首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   842篇
  免费   258篇
  国内免费   247篇
化学   429篇
晶体学   17篇
力学   111篇
综合类   22篇
数学   242篇
物理学   526篇
  2024年   8篇
  2023年   28篇
  2022年   27篇
  2021年   24篇
  2020年   16篇
  2019年   41篇
  2018年   52篇
  2017年   32篇
  2016年   43篇
  2015年   28篇
  2014年   61篇
  2013年   58篇
  2012年   56篇
  2011年   53篇
  2010年   59篇
  2009年   61篇
  2008年   68篇
  2007年   58篇
  2006年   48篇
  2005年   43篇
  2004年   43篇
  2003年   47篇
  2002年   23篇
  2001年   35篇
  2000年   35篇
  1999年   40篇
  1998年   26篇
  1997年   35篇
  1996年   23篇
  1995年   21篇
  1994年   24篇
  1993年   14篇
  1992年   13篇
  1991年   11篇
  1990年   7篇
  1989年   9篇
  1988年   9篇
  1987年   6篇
  1986年   9篇
  1985年   5篇
  1984年   12篇
  1983年   6篇
  1982年   7篇
  1981年   5篇
  1980年   5篇
  1966年   3篇
  1964年   2篇
  1963年   2篇
  1958年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有1347条查询结果,搜索用时 15 毫秒
921.
The periodically forced spatially extended Brusselator is investigated in the chaotic regime. We explore resonant or non-resonant patterns generated under various forcing frequencies and forcing amplitudes. Resonant spatially uniform oscillation and irregular structures are found. Furthermore two types of regular spatial patterns are generated under appropriate parameters. Our results of numerical simulations demonstrate that periodic force can give rise to resonant patterns in forced systems of spatiotemporal chaos similar to the situation of forced systems of regular oscillations.  相似文献   
922.
The absorption and emission spectra of the YVO4 single crystal co-doped with 1 at.% Nd^3+ and 1 at.% Yb^3+ are investigated. The efficient Nd^3+ → Yb^3+ energy transfer and the back transfer (Yb^3+ → Nd^3+) are observed at room temperature. The fluorescence lifetime of the 4F3/2 level of Nd^3+ in Nd,Yb:YVO4 is measured under 808 nm laser light excitation. The efficiency of Nd^3+ → Yb^3+ energy transfer in YVO4 is determined to be about 34%.  相似文献   
923.
The non-local transport phenomenon induced by supersonic molecular beam injection (SMBI) was first observed in the HL-2A tokomak. In comparison with the phenomena induced by other methods in various tokamaks, it has its own feature: the effect induced by SMBI in HL-2A lasts much longer than that induced by pellet injection in other similar size tokomaks. Both the bolometer radiation and He emission decrease when the non-local effect appears. This suggests that an electron transport barrier has been formed at the position just outside the q = 1 surface when the non-local effect appears.  相似文献   
924.
用中平面往复快速扫描6探针组观测HL-2A装置边缘等离子体的扰动特性。在一次放电中能测量到边缘等离子体参数的时空分布及其涨落量,雷诺胁强与极向流和带状流的关系,以及静电涨落驱动的粒子通量和热通量的径向变化。在多发弹丸注入(MPI)和多脉冲超声分子束注入(SMBI)条件下,研究了边缘参数的涨落和相关特性。实验结果表明:SMBI和MPI等注入手段改变了边缘的扰动特性;雷诺胁强的径向梯度可以驱动带状流,抑制湍流输运。  相似文献   
925.
在阻尼结构的设计过程中,常常需要根据实际情况,合理确定各项参数,以达到提高阻尼板对振动能量的损耗率、增强阻尼板刚度的目的。阻尼板中应变能与损耗因子的关系为η^(r)=ηeVE^(r)/V^(r)+ηV/Vv^(r)/V^(r)(1)式中:V^(r)是阻尼结构第r阶的总变形能;VE^(r),Vv^(r)分别是弹性材料、黏弹性材料第r阶的变形能。  相似文献   
926.
927.
熊斌  冯志刚 《数学通讯》2003,(13):44-46
(有关本栏目稿件 ,请直接寄给熊斌 (2 0 0 0 6 2 ,华东师范大学数学系E -mail:xiongbin @sh16 3.net) ,或冯志刚 (2 0 0 2 31,上海市上海中学E -mail:zhgfeng @online .sh .cn) .提供试题及解答请尽量注明出处 .)  本期给出由湖南师大附中黄军华先生提供的第 4 3届IMO美国队选拔考试试题选登 .1 在△ABC中 ,证明 :sin3A2 +sin3B2 +sin3C2 ≤cos A -B2 +cosB -C2 +cosC -A2 .2 设n是大于 2的整数 ,P1,P2 ,… ,Pn 是平面上n个不同的点 ,S表示线段P1P2 ,P2 P3 ,… ,Pn -1Pn 上所有点的集合 .是否总是可以在S中找到点A ,B使得P…  相似文献   
928.
本文从Maxwell方程出发,导出了等价于边值问题的电磁场偏微分方程和积分方程混合表述形式。引入张量权函数和张量基函数(张量形状函数),运用以加权余量法为基础的有限元法,给出了一种求解电磁波与复杂介质体相互作用问题的数值方法——混合方程有限元法。它可用来求解三维无限域中复杂介质体(不均匀,各向异性,不规则形状)的电磁散射问题。本文处理了不均勻、复杂形状的介质体、对几种典型情况进行了计算,其结果与可供比较的其它方法计算的结果做了比较。  相似文献   
929.
部分相干光通过光阑-透镜分离系统的光谱特性   总被引:6,自引:6,他引:0  
冯建武  赵志国 《光子学报》2002,31(11):1363-1367
通过部分相干光的传输理论,研究了部分相干光通过光阑-透镜分离系统的光谱位移和光谱开关.理论分析和数值计算结果表明,部分相干光的光谱相移和光谱开关主要决定于光束的相干性、光阑的菲涅耳数以及光阑和透镜之间的距离.所取系统参量不同,光谱开关的数量和位置会随之发生变化.  相似文献   
930.
对除H~+以外阳离子可逆的玻璃电极的研究,从本世纪二十年代就已经进行。Lengyel等于1934年曾确定过对某些阳离开(如Na~+,K~+等)可逆的玻璃组分(所谓Du玻璃,其分析组成是SiO_2 62M%,Al_2O_3 11M%,Na_2O 24M%,CaO 3M%);另外,许多电化学家也曾经应用某些薄膜用电位法测定常见阳离子的活度,如Marshall等曾利用沸石(zeolite)一类薄膜估  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号