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201.
阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
胡劲波  支瑶  李启隆 《分析化学》1999,27(11):1280-1283
阿霉素在0.1mol/L HAc-NaAc(pH4.62)缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰;Ep=-0.522V(vs.SCE)。峰电流与阿霉素浓度在1.4×10^-6-1.4×10^-6mol/L和1.4×10^-6-5.6×10^-5mol/L范围内呈线性关系,。  相似文献   
202.
以顺-1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐为原料,经还原、环化、臭氧化、Wittig羰基烯化、酯化、二醇化和硫化等8步反应,合成了新型抗癌抗菌素“烯-二炔”的双环前体:6-硫杂-13-氧杂双环[9.3.0]-3,8-十四二炔。该合成路线步骤少,收率高,反应条件温和。6个新化合物4-9的结构均经元素分析、核磁共振、红外光谱和质谱确证。  相似文献   
203.
罗素蓉  张锦楠  石梅  李奇 《化学学报》2004,62(11):1014-1018,M003
合成了一种新颖的苯三甲酸 -水分子为主体晶格的四丁基铵氢键包合物 ,(C4H9) 4 N+ [1,3 ,5 C6H3 (COOH) 2 (COO-) ]·2H2 O ,并进行了X射线晶体结构分析 .晶体为单斜晶系 ,P2 1 /c空间群 ,a =1 3 62 1( 2 )nm ,b =1 3 691( 2 )nm ,c =1 60 94( 2 )nm ,β =10 9 665 ( 3 )° ,V =2 82 61( 7)nm3 ,Z =4,R1 =0 0 5 0 8,wR =0 12 17.包合物中 ,苯三甲酸阴离子之间通过 3位与 5位羧基形成的O—H…O分子间氢键键连成沿b轴无限延伸的锯齿形长链 .位于长链较大空隙处的单一氢键键连的水分子二聚体 ,同时与两酸根的羧基生成给体氢键 ,形成一条苯三甲酸阴离子 -水分子复合宽带 .位于宽带外侧的 1位羧基与相邻宽带的水分子生成的氢键 ,将这些宽带连成平行于 ( 0 0 1)面的层状氢键主体晶格 .四丁基铵阳离子层填充在相邻主体晶格的层间空隙处 ,构成“三明治”式夹层结构的包合物  相似文献   
204.
用波长为800 nm,脉宽为160 fs,强度范围为7.6×1013~1.4×1014 W•cm-2的强激光使甲烷分子解离,并用质谱仪检测产生的离子.母体离子在较低的激光强度(7.6×1013 W•cm-2)下出现;当激光强度增加到8.0×1013 W•cm-2时,开始出现;CH2+、CH+和C+离子出现的阈值分别为1.0×1014 W•cm-2、1.4×1014 W•cm-2和1.4×1014 W•cm-2.这些现象表明甲烷的解离是一个顺序过程.质谱图中没有多电荷离子,因此排除了发生库仑爆炸的可能.以线偏振激光作用于甲烷,只有H+离子有各向异性的角度分布,暗示分子中的化学键是被激光外场拉断的,且初级产物离子H+是沿着激光电场的方向飞出.提出的准双原子分子模型较好地解释了实验结果.  相似文献   
205.
有关网格的问题具有较强的开放性和探索性,能有效地考查学生的数形结合、动手操作能力,有利于培养学生的探究意识和创新精神,本文从2004年全国各地的中考试卷中采撷了数例考查功能强、富有新意的有关网格的试题进行分类解析,供2005年中考师生参考.一、利用网格考查学生的动手操作能力.例1(2004年福州市中考题)如图是一个19×16的点阵图上画出的“中国结”,点阵的每行及每列之间的距离都是1,请你画出“中国结”的对称轴,并直接写出图中阴影部分的面积.分析:(1)由于在点阵图中,因此不需要通过作一组对称点的连线段的垂直平分线即可画出“中国…  相似文献   
206.
207.
运用优化工具与优化方法对无人机在抢险救灾过程的次生灾害巡查阶段进行了系统性的研究.首先确立巡查的区域范围,采用往返式"Z"型航行路线,结合无人机的续航时间确定无人机的全部行走路线.根据每架无人机在有效时间内可航行的总路径,结合优化计算将整个巡查区域划分为多个小区域.基于改良的贪婪算法求解出各个小区域的最佳无人机探测方案,以期获得整体最优飞行路线.由于每个小区域在一定时间间隔内需要重复巡查,对每个小区域进行细致的路径规划和无人机数量安排,确保满足巡查要求.  相似文献   
208.
209.
石蜡相吸光光度法测定微量镍(Ⅱ)的研究   总被引:4,自引:3,他引:1  
以石蜡为固体萃取剂,镍-丁二酮肟显色体系为例进行实验,探索出一种新的固相吸光光度法-石蜡相吸光光度法,镍在(0 ̄60)μg/30 mL范围内符合比耳定律。方法应用于铅合金中微量镍的分析,结果良好。  相似文献   
210.
采用50pps的激光脉冲,能量是20mJ/脉冲,在硅光电子开关中研究对材料硅的破坏。计算表明,这种破坏基本在表面,它与激光脉宽、光能流量和作用方式有关,结果与实验符合很好。  相似文献   
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