SiOx∶H(0＜x＜2)薄膜光致发光的退火行为研究

采用退火后处理的方法，使SiO_x∶H(0＜x＜2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850n 关键词：     

Electronic structure and defect states of transition films from amorphous to microcrystalline silicon studied by surface photovoltage spectroscopy

In this paper, surface photovoltage spectroscopy (SPS) is used to determine the electronic structure of the hydrogenated transition Si films. All samples are prepared by using helicon wave plasma-enhanced chemical vapour deposition technique, the films exhibit a transition from the amorphous phase to the microcrystalline phase with increasing temperature. The film deposited at lower substrate temperature has the amorphous-like electronic structure with two types of dominant defect states corresponding to the occupied Si dangling bond states (D⁰/D^- and the empty Si dangling states (D⁺). At higher substrate temperature, the crystallinity of the deposited films increases, while their band gap energy decreases. Meanwhile, two types of additional defect states is incorporate into the films as compared with the amorphous counterpart, which is attributed to the interface defect states between the microcrystalline Si grains and the amorphous matrix. The relative SPS intensity of these two kinds of defect states in samples deposited above 300\du increases first and decreases afterwards, which may be interpreted as a result of the competition between hydrogen release and crystalline grain size increment with increasing substrate temperature.     

一次性聚苯乙烯发泡塑料餐具解禁事件及其对化学教学的启示

“一次性聚苯乙烯发泡塑料餐具”在禁用14年之后,近期被国家发展和改革委员会“解禁”,并引起社会的广泛关注和争论。“一次性发泡塑料餐具”问题也是化学教学中经常涉及的“热点”问题之一,因此“解禁”事件也必然会影响到化学教学。结合“一次性发泡塑料餐具”生产的化学工艺流程,分析了其“解禁”原因,探讨了“解禁”事件对化学教学的几点启示。     

移动加热器法生长CZT晶体的成分及缺陷均匀性研究

采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体.采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析.结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长的晶体.     

氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究

采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a-SiO_x∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a-Si原子团和Si纳米晶粒有关.     

V型咪唑配体构筑的二维穿插层状锌(Ⅱ)配合物的晶体结构及荧光性能

本文以4,4'-二咪唑基二苯醚(BIDPE)和庚二酸(H₂pim)为配体,溶剂热合成了一个互锁的二维配位聚合物{[Zn(BIDPE)(pim)]·(H₂O)}_n(1)。对其进行了红外、热重、粉晶衍射、单晶衍射等表征,配合物属于单斜晶系,空间群P2₁/c。相邻的Zn(Ⅱ)离子通过连接BIDPE和pim^2-形成手性二维波浪形面,两个相邻的面相互互锁仍然形成2D_chiral的结构。相邻互锁的2D_chiral结构的螺旋方向相反,通过ABAB堆积最终形成了2D_achiral超分子框架。此外,本文也研究了配合物的荧光性能。     

Al-Ti-B细化工业纯铝凝固组织演变过程数值模拟

采用耦合群体动力学方法与元胞自动机方法建立了细化处理条件下铝合金凝固微观组织演变的数值模型.该模型考虑了a-Al的非均匀形核过程、晶粒的初始球形长大以及之后的枝晶生长过程.利用建立的模型模拟了Al-5Ti-1B中间合金细化工业纯铝凝固组织演变过程.结果表明:形核初始阶段,熔体中存在充足数量的有效形核粒子, a-Al形核率随着熔体过冷度的增大逐渐增高;形核开始不久后, a-Al的异质形核过程由熔体中有效形核粒子数量控制,直到再辉发生,形核停止.模拟分析了中间合金添加量以及熔体冷却速度对工业纯铝凝固组织演变过程的影响,模拟结果与实验结果相符,验证了模型的准确性.     

微量稀土La对Al-7%Si-0.6%Fe合金组织与性能的影响

在Al(铝)-Si(硅)合金中同时添加Sr(锶)和B(硼)存在“中毒”现象,无法同时细化α-Al晶粒和变质共晶Si.本文研究了在同时添加α-Al晶粒细化剂B和共晶Si变质剂Sr的条件下,微量稀土La(镧)对Al-7%Si-0.6%Fe合金组织、热导率和力学性能的影响,分析了稀土La的影响规律及其作用机理.结果表明微量稀土La的添加,一方面可以中和Sr与B的毒化效应,提升共晶Si的变质效果;另一方面可以促使α-Al异质形核基底La B6的形成,并作为表面活性剂降低α-Al的形核过冷度,从而细化α-Al晶粒.共晶Si的变质以及α-Al晶粒的细化有助于同时提升Al-7%Si-0.6%Fe合金的热导率及力学性能.此外,当稀土La的添加量在0.02%—0.06%之间时,合金的导热性能明显提升;随着La添加量的进一步增大,合金热导率下降.     

基于多体作用的原子/连续耦合方法的先验误差估计

本文研究理想晶体发生位错时如何发生形变,应用本地化拟连续方法(QCL)、基于能量的拟连续方法(QCE)、非本地化拟连续方法(QNL),分析了多体作用下Frenkel-Kontorova模型在一维情形中先验误差分析,推导了该误差估计与原子模型解的光滑性的关系,并且由于考虑的是一维原子链,该误差还具备超收敛性.本文将一致性误差分析分解为模型误差和粗粒化误差,并推导出基于负范数的误差估计,稳定性分析将均匀应变扩充为非线性应变.最后利用数值实验说明了本文的分析结果.