单晶硅各向异性仿真刻蚀模型构建与形貌模拟

本文针对单晶硅在不同温度、浓度、表面活性剂等多种刻蚀条件下的形貌模拟问题，构建了硅原子结构模型并分析了其主要晶面刻蚀速率和对应原子结构之间的关系，提出了适应于单晶硅刻蚀模拟的表层原子刻蚀函数(Si-RPF),明确了晶面宏观刻蚀速率与原子微观移除概率之间的数值联系，构建了基于遗传算法的动力学蒙特卡罗各向异性湿法刻蚀工艺模型(Si-KMC)。该工艺模型可以基于台阶流动理论，从原子角度解释单晶硅刻蚀各向异性的成因，能够明确不同类型的原子在刻蚀过程中的作用和实现对不同刻蚀条件下单晶硅衬底三维刻蚀形貌的精确模拟。对比有无表面活性剂添加条件下的单晶硅刻蚀实验数据和模拟结果表明，Si-KMC刻蚀工艺仿真模型模拟结果可以达到90%以上仿真精度。     

钢铁材料组织超细化机理的电子理论研究

通过计算机编程建立奥氏体相中的1/2［110］刃位错，用实空间的递推方法计算碳、氮及合金元素在完整晶体及位错区引起的环境敏感镶嵌能，进而讨论碳、氮及合金元素在位错区的 偏聚及交互作用.计算结果表明：分立的轻杂质C，N易偏聚在位错区，它们在刃位错上方形 成柯氏气团；合金元素在完整的奥氏体晶体中趋于均匀分布，强、中碳化物形成元素（Ti, V, Nb, Cr）易在刃位错区偏聚，它们在位错上方形成柯氏气团，而非碳化物形成元素Ni偏 聚于位错线下方，或分布于非缺陷区；轻杂质加剧强碳化物形成元素在刃位错区的偏聚.当 温度下降使得C，N及合金元素的浓度超过其最大固溶度时，在钢的奥氏体刃位错区将有C，N化合物脱溶，这些化合物可作为奥氏体再结晶的异质晶核，细化晶粒. 关键词： 电子结构 位错 超细化     

不同退火条件对(Hg,Tl)-1223热电势率的影响

我们测量了Ｈｇ０９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热电势率与温度的关系，并着重研究了不同退火条件对其超导电性及热电势率的影响．结果表明：室温热电势率Ｓ（２９０Ｋ）与ＣｕＯ２平面的空穴浓度ｐ及超导转变温度Ｔｃ的关系，与Ｊ．Ｌ．Ｔａｌｏｎ等人对Ｙ系、Ｂｉ系及Ｔｌ系高温超导材料给出的结果一致．因此热电势率可提供高温超导材料内空穴浓度ｐ的信息．     

硫辛酸酯类衍生物的合成及生物活性

以硫辛酸为原料,对其羧基进行结构修饰,合成了23个硫辛酸衍生物.目标化合物的结构经核磁共振波谱和高分辨质谱分析确证.生物活性测试结果表明,在实验浓度下,大部分化合物表现出一定的清除丙烯醛活性,化合物3a,3b,3e,3f,3k,3m,3q,3v和3w具有良好的清除丙烯醛活性,其中化合物3a的清除活性高于对照品肌肽;大部分化合物表现出一定的清除1,1-二苯基-2-三硝基苯肼(DPPH)活性,化合物3o,3p,3v和3w具有良好的清除活性,其中化合物3w的清除活性接近于对照品喹诺二甲基丙烯酸酯(Trolox)和维生素C;大部分化合物表现出一定的2,2'-联氮双(3-乙基苯并噻唑啉-6-磺酸)二铵盐(ABTS)清除活性,化合物3b,3e,3u,3v和3w具有良好的清除活性,其中化合物3w的清除活性非常接近于对照品Trolox和维生素C;大部分化合物对铁离子-2,4,6-三(2-吡啶基)三嗪(Fe3+-TPTZ)复合物表现出一定的还原能力,化合物3b,3v和3w具有良好的还原能力,其中化合物3w的还原能力高于对照品维生素C和Trolox;大部分化合物表现出一定的清除羟基自由基活性,化合物3j和3w具有良好的清除活性,其中化合物3w的清除活性高于对照品Trolox.血浆稳定性实验结果表明,与硫辛酸相比,23种化合物均具有很好的血浆稳定性.     

破骨风中木脂素类化合物的分离鉴定及抗氧化活性

以破骨风(Jasminum lanceolarium Roxb.)为研究对象,采用硅胶柱和Sephadex LH-20凝胶柱层析等手段,从中分离获得7个木脂素类化合物:Jasminlanoside A(1)、(+)-环橄榄树脂素(2)、丁香脂素-4-O-β-D-葡萄糖苷(3)、(+)-环橄榄树脂素-6-O-β-D-葡萄糖苷(4)、(+)-环橄榄树脂素-4'-O-β-D-葡萄糖苷(5)、橄榄素4″-O-β-D-葡萄糖苷(6)和丁香脂素-4,4'-O-双-β-D-葡萄糖苷(7),其中化合物1为新化合物,化合物3~6均为首次从本属植物中分离得到.利用一维核磁共振谱(1D NMR)、二维核磁共振谱(2D NMR)和高分辨电喷雾电离质谱(HR-ESI-MS)对化合物1的结构进行了鉴定.抗氧化活性测试结果表明,化合物1,2,4和5表现出一定的抗氧化活性,化合物5的1,1-二苯基-2-三硝基苯肼(DPPH)清除活性最强,IC_(50)值为(0.148±0.005)μmol/L.     

新铌酸盐Sr5LnTi3Nb7O30的结构与介电性能

在SrO-Ln2O3-TiO2-Nb2O5(Ln=La, Y)体系中,通过固相反应法，合成了填满型钨青铜结构新铌酸盐Sr5LaTi3Nb7O30与Sr5YTi3Nb7O30.分别采用X射线衍射分析、扫描电镜进行了结构分析,并进行了介电性能测试.结果表明, Sr5LaTi3Nb7O30室温时为四方钨青铜结构顺电相,晶胞参数a=1.233 60(4) nm, c=0.388 01(2) nm;频率为1 MHz时,其陶瓷的室温相对介电常数为466,介电损耗约为5×10－3.Sr5YTi3Nb7O30为弛豫性铁电体, 10 kHz时居里温度为260 ℃;室温时为四方钨青铜结构铁电相,晶胞参数a=1.228 80(4) nm, c=0.387 05(2) nm; 1 MHz时,陶瓷体的室温相对介电常数为290.     

类钙钛矿新铌酸盐Ba3La2Ti2Nb2O15的合成、结构与介电特性

为满足现代通信技术的小型化、集成化与高可靠性的迫切要求,探索具有高介电常数、低介电损耗与低温度系数的微波介电材料引起了材料科学、化学、物理和电子学等领域科学工作者的广泛关注,并已开发出复合钙钛矿结构[Ba(Zn1/3Ta2/3)O3]和钨青铜结构[Ba6-3xLn8+2xTi18O54]等实用化的高性.     

RE(C7H5O3)2(C9H6NO)配合物抗真菌作用的热动力学研究

应用微量热法研究了配合物RE（CTH5O3）2（C9H6NO）（RE代表La，Sm和Nd）对真菌的抗菌作用。在TAM Air热导式等温微量量热仪上，分别测定了桔青霉菌和黑曲霉菌在不同浓度不同稀土配合物及空白条件下生长代谢热谱曲线，并计算得到了真菌在不同条件下的生长代谢速率常数k和传代时间G等热动力学参数。实验表明：3种稀土水杨酸8-羟基喹啉三元配合物对桔青霉菌和黑曲霉菌均有抑制作用，其抑制效果依次为：Sm（Hsal）2（hq）〉La（Hsal）2（hq）〉Nd（Hsal）2（hq）。     

类钙钛矿新铌酸盐Ba5NdTi2Nb3O18的合成、结构与介电特性

为满足现代通信技术的小型化、集成化与高可靠性的迫切要求,探索具有高介电常数、低介电损耗与低温度系数的微波介电材料引起了材料科学、化学、物理、电子等领域科学工作者的广泛关注,并已开发出复合钙钛矿结构Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3、钨青铜结     

弱酸电离常数和电离度测定方法的改进

在很多无机化学和基础化学实验讲义中,弱酸的电离度和电离常数的测定,都是使用pH计,测定几个不同浓度的弱酸溶液的pH,以酸碱滴定法测定弱酸的初始浓度,根据α=[H~+]/c_HA和K_α=cα~2/(1-α)公式求各浓度下的电离度和电离常数,操作麻烦,误差较大,且受弱酸强度的限制.有人提出通过测定弱酸及其盐构成的缓冲比为1的缓冲溶液的pH求PK_a,但配制1:1的缓冲溶液较难.有人提出作滴定曲线法求pK_a,方法较准确,但实验点太多,操作麻烦.综合以上方法,我们提出了一种不必知道弱酸及所用强碱的准确浓度,只要测定五次pH就可较准确地求出弱酸的电离常数和电离度的方法,仪器简单只需酸度计、滴定管、烧杯等,操作方便,且不受弱酸强度的限制.