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481.
我们在自制的负离子速度成像装置上发展了负离子质谱技术。测量获得了电子贴附解离邻位二氯苯产物Cl^-;的0.2至8 eV效率谱,并且在两个峰位1.2和6.0 eV 测量了其切片速度影像。 相似文献
482.
以对甲(氯、溴)苯酚(1a-c)为起始原料经酰化得对甲(氯、溴)苯酚乙酯,再以BF3·2HAc为催化剂无溶剂条件下实现Fries重排,以77.3%-80.4%的收率分别得到了5-甲基(氯、溴)邻羟基苯乙酮(2a-c);应用环境友好的聚乙二醇-400为溶剂,N-氯(溴、碘)代丁二酰亚胺为卤代试剂对邻羟基苯乙酮进行卤代反应,以61.8%-92.4%的收率制备3,5-二氯(溴、碘)邻羟基苯乙酮(4a-c);以邻羟基苯乙酮为原料,硝酸铈铵(CAN)为绿色硝化试剂,分别以29.8%和63.9%的收率得到了3位和5位硝化产物1-(2-羟基-3-硝基苯基)乙酮、1-(2-羟基-5-硝基苯基)乙酮(5a-b)。以上制备过程具有反应条件温和、后处理简单、环境友好等优点,为制备取代邻羟基苯乙酮提供了简单且绿色的新方法。 相似文献
483.
Cu-Zn-Zr/SBA-15介孔催化剂的制备及CO2加氢合成甲醇的催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以具有骨架结构的SBA-15介孔分子筛为载体,采用浸渍法合成了具有高比表面积、不同金属氧化物含量的Cu-Zn-Zr介孔催化剂CZZx/SBA-15(x=0.3,0.4,0.5,0.6).采用N2吸附-脱附(BET)、X射线衍射(XRD)、H2程序升温还原(H2-TPR)、CO2吸附(CO2-TPD)和透射电子显微镜(TEM)等手段对样品进行了表征.在固定床反应器上评价了其CO2加氢合成甲醇的催化性能.实验结果表明,CZZx/SBA-15催化剂具有介孔结构,负载的Cu O,Zn O和Zr O2能够很好地分散在表面,并且负载氧化物晶粒尺寸不同.催化剂的铜比表面积SCu与甲醇催化活性呈近似线性关系,其中CZZ0.4/SBA-15催化剂表现出最大甲醇选择性(54.32%),与CZZ相比,甲醇选择性增加24.85%.随着金属氧化物负载量的增大,催化剂比表面积和SCu明显减小,甲醇选择性与收率也相应减小,负载型CZZx/SBA-15催化剂表面结构对CO2加氢合成甲醇反应活性起关键作用. 相似文献
484.
以4-乙基苯胺1为原料,经Sandmeyer反应得5-乙基靛红2;2经水合肼还原得到5-乙基-2-吲哚酮3;N,N-二甲基甲酰胺与三氯氧磷先形成Vilsmeier-Haack试剂,再与化合物3反应,合成2-氯-5-乙基-3-乙酰吲哚4;以丙酮为溶剂,对化合物4烃基化,以78.5%-95.6%的收率得到N-取代-2-氯-5-乙基-3-乙酰吲哚5a-5e。其中化合物4、5a-5e均未见文献报道,它们的结构均通过红外光谱、核磁共振氢谱(碳谱),质谱等确认。 相似文献
485.
以邻硝基苯甲醛为起始原料,经还原和氨基保护合成2-乙酰胺基苯甲醛(1)。应用环境友好的聚乙二醇-400为溶剂,以N-卤代丁二酰亚胺为卤代试剂对化合物2-乙酰胺基苯甲醛(1)进行卤代,制备了5-溴(氯)-2-乙酰胺基苯甲醛(2a,2b)。在三甲基氯硅烷(TMSCl)催化作用下,5-溴(氯)-2-乙酰胺基苯甲醛(2a,2b)与4-氯乙酰乙酸乙酯发生Friedlnder缩合反应,合成目标产物6-溴(氯)-2-氯甲基-3-喹啉甲酸乙酯(3a,3b)。其中2a,2b,3a,3b的结构经IR、1H NMR、13C NMR、MS得以确定。 相似文献
486.
487.
488.
We present a high-quality Ni/Ag/Pt Ohmic contact to p-type GaN. After the sample is annealed at 500℃ in 02 ambient for 3min, a specific contact resistance as low as 2.6 × 10^-5 Ωcm^2 and an optical reflectivity of 82% at 460 nm are obtained. The Auger electron spectroscopy analysis shows that the Pt layer can improve the surface morphology and thermal reliability of the annealed Ag-based electrode, Ag plays a key role in achieving good ohmic contact due to the outdiffusion of Ga into Ag forming Ga vacancies which increase the hole concentration, while the surface contamination of p-type GaN is reduced by Ni. 相似文献
489.
也谈椭圆外切n边形面积的最小值 总被引:1,自引:0,他引:1
文 [1]通过引理 1、引理 2虽然给出了椭圆外切n边形面积的最小值 ,但没有给出取到最小值时 ,外切n边形的几何性质及作图方法 .本文通过对圆外切n边形面积最小值的探讨 ,回答了上述问题 .引理 外切于圆的所有n边形中 ,正n边形的面积最小 ,且最小值为rntan πn(n≥ 3) .图 1 圆外切n边形证 如图 1,设n边形P1P2 …Pn 为半径为r的外切n边形 ,A1,A2 ,… ,An 为切点 ,则由圆的切线性质可知 ,n边形P1P2 …Pn 的面积为S =2S△A1OP1+ 2S△A2 OP2+… + 2S△AnOPn=r·tan∠A1OP1+r·tan∠A2 OP2 +… +r·tan∠AnOPn.因为n≥ 3,所以∠Ai… 相似文献
490.