磁绝缘传输线振荡器中辐射场的非线性行为

 导出了磁绝缘传输线振荡器(MILO)中辐射场的非线性演化方程，并讨论了在临界值点附近可能出现非线性不稳定解的条件。结论是：(1)非线性增长速率与线性增长速率的比值g<1.2，且远离g+γ=1(γ为非线性相位增长率与线性相位增长率的比值)点时，出现非稳定解的失谐量临界值很小，而线性增长速率临界值临界值很大，容易出现非稳定解；(2)当g≥1.2时，任意小的失谐量都可以使场出现非稳定解；(3)线性增长速率越大，越不容易出现非稳定解。     

固液混合装药热传导特性对其安全性影响的计算研究

固液混合装药物理参数是影响装药安全性的主要因素之一,利用混合炸药计算物理参数的方法,计算了几种典型配比装药的物理参数,根据能量守恒方程对不同物理参数的装药进行数值模拟。计算得到:在温度载荷相同的条件下,不同的物理参数对其温度响应有较大的差别,说明分析固液混合装药安全性时,应考虑装药不同比例对其安全性的影响,才能真实反应热点能量演化过程,为分析固液混合装药的安全性提供一定的理论依据。     

以问题为导向的点-面式教学法在药剂学教学中的应用——以“手性”知识的教学为例

在药剂学课程教学中,为讲解传授“手性”相关的知识和概念,设计了一种新的教学法,并进行了实践应用。通过对该教学方法的总结和提炼,将以上教学法命名为“以问题为导向的点-面式教学法”。该教学法是以“反应停”具体事例为问题引导,提出和确定问题后,引出知识点,从药学相关领域知识面展开教学活动后,进行知识点总结,最后达成最终的教学目标。该教学法对教学实践工作有一定的参考价值。     

中国散裂中子源直线射频功率源系统的研制

中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6 GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100 kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81 MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。151013     

菲涅尔透镜热变形对CPV聚光系统性能影响的数值研究

由硅胶-玻璃材料组成的SOG(silicone on glass)型菲涅尔透镜在温度变化时会产生热变形,影响CPV(concentrating photovoltaic)聚光系统的性能。为研究透镜热变形对聚光系统光效率的影响,优化设计两类聚光系统,并采用数值计算的方法模拟透镜的热变形,再将热变形导入光学模型中,使用蒙特卡罗方法计算变形前后的聚光效率。结果表明:对于单级聚光系统,采用单色光均匀性优化方法设计的透镜受翘曲变形和齿面自由变形影响较大,光效率在变形前后相差10%左右,改进型补偿色散方法设计的菲涅尔透镜受翘曲变形和齿面自由变形影响较小。另外,双级聚光系统可以有效抵抗热变形的影响。     

Electrochemical Probe of Hydroxylation of 4-Nitro-phenol by Cytochrome C with Hydrogen Peroxide

ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＰｒｏｂｅｏｆＨｙｄｒｏｘｙｌａｔｉｏｎｏｆ４┐Ｎｉｔｒｏ┐ｐｈｅｎｏｌｂｙＣｙｔｏｃｈｒｏｍｅＣｗｉｔｈＨｙｄｒｏｇｅｎＰｅｒｏｘｉｄｅ＊ＺＨＵＹｉ－ｍｉｎ,ＷＡＮＧＪｉｎ－ｃｈｅｎｇ＊＊,ＬＩＪｉｎｇ－ｈｏｎｇａｎ...     

Studies on Free Radical EPR,Superoxide Dismutase Water-soluble Lipidperoxide in Tears

ＳｔｕｄｉｅｓｏｎＦｒｅｅＲａｄｉｃａｌＥＰＲ,ＳｕｐｅｒｏｘｉｄｅＤｉｓｍｕｔａｓｅＷａｔｅｒ┐ｓｏｌｕｂｌｅＬｉｐｉｄｐｅｒｏｘｉｄｅｉｎＴｅａｒｓＹＵＡＮＹｉ＊,ＺＨＡＯＳｈｉ－ｈｏｎｇ,ＹＡＮＧＳｈｏｕ,ＣＵＩＹａ－ｎａｎａｎｄＺＨＡＮ...     

金属箔断路开关电爆性能的研究

 给出了在单纯断路开关调节电路(F型)、断路开关－变压器调节电路（FT型）和变压器－断路开关调节电路（TF型）三种类型的电爆炸断路开关的理论模型和数值模拟结果,并对其性能进行对比和分析。     

退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响

 研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点（分别 以GaAs或AlG aAs为基体）光学特性的影响。表明：量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增 强材料的热稳定性。以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺 (T= 830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。     

镀膜陶瓷真空室脉冲磁场穿透特性研究

 介绍了合肥电子储存环新凸轨注入系统中将采用的超高真空陶瓷镀钛真空室的研制状况。对穿过真空室镀膜的脉冲磁场特性进行了理论分析与计算。讨论了不同的镀膜厚度及方式对脉冲磁场均匀性的影响,用跟踪程序计算了注入过程磁场径向不均匀性对束流轨道的扰动,给出了涡流引起的磁场径向不均匀性最大允许值。