一类具有C^2-拼接的二元三次样条的插值分析

研究了矩形区域在Ⅱ型三角剖分下具有C2-拼接的二元三次样条插值与逼近问题.给出了一类具有C2-拼接的二元三次样条的插值条件,存在性,唯一性,逼近度估计及其凸性分析.     

磁场和稀土Ce介入下化学镀Co-Ni-B合金的晶化行为

化学镀钴-镍-硼;晶体结构;稀土重金属;磁场和稀土Ce介入下化学镀Co-Ni-B合金的晶化行为     

Anodic-Cathodic Electrocatalytic Degradation of Phenol with Oxygen Sparged in the Presence of Iron(Ⅱ)

IntroductionAs typical contaminants,phenolic pollutants,are toxic and are found in oil refinery and coke,chemical and plastic industries. Conventionaltreatment processes such as activated carbonadsorption,extraction and biological treatment cannot make the pollutants complete mineralization orwill lead to recontamination. Recently,electrochemical techniques have been extensivelyapplied to such a kind of wastewater treatment,mainly because of their amenability to automation,high efficiency and …     

单侧接触问题的拟有效集方法

单侧接触问题可以模型化为一个带不等式约束的数学规划问题。针对不等式约束问题求解的困难,提出了一个拟有效集方法。在每次迭代中,先利用上次迭代得到的解将问题转化为一个无接触问题,然后以其解作为当前迭代的初始解,且在每次迭代里可以同时更换一组接触点对,而不是象Lemke方法那样每次迭代仅更换一个接触点对。因而,该算法极大地提高了求解效率,算例表明了该算法的高效性和可靠性。     

非晶锗的低温晶化和光学特性研究

本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(331)的变化.这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品.光致发光结果表明,非晶锗在可见光区有较强的发光现象,发光峰位中心分别在648.1nm和713.0nm.发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化,但峰强对晶粒大小的依赖性很强,平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象不显著.     

对苯醌荷移分光光度法测定头孢唑啉钠含量

在pH 9.0硼砂缓冲溶液中 ,头孢唑啉钠与对苯醌发生荷移反应 ,形成稳定的 1∶2配合物 ,其最大吸收波长为 6 19.4nm ;表观摩尔吸光系数为 1.0 2× 10 4 L/ (mol·cm) ;线性范围为 0 .9～ 48μg/mL ;线性方程A =0 .0 2 0 33C +0 .0 1142 ;该法的相对标准偏差 0 .5 %～ 5 .3 % .应用该法测定注射用头孢唑啉钠含量与中国药典方法分析结果一致     

近化学计量比铌酸锂晶体中机械孪晶的消除

在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶.这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处出现应力集中,从而造成孪晶的成核.通过采用适当的收尾过程,以避免直径台阶的出现,可以很好地消除这种孪晶及其引起的裂纹.     

含氯硅烷/聚硅氧烷改性环氧树脂

含氯硅烷/聚硅氧烷改性环氧树脂;环氧树脂;α;ω-二氯聚二甲基硅氧烷;一氯三甲基硅烷;二氯二甲基硅烷;电子封装     

磁场下化学镀Co-Ni-B-Ce合金层微观形貌和耐磨性

磁场下化学镀Co-Ni-B-Ce合金层微观形貌和耐磨性;化学镀钴-镍-硼合金;铈;表面形貌;磁场     

HL-2A 装置供电系统

描述了HL- 2A 装置供电系统, 该系统主要由三套飞轮脉冲发电机组、磁场电源系统和辅助加热高压电源系统组成。电源系统总脉冲容量达到300MVA, 一次脉冲释能1200MJ。简要介绍了电源的控制系统和实验结果。