由两类单负材料组成的光子晶体中的光脉冲传播

利用传输矩阵法和傅立叶变换,讨论了光脉冲通过一维由两类单负材料组成的光子晶体中的传播行为,当高斯窄脉冲载波频率处在带隙中时出现超光速现象,当载波频率处在带边时出现慢光速现象,而且相对于布拉格带边,零有效相位带隙左带边处有更大的群延迟.并且可以通过调节材料的厚度比来实现短脉冲在其中的不失真传播,同时也证明了在这种结构中哈特曼效应的存在.     

含有凹口的金属纳米环形共振器的本征模式分裂

提出了一种含有凹口金属纳米环形共振器结构,采用时域有限差分方法模拟了表面等离子体在这种结构中的传播特性.详细研究了凹口的长度、位置以及环的半径对透射性质的影响,发现当凹口的长度满足一定条件,并且处于某些特定位置的时候,与没有凹口的环形共振器相比,本征透射模式会发生分裂.随着环半径的增加,透射模式会向长波长方向移动,但不会对模式的分裂造成影响.     

Sagnac干涉仪中Pancharatnam-Berry位相的电光调制

本文研究了在Sagnac干涉仪中插入单轴晶体,利用单轴晶体的纵向电光效应调制PancharatnamBerry位相.由于Sagnac干涉仪的顺、逆时针环路之间光程差为零,所以有利于区分顺、逆时针环路之间的非光程差引起的Pancharatnam-Berry相.本文结果发现在施加的电压连续变化下,由于单轴晶体纵向电光效应的特点使得Pancharatnam-Berry相发生两次突变,而顺、逆时针环路的光相干叠加后的光强却连续变化.     

一维光子晶体中多缺陷耦合导致的杂质带

利用传输矩阵方法研究了包含多个周期性分布的缺陷的一维光子晶体的透射谱.以33个周期的1/4波堆存在5个缺陷的光子晶体为例作了数值计算.结果表明,在周期性光子晶体中加入多个缺陷时,将在截止带中产生多个缺陷模.这些缺陷模构成的杂质能带依赖于缺陷在晶体中的分布.当缺陷密集时,缺陷模耦合较强,杂质带中透射峰相距较远,它们对应禁带中许多分立定域的杂质能级;当缺陷稀疏时,缺陷模耦合较弱,透射峰相距较近,分立的杂质能级趋于简并,由此形成一个很窄的通带.     

具有非线性缺陷的光子晶体的局域模

采用传输矩阵的方法，严格导出一维具有克尔非线性缺陷的光子晶体的局域模频率方程。局域模频率依赖于局域光强。取负克尔系数时，随着局域光强的增加，局域模频率从下带边出现，在带隙间上升，最后消失在上带边。在给定人射光频率下，随着人射光强的变化，系统呈现出双稳态。这种光学稳态性质则由局域模频率的移动引起的。     

含色散与非线性媒质的光子晶体的简正耦合模

利用传输矩阵方法及对色散媒质采用洛伦兹振子模型，研究了一维含色散媒质的光子晶体的简正耦合模，并计算了该结构的复有效折射率。在光学双稳态中，与仅含非线性媒质的光子晶体相比，得到了低得多的阈值入射光强。     

一种新型光子晶体波导定向耦合型超微偏振光分束器

将两个二维空气孔光子晶体波导平行放置,两波导之间由三排空气孔相隔,构成一个定向耦合器.数值分析了TE(磁场平行于空气孔)和TM(电场平行于空气孔)偏振态光波在该定向耦合器中的传播行为.结果表明,减小耦合区两波导间的一排介质柱的半径,TE模的耦合长度减小,而TM模的耦合长度不变.基于此结构,设计了超微偏振光分束器,整个器件的尺寸为10.1μm,与已报道的24.2μm的结果相比,该器件具有更小的器件尺寸和更高的输出效率.     

双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射谱中的黑线研究

研究了双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射的辐射谱.双V型四能级原子同时与真空热库和双带型光子晶体热库耦合.研究发现双V型四能级原子自发辐射谱中有三种不同原因可能引起的黑线：第一种是由于量子干涉效应;第二种是由于各向同性光子晶体带边处态密度具有奇异性;第三种是真空场中的量子干涉和光子晶体禁带内态密度为零共同作用的结果.通过移动光子晶体的带边位置,在各向同性光子晶体带边引入光滑因子,以及在光子晶体中引入缺陷等对这三种黑线的影响,对上述结果进行了分析和讨论. 关键词： 双带型光子晶体 双V型四能级原子 黑线     

声光子晶体微腔的光声传感特性

声光子晶体是一种同时具有光子和声子带隙的人工微结构,因此可实现对光和声的同时操控,在腔光力学及声光功能器件领域展现了广阔的应用前景。本文基于有限元数值计算方法,研究了声光子晶体微腔的光声传感特性。研究结果表明,通过简单地引入点缺陷,声光子晶体不仅能很好地实现对光和声场的同时局域,而且能同时获得光及声信号的高灵敏度传感,光、声传感灵敏度分别达到了277nm/RIU,2.75MHz/ms-1。由于光和声两个物理量能同时并独立地实现高灵敏度传感,因此该种传感器能应用于更为复杂的生化传感。     

含负折射率材料的Thue-Morse序列结构的光学透射谱

讨论了由正折射率材料和具有色散的负折射率材料构成的Thue-Morse序列结构的透射谱,用传输矩阵元的递推关系式计算透射率.数值计算结果表明,这种系统存在一个n=0带隙,它与Bragg带隙相比,对入射角变化和电场偏振方向的变化更不敏感.此外,带隙的位置不随序列阶数的不同而变化.同时,对TM序列结构完全透射态的场分布进行了研究,发现光强的分布具有与晶格结构相似的分布.