微惯性仪表技术的研究与发展

论述了当前国内外微惯性仪表设计和制造技术的研究与发展，强调了对相关基础理论研究的重要性，提出了计算机集成微制造单元的概念。     

Preparation and Microstructure of Tantalum Nitride Thin Film by Cathodic Arc Deposition

Tantalum nitride （TAN） thin films are achieved on Si（111） and SS317L substrates by cathodic vacuum arc technique, which is rarely reported in the literature. The crystal structure, composition and surface morphology of the films are characterized by x-ray diffraction （XRD）, x-ray photoelectron spectroscopy （XPS）, auger electron spectroscopy, and atomic force microscopy, respectively. The influence of substrate negative bias on crystal structure, composition, surface morphology of the TaN films is systematically studied. At the substrate bias of 0 V and -50 V, the amorphous TaN film is obtained. As the bias increases to -100 V, cubic TaN phase can be found. Stoichiometric TaN with hexagonal lattice preferred （300） orientation is prepared at a bias of -200 V. Combine the XRD and XPS results, the binding energy value of 23.6eV of Ta 4f（7/2） is contributed to hexagonal TaN. Compared to other techniques, TaN thin films fabricated by cathodic vacuum arc at various substrate biases show different microstructures.     

长周期光纤光栅扭曲传感器

发现用高频CO2激光写入的长周期光纤光栅的谐振波长会随光栅扭曲而线性变化。当顺时针扭曲时，谐振波长向长波方向漂移；逆时针扭曲时，谐振波长向短波方向漂移。该新型扭曲传感器不但能实现对扭曲率的直接测量，而且能判断扭曲方向，因此具有广泛的应用前景。     

H∞滤波和自适应卡尔曼滤波在消除重力异常畸变中的对比研究

为了有效地消除重力异常畸变对海洋重力仪测量精度的影响，得到更高精度的重力异常测量值，根据随机过程理论，分析了重力异常状态方程，并对H∞滤波算法和自适应卡尔曼滤波算法进行了理论对比分析，将其应用到消除重力异常畸变系统中。为了避免滤波发散，自适应卡尔曼滤波采用降阶的Sage—Husa算法。理论分析和仿真实验表明：H∞滤波算法和自适应卡尔曼滤波算法都具有较好的滤波收敛特性，并能在一定程度上有效地消除重力异常畸变对重力异常测量精度的影响，但自适应卡尔曼滤波的性能优于H∞滤波。     

一种新型的单陀螺多加速度计捷联惯导系统

在无陀螺捷联方案的基础上，提出了单陀螺多加速度计的捷联方案。中详细推导了角速度和加速度的解算方法，并以智能炮弹为背景，进行了仿真，得到了误差曲线，并指出了应注意的问题。     

差动式电感传感器最小电磁吸力矩的优化设计

本文采用复形法对某型船用挠性陀螺仪的差动式电感传感器进行了最小电磁吸力矩的优化设计，找出线圈匝数和激磁电压的最优值。研究表明，采用合适的线圈匝数和激磁电压，可使电磁吸力矩减小一个数量级以上，从而大大减小挠性陀螺仪的漂移。     

非线性Mohr－Coulomb体边坡的极限荷载

本文根据拟线性偏微分方程组的特征线理论，求得无重双曲、抛物Ｍｏｈｒ－Ｃｏｕｌｏｍｂ体边坡极限荷载的解析解．用两参数的双曲线和抛物线可以较好拟合由实验提供的破坏曲线．由其解发现屈服准则和坡角对极限荷载影响很大，理想塑性体的极限荷载也非最小．     

讲授电磁波辐射与传播的一种方法

本文从电流激发的磁场出发，通过变化的磁场激发电场描述了电磁波的发射与传播，学生易于理解，电磁波的性质也易于说明。     

半导体深能级瞬态谱中多子脉冲下的少子陷阱响应

在一个Si中掺Aup⁺n结的多子脉冲下深能级瞬态谱(DLTS)中,发现了一个少子峰信号。给出了这一现象的主要实验结果,并做了系统的物理分析。这是p⁺n结中高掺杂一侧的自由少数载流子尾在自建势所张开的空间电荷区中被少子陷阱俘获后,再发射的结果。 关键词：     

Ge(111)反射束的高次中子成分

在重水反应堆旁利用中子飞行时间方法测量了5—22meV中子能区内Ge(111)Bragg反射束中的高次中子成分,并与理论计算进行了比较,两者符合甚好。结果表明,在20meV以下,Ge(111)反射束的级次污染较严重。 关键词：