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61.
在广义梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了掺杂对BaHfO3的电子结构与力学性能的影响.电子结构计算表明:优化的BaHfO3晶格常数与实验值吻合较好,BaHfO3为一种间接带隙的绝缘体材料.掺杂Sr和Ti后该材料仍为间接带隙材料,Ba0.5Sr0.5HfO3的带隙增大,绝缘体特征增强,而BaHf0.5Ti0.5O3的带隙显著减小,呈现出半导体材料的特征.由态密度分析可知,掺杂后带隙的变化主要是由于导带底的移动造成的.力学性能分析表明:与BaHfO3相比,Ba0.5Sr0.5HfO3的剪切模量和杨氏模量均明显减小,材料硬度减弱;BaHf0.5Ti0.5O3的剪切模量及杨氏模量均明显增大,材料硬度增强.电子密度分布分析揭示了掺杂改变体系价电子浓度的分布情况,使BaHfO3的价健特性发生了变化,这是材料硬度改变的内在原因.可见,掺杂能够有效地调控体系的硬度,该研究结果为掺杂BaHfO3力电材料的设计与应用提供了理论依据. 相似文献
62.
本文采用两步酸化分脉冲阳极溶出伏安法(DAM-DPASV)对乐安江沉积物水提液中的铜进行形态分析,并与直接DPASV测试及生物测试(D,magna)结果进行了比较,结果表明,直接DPASV测试因水体中络合剂和表面活性剂的干扰而低估了毒性形态,而两步酸化DPASV较好地反映出了铜的毒性形态。 相似文献
63.
介绍肉制品中群勃龙、勃地酮的液相色谱-质谱联用检测方法和甲氧酪胺的气相色谱-质谱联用检测方法。样品经β-葡萄糖醛酸甙酶水解后,群勃龙、勃地酮用甲醇-乙酸铵缓冲液提取,C18和Silica固相萃取柱净化,用LC-MS-MS法分析。甲氧酪胺样品经高氯酸溶液提取,SCX固相萃取柱净化,MBTFA衍生化处理,GC-MS法分析。两种方法均采用选择离子模式进行测定,群勃龙、勃地酮、甲氧酪胺选择的子离子(m/z)分别为:253、228、197、159;269、173、135、121;205、233、246、359,外标法定量。群勃龙、勃地酮、甲氧酪胺的检出限分别为0.3、0.3、2μg/kg,方法回收率为72%~99%,线性范围为5~800μg/kg。 相似文献
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基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法计算研究了单轴应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构、光学性质以及压阻性质的影响.能带结构和光学性质的结果表明:压应变导致硅纳米线的带隙明显线性减小,且使其由直隙半导体转变为间隙半导体,而施加拉应变后硅纳米线仍为直隙半导体材料,但是带隙略有减小,且价带顶附近的能带线产生了较为复杂的变化.由于能带的应变效应导致其光学性质也相应发生了较大改变:拉应变使硅纳米线的介电峰出现宽化现象,低能区内的光吸收增强,静态折射率和反射率峰值增大,而压应变的效果则相反.结合能带结构与压阻系数计算模型得到的压阻特性结果表明:随着压应变的增加压阻系数单调减小,这主要归因于空穴浓度随压应变显著变化引起的;而拉应变作用时,压阻系数呈现波动趋势,这主要是由于空穴有效传输质量的增加程度和载流子浓度的增加程度不同而相互竞争导致的.上述计算结果表明,设计基于硅纳米线的光电和力电器件时,需考虑其应变效应. 相似文献
65.
66.
刘清 《南昌大学学报(理科版)》1986,10(3):1
本文对[1]中提出的开发循环程序的模型作了进一步扩充。提出了建立<修改程序变量的表达式>的原则。通过实例说明了这些原则对设计较复杂的程序的重要意义。 相似文献
67.
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO2和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同硅锗组分的[112]晶向的硅锗纳米线对CO,CO2和Cl2分子的吸附能的绝对值在0.001 eV至1.36 eV之间,其中Si24Ge36H32对CO2气体的吸附能最大,气敏性能最好.能带结构计算表明:吸附CO和CO2分子的[112]晶向硅锗纳米线能带的简并度明显减小,带隙变化较小;而吸附Cl2分子后的价带顶与导带底之间产生了杂质能级使其带隙减小.光学性质计算表明:Si24Ge36H32纳米线吸附CO, CO2和Cl2分子后的光学... 相似文献
68.
69.
本文讨论了一类Banach空间上的非光滑半线性发展系统的时间最优控制问题,在适当的条件下证明了相应的Pontryagin型最大值原理. 相似文献
70.
采用深度刻蚀与XPS能谱研究缓蚀膜/镀铜层/铁基体界面成分 总被引:4,自引:2,他引:2
为了探索焦磷酸盐镀铜层与铁基体结合强度差的原因,采用波谱技术,分析了纵向界面各种元素的成分变化,讨论了金属基体表面粗糙度对元素分布的影响.根据刻蚀时间可将膜层分为三部分:N,O量迅速减少的表面层,有基本固定组成的中间层和占一半厚度的出现基体元素的混合干扰层.通过对后期混合层中氧含量的分析,可得出镀铜层/铁基体界面含氧层的存在是影响电镀层与基体结合强度的主要原因的结论. 相似文献