聚电解质──壳聚糖浓溶液流变学性质研究：浓度、温度、溶剂pH值和外加盐对粘度及流动性的影响

本工作用日本岩本ＲＰＸ－７０５多功能流变仪测定了在不同浓度、温度、溶剂ｐＨ值和外加盐浓度对壳聚糖在甲酸水溶液中其浓溶液粘度η随剪切速率γ的变化关系．讨论了浓度、温度等对溶液粘度、流动活化能Ｅ_γ和流动指数ｎ的影响．发现溶剂ｐＨ值减小或溶液中外加盐浓度增加，溶液粘度变小，ｎ增大，表明非牛顿流动性减弱，并且进一步讨论了零剪切粘度η_０和外加盐浓度Ｃ_ｓ的依赖关系．     

对DSC单峰纯度测定法的评述

指出了当前流行的差示扫描量热法DSC单峰法测样品纯度所基于的假定有一些不确切的地方,并用计算机动态摸拟了DSC实验过程,结果证实了本文的论断。     

一种结构新颖的肟醚类化合物的合成及其生物活性研究

以苯并五元环为基本结构对肟醚类strobilurin杀菌剂侧链进行修饰, 共设计合成了13个结构新颖的肟醚类化合物. 室内生物活性测试结果表明所合成的化合物对小麦白粉病(Eryiphe graminis)和黄瓜霜霉病(Pseudoperonospora cubensis)均具有优异的抑菌活性, 而所合成的部分茚取代肟醚类化合物还具有广谱的杀虫活性. 同时, 用钯催化“一锅法”反应以较高的收率合成了关键中间体2-乙酰基茚衍生物.     

Brφnsted酸性离子液体催化合成阿司匹林

用Brφnsted酸性离子液体[Hmim]BF4、[bmim]HSO4和[bmim]H2PO4代替浓H2SO4为催化剂催化乙酸酐对水杨酸的乙酰化,合成阿司匹林。考察了反应温度、反应时间、催化剂用量、酐/醇摩尔比对水杨酸酰化反应产率的影响和离子液体的重复使用性能。选择了最佳反应条件,以[bmim]H2PO4作为催化剂,催化剂用量为0.28g(1.18×10-3mol),水杨酸2.762g(0.02mol),乙酸酐4.083g(0.04mol),n(酐)∶n(醇)=2∶1,反应时间30min,反应温度70℃,产率最高达63.43%,并且[bmim]H2PO4溶于水后通过过滤和旋蒸脱水,重复使用3次,产率无明显变化。     

A New Saponin Transformed from Ginsenoside Rh1 by Bacillus subtilis

A novel saponin was isolated from the transformed products of ginsenoside Rh1 by Bacillus subtilis. It‘s structure was determined to be 3-O-β-D-glucopyranosyl-6-O-β-D-glucopyranosyl-20 (S)-protopanaxatriol on the basis of the spectral data.     

光交联聚乙烯材料的光稳定性研究

本文中用紫外光敏化的方法对低密度聚乙烯进行了交联,并利用ESCA和ATR-IR等手段研究了交联后材抖的光稳定性及其改进办法。     

阳极溶出伏安法测定塑料制品中的铜和铅

铅等重金属的化合物常用作塑料的稳定剂。由于铅等重金属对人体有害,因此研究塑料制品中铅、铜含量对人体健康的影响是环境卫生学急待解决的问题。本文介绍的方法中,0.5M HCl既作为干法灰化塑料残渣的溶解液,同时又是测定铜、     

Mg0.9-xTi0.1PdxNi(x=O.04～0.1)贮氢合金电极腐蚀行为研究

研究了Pd部分替代Mg对Mg0.9-xTi0.1PdxNi(x=0.04～0.1)贮氢合金腐蚀性能的影响.利用机械合金化方法制备了Mg0.9-xTi0.1PdxNi(x=0.04～0.1)贮氢合金.XRD和TEM分析表明经120 h球磨后该合金完全非晶化.循环充放电测试结果表明,Pd的替代有效地延长了Mg0.9-xTi0.1PdxNi(x=0.04～0.1)合金的循环寿命.采用开路电位测量,阳极极化,电化学阻抗和X射线光电子能谱研究了该合金的腐蚀行为.结果表明,随着Pd含量增加,合金腐蚀电位正移,初始腐蚀电流下降,腐蚀电流增加的速度变缓.采用本文提出的等效电路模型较好地拟合了合金的电化学阻抗谱.分析表明,随着Pd含量的增加,合金表面钝化膜厚度和电阻逐渐增大.X射线光电子能谱分析表明,Pd的加入减弱了合金在充放电过程中的氧化程度.当Pd含量达到0.1时,Mg0.9-xTi0.1PdxNi(x=0.04～0.1)合金的耐腐蚀性能最好,其放电容量保持率最高.     

分子印迹聚合物填充色谱柱的研究与发展

本文评述了分子印迹聚合物发展历史、制备方法、聚合体系的选择、性能表征及作用机理。主要介绍了其作为色谱固定相方面的应用,并对需解决的问题提出了建议。     

Dislocation Analysis for Large-sized Sapphire Single Crystal Grown by SAPMAC Method

In this paper,large-sized sapphire (230×210 mm,27.5 kg) was grown by SAPMAC method (sapphire growth technique with micro-pulling and shoulder-expanding at the cooled center). Dislocation peculiarity in large sapphire boule (0001) basal plane was investigated by chemical etching,scanning electron microscopy and X-ray topography method. The triangular dislocation etch pit measured is 7.6×101～8.0×102 cm-2,in which relative high-density dislocations were generated at both initial and final stages of crystal growth. The analysis of single-crystal X-ray topography shows that there are no apparent sub-grain boundaries; the dislocation lines are isolated and straight. Finally,the origins of low-density dislocation in sapphire crystal are discussed by numerical analysis method.