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101.
羊亚平 《数学物理学报(B辑英文版)》1999,19(3)
1991MRSubjectionClassification81R05,20C351IntroductionIiiapreviouspaper['].wit11avediscussedhowtoconstructthewavefllucti()llsofL-S(\011piing,single-lferlllionsystelll.Alldthecoefficientsoffi.actiollalparentage(CFP)withfixs(1seniorityharebeedcalclllatedbyarecurrentformula.Practically,withthe11alpoftileoperatorsofferrxlionpairsthegeneralwavefunctionsofmanyfermionswithsixlgle-lcouldbeobtainedfi.omthewavefullctionswithoutfermionpairs.Asaresult,therecurrentforlllulaofdeterrxliningCFPissimplif… 相似文献
102.
In this paper we calculate the equation of state (EOS) of QCD at zero temperature and finite chemical potential by using several models of quark propagators including the Dyson-Schwinger equations (DSEs) model,the hard-dense-loop (HDL) approximation and the quasi-particle model.The results are analyzed and compared with the known results in the literature. 相似文献
103.
Recently, Liu et al. proposed a so-called extended Anderson-Higgs mechanism by studying the (2+1)-dimensional Ginzburg-Landau model in the pseudogap region of high-Tc superconductor (Phys. Rev. B 65 (2002) 132513). We revisit this problem based on a general decomposition of the U(1) gauge potential. Using the bulk superconductor and superconduct ring as examples, we obtain a simpler expression for the extended Anderson-Higgs mechanism. In the former case we indicate that all the phase field can always be "eaten up" by the pure gauge term A||. In the latter case, we decompose the phase field as θ(x) = θ1(x) + θ2(x) and find that only the phase field θ1 connected with Anderson-Higgs mechanism can be canceled by the pure-gauge term A||. On the other hand, the remaining phase field θ2 connected with A⊥ is multi-valued, which can induce new physical effects such as A-B effect and flux quantization. It is natural to conclude that there is no longitudinal phase fluctuation effect in high-temperature superconductors since longitudinal phase θ1 is connected with pure-gauge term. 相似文献
104.
Design and preparation of multilayer optical coatings are investigated on laser crystal Nd:YVO4, YVO4, and frequency doubling crystal KTP substrate. Multilayer optical coatings are deposited on one surface of the crystals using the ion beam sputtering technique, and the other surface is coated with a single SiO2 as protective layer. For the YVO4 crystal after coating, the reflectivity at 1 064 and 532 nm are greater than 99.9% and 99.8%, respectively, and the transmissivity at 808 nm is greater than 91.5%. For the KTP crystal after coating, the reflectivity at 1064 nm is greater than 99.95%, and the transmissivity at 532 nm is greater than 99.5%. After thermal annealing, the transmissivity can be improved. The obtained coated crystals can be used in high Dower solid-state lasers. 相似文献
105.
合成了孔道平行于短轴方向的W原位掺杂的介孔SBA-15分子筛(W-s-SBA-15), 以其为载体制备了Pt/W-s-SBA-15催化剂, 考察了催化剂中Pt、W负载量变化对甘油氢解制1,3-丙二醇(1,3-PDO)性能的影响. 采用多种手段对催化剂的形貌、活性组分Pt和W的存在状态、催化剂的酸性等性质进行了系统的表征. 催化剂评价结果表明, 随着Pt、W负载量的增加, 甘油的总转化率和液相转化率(CTL)提高, 而1,3-PDO选择性呈先升高后降低的火山型变化趋势. 在Pt负载量为4.0 wt%、W/Si物质的量比为1/480的4Pt/W-s-SBA-15(1/480)催化剂上, 在433 K、H2压力4.0 MPa、反应时间24 h的条件下, 甘油氢解制1,3-PDO的得率可达49.0%. 根据表征结果, 我们发现在Pt/W-s-SBA-15催化剂上的甘油转化率与Pt活性比表面积直接相关, 而小的Pt粒径、Pt与单分散WO4之间密切的协同作用, 则有助于提高1,3-PDO的选择性. 相似文献
106.
107.
结合教师科研项目,推荐一个精细化工专业实验:疏水缔合聚合物的制备、表征及性能测定。通过该实验可以使学生掌握自由基共聚法制备聚合物的基本原理,掌握一些大型仪器的基本操作、聚合物常用的表征手段及结构分析方法,理解疏水缔合聚合物结构与性能之间深层次的理论联系。该实验项目来源于科研,服务于实践,集聚合反应、结构表征、大分子溶液理化性能测试于一体,具有综合性、前沿性、研究性等特点。本实验的开设有利于提高精细化工方向学生的专业实验水平,提升学生的综合探究素质、创新意识及动手能力。 相似文献
108.
采用浸渍-化学还原法制备了Ru/ZrO_2催化剂,并采用Pd或Pt对其进行了修饰.采用N_2物理吸附、H_2化学吸附、粉末X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射光谱(UV-DRS)、透射电子显微镜(TEM)、X射线吸收光谱(XAS)和差示扫描量热(DSC)等手段对催化剂进行了系统的表征.研究表明,Pd、Pt均与Ru在催化剂表面形成了合金,从而提高了Ru的配位数.在苯部分加氢反应中,Pd、Pt的引入使催化剂上苯的转换频率(TOF)有所降低,但能提高环己烯的初始选择性(S_0).在最优的Ru-Pd/ZrO_2-0.2和Ru-Pt/ZrO_2-0.15催化剂(Pd、Pt与Ru的摩尔比分别为0.2和0.15)上,S_0及环己烯得率接近,分别可达近77%和44%.结合催化剂的表征和加氢结果,探讨了Pd、Pt影响Ru/ZrO_2催化剂苯部分加氢活性和选择性的原因. 相似文献
109.
Towards Fabrication of Atomic Dopant Wires via Monolayer Doping Patterned by Resist-Free Lithography 下载免费PDF全文
Fabrication of atomic dopant wires at large scale is challenging.We explored the feasibility to fabricate atomic dopant wires by nano-patterning self-assembled dopant carrying molecular monolayers via a resist-free lithographic approach.The resist-free lithography is to use electron beam exposure to decompose hydrocarbon contaminants in vacuum chamber into amorphous carbon that serves as an etching mask for nanopatterning the phosphorus-bearing monolayers.Dopant wires were fabricated in silicon by patterning diethyl vinylphosphonate monolayers into lines with a width ranging from 1 μm down to 8 nm.The dopants were subsequently driven into silicon to form dopant wires by rapid thermal annealing.Electrical measurements show a linear correlation between wire width and conductance,indicating the success of the monolayer patterning process at nanoscale.The dopant wires can be potentially scaled down to atomic scale if the dopant thermal diffusion can be mitigated. 相似文献
110.
对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究.推导计算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵,并根据并矢格林函数求得此环境下二能级原子自发衰减率的表达式.对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子自发辐射进行了数值计算,分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论,并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射进行了分析.结果表明,由于手征参量的存在,手征介质界面附近的原子自发衰减率与普通介质相比被增强.陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制,且当手征参量较大时,陈绝缘体的抑制效应更加显著. 相似文献