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311.
<正>After tentative ring-opening cross metathesis(ROCM) of endo-bicyclo[3.2.0]hept-6-en-3-yl 4-bromobenzoate with PhCH=CH_2 initiated by(Cy_3P)_2Cl_2Ru=CHPh in CH_2Cl_2,ring-opening metathesis polymerization(ROMP) of a series of endo-bicyclo[3.2.0]hept-6-en-3-yl benzoates was achieved under the same conditions,furnishing a variety of the corresponding polymers.Then some of them were selected to hydrogenate the C=C double bonds in their backbone with p-tosylhydrazide,affording saturated and thus more flexible polymers.All of these polymers were well characterized by spectroscopic means including GPC,UV-Vis,NMR and IR,based on which the tacticity of these polymers was investigated together with nonlinear optical(electric-field-induced second-harmonic generation,EFISH)) analysis. 相似文献
312.
利用SUPERFISH软件设计了一种兼具大间隙速调管及三轴速调管优势的C波段大间隙三轴速调管,对所设计大间隙三轴速调管的束流传输及调制情况进行了2维粒子模拟研究。模拟结果表明,三轴速调管设计需要特别关注"模式泄露"问题以及谨慎选择内导体接地支撑杆的位置,以获得稳定传输的电子束。综合考虑上述两个条件,在440 kV的二极管电压下,5.0 GHz,200 MW的强注入功率可以获得11.8 kA的基频调制积分电流,束流调制深度88%,调制电流峰峰值大于40 kA,且调制电流具有良好的频率及相位稳定性。在此基础上,初步模拟得到了大于2.0 GW的平均微波功率,平均效率约33.8%。 相似文献
313.
一般来讲,解析几何问题中涉及弦长多是韦达定理两根之和与两根之积联用;若问题只与弦的中点有关,只用两根之和即可.那么是否单独使用两根之积的情形就没有呢?事实并非如此.通过下面例题,读者即可领略韦达定理两根之积在解几问题中的特殊功用.例1过点A(-3,1)向圆x2+y2=5引切线,求二切线的夹角. 相似文献
314.
采用程序升温表面反应技术研究了H2S在CeO2,TiO2和Al2O3三种载体上的吸附和反应行为.结果表明,CeO2具有最强的脱硫能力.系统研究了预处理气氛对H2S在CeO2上吸附和反应行为.发现CeO2的脱硫能力在惰性气氛、还原性气氛、氧化性气氛中依次增强.H2S首先吸附在经预处理的CeO2表面,进一步在Ar氛围下升温脱附时,一部分H2S在673K以下脱附,部分则与CeO2表面氧反应,在473K下产生硫和水,而在473~673K温度范围内,生成SO2.在673K以上,所生成的SO2进一步与晶格氧反应,转化成硫酸盐.后者在873K再次分解为SO2.因此,CeO2表面脱硫过程应控制在673K以下,可避免复杂的再生过程. 相似文献
315.
以硝酸铁、氯化铁和二茂铁等为前驱体,采用液相浸渍法制备了Fe/β催化剂,并将其用于氨选择性催化还原脱硝反应.并采用X射线衍射、透射电镜、N2吸附-脱附、H2程序升温还原以及NH3程序升温脱附等手段对催化剂进行了表征.结果表明,以二茂铁为前驱体制得的催化剂的活性明显优于其它两种前驱体.在60000h–1空速条件下,150oC时NOx转化率即可达到50%,260oC可实现完全转化.这是由于二茂铁的应用改善了铁活性物种在β分子筛上的分散度、颗粒尺寸和颗粒分布以及氧化还原性能. 相似文献
316.
317.
The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) on sapphire (0001) substrates was investigated
by using double crystal X-ray diffraction (DC-XRD). It was found that ELO GaN stripes bent towards the SiNx mask in the direction perpendicular to seeding lines. Each side of GaN (0002) peak in DC-XRD rocking curves was a broad peak
related with the crystallographic tilt. This broad peak split into two peaks (denoted as A and B), and peak B disappeared
gradually when the mask began to be removed by selective etching. Only narrow peak A remained when the SiNx mask was removed completely. A model based on these results has been developed to show that there are two factors responsible
for the crystallographic tilt: One is the non-uniformity elastic deformation caused by the interphase force between the ELO
GaN layer and the SiNx mask. The other is the plastic deformation, which is attributed to the change of the threading dislocations (TDs)—from vertical
in the window regions to the lateral in the regions over the mask. 相似文献
318.
对数正态或正态寿命型元件及系统的贮存可靠性的近似置信下限 总被引:3,自引:0,他引:3
本文给出了基于一次性检测数据的对数正态或正态寿命型元件及系统的贮存可靠性的近似置信下限的方法,并对得到的近似置信限的精度作了讨论,结果表明精度符合要求。本文还给出了数字例子。 相似文献
319.
采用元素分析法和高效液相色谱法对飘尘中的有机碳和3,4-苯并(a)芘进行研究,发现两者都存在着季节性变化规律,且有一定的线性关系,相关系数在0.89~0.99之间。 相似文献
320.
在SYNTEX四圆衍射仪上收集到2788个独立的衍射点。晶体属单斜晶系,空间群为C2h5-P21/a,a=12.006(2)?,b=8.398(2)?,c=14.261(5)?,β=93.98(2)°,Z=2。铂放在对称中心的特殊位置上,然后用差值Fourier法得到两套非氢原子坐标位置,这是由于铂参数特殊化所致。首先我们运用结构化学的键长、键角知识,选择了两个氯原子合理的坐标参数,而将其余成对的非氢原子坐标参数都输入,令其坐标参数固定,而将占有率各给0.5,并同各向同性热参数一起参与最小二乘修正,结果两套坐标的原子占有率明显分化,其中一套占有率上升接近于1,而另一套占有率下降,通过这一筛选,确定了结构的初始模型,用块矩阵最小二乘法修正,最后的R因子为0.038。结构测定表明铂采用dsp2杂化轨道成键,取四配位的正方形构型。在晶体中有机部分和[PtCl4]2-络离子是靠氮原子和氯原子之间形成氢键而联系起来的,因此此化合物是苯丙氨酸乙酯和四氯合铂离子的加合物。
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