种基于超晶格或耦合多量子阱中电子共振隧穿和子带间跃迁的单极光源,其辐射频率可通过能带和波函数设计进行调控,具有响应速度高、体积小、便于集成等优点。近年来,国际上多个科研团队展开了对THz QCL的密集研究,器件性能取得了显著的进展。针对THz QCL的实际应用,目前急切需要解决两个方面的问题:第一方面,受限于严重的大气衰减、光束合成等困难,急需解决THz QCL功率输出提升的问题。第二方面,研制窄线宽、高功率单模输出的太赫兹本振源。 相似文献
105.
In this study, three-dimensional quantitative structure-activity relationship(3D-QSAR) was studied for the antiplasmodial activity of a series of novel indoleamide derivatives by comparative molecular field analysis(CoMFA) and comparative molecular similarity indices analysis(Co MSIA). 3D-QSAR model was established by a training set of 20 compounds and was externally validated by a test set of 4 compounds. The best prediction(Q~2 = 0.593 and 0.527, R~2 = 0.990 and 0.953, r_(pred)~2 = 0.967 and 0.962 for CoMFA and CoMSIA) was obtained according to CoMFA and CoMSIA. Those parameters indicated the model was reliable and predictable. We designed several molecules with high activities according to the contour maps produced by the CoMFA and CoMSIA models. 相似文献
106.
107.
ONTHEEXISTENCEANDSTABILITYOFSOLUTIONFORSEMI-HOMOGENEOUSBOUNDARYVALUEPROBLEMDongQinxi(董勤喜);HuangXiankai(黄先开)(ReceivedJuly.4.19... 相似文献
108.
PULSED LASER DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF FERHOELECTHIC Pb(Zr,Ti)O3 THIN FILMS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES 下载免费PDF全文
Ferroelectric Pb(Zr, Ti)O3 thin films were prepared by pulsed exeimer laser deposition on silicon-on-insulator and Pt-coated silicon-on-insulator substrates, and rapid thermal annealing was per-formed to crystallize the films, Based on the analysis by X-ray diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy and measurements of electrical properties, the films were revealed to be polycrystalline perovskite structure with mainly (100) and (110) orientations, and their crystallization was found to be dependent on annealing temperature and annealing time. The films show good ferroelectricity, with Pr=15μC/cm2, Ec= 50kV/cm, high resistivity and high dielectric constant. 相似文献
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110.