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新型高比能蓄电池镍氢和锂离子电池是移动电话和笔记本电脑的主导电源,电极材料是电池性能的决定因素和关键技术,其中镍氢电池负极材料为AB5型混合稀土贮氢合金.储氢合金中的杂质气体会降低材料的吸氢活性及性能的稳定性等.因此,为了适应我国迅速发展的稀土工业及市场的要求,对混合稀土储氢合金实行质量监控是十分必要的. 相似文献
132.
133.
134.
1.5 μm光通信波段非经典光场在光纤中有着极低的传输损耗, 因而是基于光纤的实用化连续变量量子信息研究的重要资源. 本文利用周期极化磷酸氧钛晶体构成的半整块结构简并光学参量放大器, 实验获得了连续变量1.5 μm光通信波段的明亮压缩态光场. 光学参量放大器的阈值功率为230 mW. 当780 nm抽运光场功率为110 mW, 1.5 μm注入信号光场功率为3 mW时, 连续变量1.5 μm明亮正交位相压缩态光场的压缩度达4.7 dB. 进而利用时域零拍探测系统测量压缩态, 采用量子层析技术重构了该明亮正交位相压缩态光场的Wigner准概率分布函数. 相似文献
135.
以苯肼和硫单质为原料,在无催化剂和空气气氛下,发展了一种二硫醚无臭、高效合成的新方法.该方法可以兼容—F,—Cl,—Br,—NO2,—CF3及—Me O等多种官能团,可以拓展到萘环、吡啶环等其它类型芳基二硫醚的合成.与现有方法相比,该方法不需要使用过渡金属催化剂,无需化学计量的化学氧化剂和恶臭复杂的硫试剂,具有较好的实用价值. 相似文献
136.
设计并研制了一台激光二极管端面泵浦的全固态连续单频可调谐1 542nm激光器。通过设计谐振腔的镀膜参数调控Er,Yb:YAB激光器的增益谱,实现了1 542nm波段的激光振荡。在此基础上,通过优化激光晶体的厚度和谐振腔的输出耦合镜透射率等参数,并利用扭摆模腔选择单纵模技术,获得了最大输出功率为420mW的连续单频1 541.9nm激光运转。输出激光在3小时内的功率稳定性优于±3%,激光强度噪声在分析频率3 MHz处即达到散粒噪声极限。通过内腔电光晶体和电光标准具调控谐振腔的腔长,实现了激光器在1 541.959nm~1 542.014nm的波长范围内的准连续波长调谐。 相似文献
137.
利用时域有限差分方法,理论研究了由中间短棒和两侧长棒构成的对称金纳米棒三聚体结构的光学性质,分析了结构参数和介电环境对其Fano共振特性的影响.结果表明:随着中间短棒长度、三棒整体尺寸或短棒两侧介质折射率的减小,Fano共振谷蓝移;棒间距的增大同样导致Fano共振谷蓝移,但边棒长度的变化对Fano共振谷位的影响较小;同时,随着纳米结构参数或介电环境的变化,Fano共振谷两侧共振峰强度发生改变,共振对比度先增大后减小.通过比较纳米结构截面的电磁场和电流密度矢量分布发现,共振谷两侧光谱强度的变化源于结构参数或介电环境引起的等离激元共振模式的改变.研究结果对基于Fano共振可控的纳米结构设计有一定的参考意义. 相似文献
138.
Precisely tuning Ge substitution for efficient solution-processed Cu_2ZnSn(S,Se)_4 solar cells 下载免费PDF全文
The kesterite Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe) solar cells have yielded a prospective conversion efficiency among all thinfilm photovoltaic technology. However, its further development is still hindered by the lower open-circuit voltage(Voc), and the non-ideal bandgap of the absorber is an important factor affecting this issue. The substitution of Sn with Ge provides a unique ability to engineer the bandgap of the absorber film. Herein, a simple precursor solution approach was successfully developed to fabricate Cu_2Zn(SnyGe_(1-y))(SxSe_(1-x))_4(CZTGSSe) solar cells. By precisely adjusting the Ge content in a small range, the V_(oc) and J_(sc) are enhanced simultaneously. Benefitting from the optimized bandgap and the maintained spike structure and light absorption, the 10% Ge/(Ge+Sn) content device with a bandgap of approximately 1.1 eV yields the highest efficiency of 9.36%. This further indicates that a precisely controlled Ge content could further improve the cell performance for efficient CZTGSSe solar cells. 相似文献
139.
140.
Au5Si2/Si Heterojunction Nanowires Formed by Combining SiO Evaporation with Vapour--Liquid--Solid Mechanism 下载免费PDF全文
Crystalline AusSi2/Si heterojunetion nanowires (AusSi2/SiNWs) are obtained by thermal evaporating SiO pow- ders on thick gold-coated silicon substrates in a low vacuum system. Structure analysis of the produced AusSh/Si heterojunetions is performed by employing a transmission electron microscope (TEM) and a selected area electric diffraetometer. The chemical compositions axe studied by a energy-dispersive x-ray spectroscope attached to the TEM. A two-step growth model is proposed to describe the formation of the AusSi2/SiNWs. During the first step, crystalline SiNWs are formed via a growth mechanism combining the oxide-assisted growth process with the vapour-liquid-solid model at relatively high temperature. In the second step, the temperature decreases and one segment of the preformed SiNWs reacts with the remnant Au to form single crystalline AusSi2 nanowires by a solid-liquid-solid process. The present work should be useful for the future synthesis and research of high-quality gold silicide nanowires and microelectronic devices based on the nanowires. 相似文献