N,N'-双(膦酰基苯基次甲基)-2-咪唑啉酮及2,3-哌嗪二酮的合成

许多天然存在和人工合成的氨基磷酸因具有抗菌、除草、植物生长调节等多方面的生物活性，从而使这一领域的研究十分活跃［’］。而２一咪哩琳酮和２，３一派嗓Ｍ酮也是具有除草、杀菌等多种生物活性的化合物Ｉ’］，因此我们设计将ａ一氨基磷酸引入到２一眯吃财酮及２，３服喀二酮的结构中，设计并合成了Ｉｌｌ、Ｗ两类新化合物，以期找到高生物活性的化合物。１实验部分ＢｒｕｋｅｒＡＣ．Ｐ２００型核磁共振仪，ＴＭＳ为内标，溶剂ＣＤＣ１３；ＶＧＺＡＢ－ＨＳ型质谱仪；Ｙａｎａｃｏ．ＣＨＮＣＯＲＤＥＲＭＴ－３型元素自动分析仪；硅胶…     

基于空间交会的GPS/INS组合导航系统仿真

由于实验务件限制,GPS/INS组合导航系统很难在真实空间交会对接环境中进行GPS/INS组合导航系统性能测试研究。为此,简要设计和实现了基于空间交会的GPS/INS组合导航软件仿真平台,研究了基于空间交会两航天器绝对和相对运动轨迹生成、GPS/INS组合导航系统误差建模、观测数据生成等实现方法,并通过仿真数据分析验证了这种设计方案的可行性,为进一步开展相关研究奠定了基础。     

“面包片落地时几乎总是黄油面朝下”的力学原理究竟是什么

近读《现代物理知识》2 0 0 2年第 5期中“力学原理与墨菲法则”一文 (以下简称“原理”) ,颇感其中疑点甚多。苦思良久之后 ,作此文以抒己见。“原理”一文在阐述“面包片被碰出桌边掉下去时 ,几乎总是涂了黄油的一面着地”的力学原理时 ,把涂了黄油的面包片的下落过程简化为一薄片在真空中的自由下落过程。根据这个简化模型 ,“原理”一文作者列出方程 ,并对一个特例 (面包片长 0 .1米 ,具有竖边的桌子高 0 .8米且初角速度为 0 )作了数值计算 ,结果似乎表明 ,任意薄片自水平状态从高为 0 .8米且带有竖边的桌子边滑下而落地时 ,总会翻转 ,…     

磁脉冲压缩器用脉冲变压器的设计

本文简要说明了磁脉冲压缩器的工作原理。着重介绍了其输入、输出脉冲变压器的等效回路设计法。并将该方法用于实例进行验证。结果说明,这种设计方法是非常成功的,而且可以推广到一般情况下的脉冲变压器的设计。     

大功率二极管在脉冲成形网络（PFN）中的应用

本文较为系统地对二极管在ＰＦＮ中的典型接法进行了理论分析和实验研究，为二极管作Ｃｒｏｗｂａｒ开关和串联反向电流抑制器件应用提供了选择接法和二极管的依据。     

应变超晶格系统的共振行为及其动力学稳定性

在经典力学框架内和Seeger方程基础上,讨论了应变超晶格界面附近的位错动力学行为,指出了系统的非线性共振将导致位错的运动与堆积,并可能造成超晶格的分层或断裂.首先,引入阻尼项,在小振幅近似下,把描述一般位错运动的Seeger方程化为了超晶格系统的广义Duffing方程.利用多尺度法分析了系统的主共振、超共振和子共振,并找到了系统出现这三类共振的临界条件.结果表明,系统的临界条件与它的物理参数有关,只需适当调节这些参数就可以原则上避免共振的出现,保证了超晶格材料的完整性和性能的稳定性. 关键词： 位错动力学 应变超晶格 共振 分岔     

非相对论粒子高次谐波辐射作为短波长激光的可能性

在经典力学框架内,把粒子在周期外场中的运动方程化为摆方程,利用广义三角函数的Bessel展开讨论了系统存在高次谐波辐射的可能性,并在固定力矩情况下讨论了系统的基本特征。用Jacob ian椭圆函数和第一类椭圆积分解析地给出了无扰动系统的解和振动周期,并用数值方法分析了系统的相平面特征和它的稳定性。结果表明:当外力矩为零时,系统的接受度最大,俘获的电子数最多,辐射强度最强;随着外力矩增加,接受度降低;当无量纲的外力矩为1时,接受度为零,系统处于临界状态。临界状态与系统参数有关,只需适当调节参数,可望输出强度比较大的高次谐波辐射。     

铁电-铁磁多铁性脉冲形成线特性

对"多铁性"脉冲形成线输出特性进行了研究。利用镍锌铁氧体-钛酸钡陶瓷复合多铁性材料制作了脉冲形成线。在不同的磁回路条件下得到了不同脉冲宽度的电脉冲方波,其中以高磁导率材料组合成的闭合磁回路得到了脉冲宽度约201 ns的方波输出。推算出脉冲形成线的相对介电常数接近2 000,相对磁导率大于1.4。基于有效磁导率的概念,分析了多铁性脉冲形成线几何构型对脉冲输出特性的影响。分析表明:平板状"多铁性脉冲形成线"的有效磁导率不仅取决于平板介质的磁导率,还取决于周围介质的磁导率,因而有效磁导率通常较小,其输出表现出明显的铁电性而只有"弱"的铁磁性;相比之下,同轴结构的"多铁性脉冲形成线"具有更高的有效磁导率,其输出可同时表现出强的铁电性和铁磁性,即更明显的"多铁性"。"多铁性脉冲形成线"有可能在紧凑型脉冲功率系统中获得应用。     

大功率GaAs光导开关寿命实验研究

设计并制作了18 mm间隙的半绝缘GaAs光导开关,开关芯片采用标准半导体工艺制作并封装在陶瓷基板上。测试了光导开关在20 kV工作电压、1 kA工作电流时,不同重复频率工作的开关寿命,结果表明,开关寿命4 000次~7 000次,且随着重复频率的提高,开关寿命有所降低。初步分析了导致开关失效的原因为热损伤,包括局部发热导致的连接损伤和材料损伤以及整体发热导致的暗态电阻下降。     

不同形状的光斑触发砷化镓光导开关

为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响,研制了12 mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关,在不同的偏置电压下,使用波长为1 064 nm的不同能量的激光触发光导开关并进行了光电导测试。使用了不同形状的光斑(包括面状、线状和点状光斑)触发光导开关并进行了光电导特性的比较,讨论了触发光参数对光导开关特性的影响。对处于开关电极间不同位置的线状光斑触发特性进行了比较,结果显示,本征光电导和非本征光电导情况下光斑位置对光电流的影响正好相反。