海藻酸钠/大豆蛋白共混凝胶微球的结构

利用钙离子交联海藻酸钠／大豆分离蛋白共混溶液，制得海藻酸钠／大豆分离蛋共混凝胶微球．结果表明，海藻酸钠和大豆分离蛋白质量配比的不同以及各组分间相互作用的变化，微球呈现不同的微观结构．将微球干燥后置于水中溶胀，微球的尺寸无法回复到干燥前的尺寸，这是由于真空干燥处理使水分子挥发，促进微球内组分间形成了强的氢键作用所致．此外，用碱处理该共混微球，发现由于大豆分离蛋白溶解以及部分钙离子被置换析出，微球塌陷且内部形成了大孔．     

Correlation of Plasma Sprayed Coating Deposition Efficiency with Volume Flux Measurements by Phase Doppler Anemometry (PDA)

The use of phase-Doppler anemometry (PDA) to characterize the detail in-flight plasma sprayed particle behavior has been demonstrated previously [Ma et al. Plasma Chem Plasma Process 24(1):85; 25(1):56] The present articles shows further that a direct relationship may exist between the PDA measured particle volume flux and the coating microstructure and deposition efficiency (DE). In the situation when the precise particle temperature information is not available, the PDA measured particle volume flux may provide an alternative to predict quantitatively the variation of the coating microstructure and the DE. By monitoring the in-flight particle volume flux variations, instead of the particle velocity, size and temperature individually and simultaneously, the optimal settings of the plasma spraying parameters may also be determined conveniently. However, it is noted that the effective applications of such approach depend largely on the particle surface morphology and the pre-determination of the particle size range.     

A Relaxation Scheme for Solving the Boltzmann Equation Based on the Chapman-Enskog Expansion

Abstract In [16] a visco-elastic relaxation system, called the relaxed Burnett system, was proposed by Jinand Slemrod as a moment approximation to the Boltzmann equation. The relaxed Burnett system is weaklyparabolic, has a linearly hyperbolic convection part, and is endowed with a generalized eotropy inequality. Itagrees with the solution of the Boltzmann equation up to the Burnett order via the Chapman-Enskog expansion. We develop a one-dimensional non-oscillatory numerical scheme based on the relaxed Burnett system forthe Boltzmann equation. We compare numerical results for stationary shocks based on this relaxation scheme,and those obtained by the DSMC (Direct Simulation Monte Carlo), by the Navier-Stokes equations and bythe extended thermodynamics with thirteen moments (the Grad equations). Our numerical experiments showthat the relaxed Burnett gives more accurate approximations to the shock profiles of the Boltzmann equationobtained by the DSMC, for a range of Mach numbers for hypersonic flows, th     

小分子硫原子团簇正离子的结构稳定性

用分子图形软件设计出 4 9种硫原子团簇Sn+ (n =3～ 13)的结构 ,使用B3LYP密度泛函进行几何构型优化和振动频率计算 ,根据分子的总能量得出最稳定的同分异构体 .在硫原子团簇正离子中 ,大部分原子为二配位成键 .带有一、三配位的原子结构的总能量较高 .部分最稳定硫原子团簇正离子的构型与最稳定的中性硫原子团簇的构型完全不同 .     

新超导体MgCNi3的虚晶掺杂研究

用全势线性缀加平面波方法,考虑局域自旋密度近似研究虚晶掺杂MgCNi3的超导电性和磁性.计算了自旋极化能带结构、体弹性模量和它对压力的导数、原子磁矩 m 及其变化率.计算结果表明,对于电子掺杂的Mg1-xAlxCNi3(0≤x≤0.5), 超导电性和磁涨落随掺杂量的增加逐渐减小.空穴掺杂的Mg1-xNaxCNi3,在x＝0.12处出现铁磁相变,超导电性消失.在MgCNi3少量空穴掺杂区域(0≤x<0.12),表现为超导与磁涨落共存的不稳定状态.     

一种时延范德波尔电磁系统中的复杂行为(Ⅰ)——分岔与混沌现象

建立了一种可积的无穷维系统——时延范德波尔电磁系统，采用Poincaré映射分析了系统随参数E和λ变化发生的分岔与混沌现象，发现这种时延系统具有复杂的非线性动力学特性，例如吸引子共存、间歇性混沌、类似边界碰撞分岔通向混沌以及周期增加的现象.在研究系统时间混沌行为的同时，还对空间混沌行为进行了初步分析，通过描绘空间分布图发现时延范德波尔电磁系统随参数E和λ变化时，在空间中会呈现出周期和混沌等不同的图案. 关键词： 分岔 混沌 无穷维系统 时延范德波尔电磁系统     

Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究

在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·     

LiNbO3∶Cr∶Cu晶体吸收特性及非挥发全息存储研究

研究了LiNbO3∶Cr∶Cu晶体的吸收特性,发现LiNbO3∶Cr∶Cu（含0.14 wt.% Cr2O3 和 0.011 wt.% CuO）晶体存在两个明显的吸收峰,中心波长分别位于480 nm和660 nm; 随着Cr的含量逐渐减小,Cu的含量逐渐增大,短波段不存在明显吸收峰,掺Cr的含量越大,中心波长在660 nm处的吸收越大；633 nm红光虽然位于中心波长为660 nm的吸收峰内,但它无助于光折变过程.分别采用390 nm紫外光和488 nm蓝光作为敏化光,514 nm绿光作为记录光的记录方案,实现了非挥发全息记录,掺入适量的Cr( 比如NCr=2.795×1025 m－3,NCr/ NCu=1)有助于全息记录性能的提高.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟