苯并寡聚乙二氧链螺旋体的合成

以对甲氧基苯酚、对苄氧基苯酚、对苯二酚和四乙二醇二磺酸酯这些简单化合物为原料,通过磺酸酯与酚的亲核取代反应及苄基保护、钯碳氢化去保护策略制备得到了4种新颖的苯并寡聚乙二氧链螺旋体化合物.     

宽带消波长依存波导耦合器的统计优化设计

提出了一种适合于宽带消波长依存波导耦合器的统计优化设计方法。使用该方法 ,在 12 80nm～ 165 0nm带域内 ,对Si基SiO2 光波导作了包括偏振变动优化在内的 5 0 %和 2 0 %功率耦合比的消波长依存波导耦合器的设计。两个器件经三维波束传播法 (BPM)模拟运行验证 ,结果表明 ,在 370nm宽带内 ,两个直交偏振态均实现了功率耦合比为 (5 0± 2 .1) %和 (2 0± 1.4) %、偏振变动量分别小于 0 .65 %和 0 .2 0 %的良好特性     

“弦振动的研究”实验仪器的改进

指出了“弦振动的研究”实验仪器存在的问题,提出了改进方法。     

反应烧结碳化硅复合材料的磨损机理研究

采用销－盘摩擦磨损试验机考察了反应烧结碳化硅及含Ｎｉ碳化硅复合材料在不同温度下的干摩擦磨损性能。结果表明,Ｎｉ有利于改善反应烧结碳化硅复合材料的摩擦磨损性能。ＳＥＭ磨损表面和亚表面分析表明,复合材料在常温下的磨损机理为削和犁沟;６００℃下反应烧结碳化硅的磨损机理为表面裂纹形成及断裂;而含Ｎｉ碳化硅复合材料的磨损机理为亚表面裂纹扩展导致表面局部剥落。     

(HAINH)_n(n=1～6)簇的结构、红外光谱和热力学性质的研究

用自洽场理论(HF)和密度泛函理论(DET)的B3LYP方法,在6-31G~μ水平上研究了HAINH的低聚物(HAINH)_n(n=1～6)簇的几何构型、电子结构、红外光谱和化学热力学性质,并比较了(HAINH)_n和(CIAINH)_n两种低聚物对应结构中化学键强弱,分析了引起(AIN)_n骨架结构发生变化的原因.结果表明,(HAINH)_n簇的基态结构为C_8(n=1),D_(2h)(n=2),D_(3h)(n=3),T_d(n=4),C_s(n=5)和D_(3d)(n=6)对称点群.HAINH基态结构中,AI-N键是三重键.在D_(2h)(n=2)和D_(3h)(n=3)结构中,所有AI-N键均为二重键.在Td(n=4)和D_(3d)(n=6)中,AI-N键为正常单键,而在C_s(n=5)结构中含有三种AI-N键:单键、双键和混合键.振动频率计算表明,结构a～f均为基态稳定结构.热力学计算给出的稳定性顺序为:f>d>e>c>b>a.     

(HAlNH)n(n=1～6)簇的结构、红外光谱和热力学性质的研究

用自洽场理论(HF)和密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G水平上研究了HAlNH的低聚物(HAlNH)~n(n=1～6)簇的几何构型、电子结构、红外光谱和化学热力学性质,并比较了(HAlNH)~n和(ClAlNH)~n两种低聚物对应结构中化学键强弱,分析了引起(AlN)~n骨架结构发生变化的原因。结果表明,(HAlNH)~n簇的基态结构为C~s(n=1),D~2~h(n=2),D~3~h(n=3),T~d(n=4),C~s(n=5)和D~3~d(n=6)对称点群。HAlNH基态结构中,Al-N键是三重键。在D~2~h(n=2)和D~3~h(n=3)结构中,所有Al-N键均为二重键。在T~d(n=4)和D~3~d(n=6)中,Al-N键为正常单键,而在C~s(n=5)结构中含有三种Al-N键：单键、双键和混合键。振动频率计算表明,结构a～f均为基态稳定结构。热力学计算给出的稳定性顺序为：f>d>e>c>b>a。     

溶胶-凝胶法固定生物活性物质的研究进展

综述了近年来溶胶一凝胶(Sol-gel)技术在生物活性物质固定化方面的应用和进展。蛋白质、酶、抗体(抗原)、细胞及微生物均可被包埋于Sol-gel玻璃中。包埋后,这些生物活性物质仍保持其生物活性和光谱性质,有望成为实用的生物催化剂和生物传感器。     

基于数字全息和数字图像相关方法的面内位移测量

针对一套数字全息装置只能测量离面位移这一个维度位移的局限性问题,将数字全息与数字图像相关方法相结合,利用数字全息重建的强度图像,实现了面内另外两个维度位移的测量,拓宽了一套数字全息装置的测量能力.该方法对待测物体位移前后的全息图数值重建得到两幅强度图,然后对变形前后的强度图应用数字图像相关方法得到面内两个维度位移的测量...     

钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响

以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明:所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响.当钛掺杂含量为3wt;时,TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748.15 S/cm),具有最佳的光电综合性能.TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大.     

Fe:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其成分不均匀性研究

本文报道了用坩埚下降法生长Fe:LiNbO3晶体的新工艺.通过选择合适的原料配比、控制固液界面的温度梯度为20～40℃/cm及晶体生长速度0.8～1.5mm/h,生长出掺杂0.04mol;Fe2O3的无宏观缺陷LiNbO3单晶.XRD图谱和DTA曲线用来表征所得晶体,并且测定了从晶体下部到上部的紫外可见吸收光谱.结果表明:沿生长方向,晶胞参数a、c增大,熔点降低,晶体中的Fe2+浓度呈增加趋势,作者分析了造成成分不均匀分布的原因.