喇曼自由电子激光器布拉格腔设计

本文介绍一种可用于喇曼自由电子激光器的布拉格腔实用化设计。如果激光器的互作用区漂移管波纹满足布拉格条件，则其分布反馈机理构成了类似于普通激光谐振腔的布拉格腔。该腔既可有效地选定中心频率，又可望提高准单模运转的喇曼自由电子激光器电子效率及其输出功率。     

一组双曲型方程组的Riemann问题

该文采用伸缩不变粘性消失法研究了双曲型方程组的Ｒｉｅｍａｎｎ问题可解性，得到了允许出现真空状态的解．最后指出了带有真空状态的Ｒｉｅｍａｎｎ初值时的该方程组的可解性．     

高功率强流密度低发射度高亮度赝火花电子束产生

由修改了的脉冲线加速器驱动的、高功率(200kV)、高电流密度、低发射度、高亮度赝火花放电电子束在15pa氮气中产生。束流强度2.2kA,脉宽400ns,束径1mm的电子束从阳极口射出,可在中性氮电离通道中传输20cm。在阳极下游5cm处,电子束相继打穿紧密粘贴在一起的酸敏纸和0.05mm厚的铜箔,分别留下0.6mm和0.3mm的穿孔。依据箍缩平衡条件算出该处的高能电子束的归一化发射度和亮度分别是23πmm mrad和8×10¹⁰A/(m²rad²)。对同一酸敏纸连续轰击10次给出1.6mm穿孔表明它具有好的重复性。观察工作60枪后的放电室发现,各种电极和绝缘子表面几乎未见任何破坏性烧蚀痕迹。实验证明,赝火花电子束的束质量比冷阴极电子束的束质量要好得多。 关键词：     

势阱结超导电流的新共振效应

本文讨论了两块超导体中间夹以具有势阱区的结所组成的系统(简称势阱结)。用Гинзбург-Ландау(简称Г-Л)方程描述超导区而用宏观薛定谔方程描述结区,导出了这种结的特有规律:证明了在小电流近似下,势阱结也有Josephson效应;更重要的是指出了调节势阱深度以使结区边界处电子对密度的微商接近于零((dρ)/(dx)～0),这时会出现一种特有的共振效应。接近共振时,电流一相位之间不再遵循Josephson的正弦关系,而且流过结的最大电流甚至可达完整(无结)超导体的临界电流值。文中着重讨论了更为实际的SONOS型(和SOSOS型)的势阱结。与Josephson结的弱耦合不同,这里虽然氧化物绝缘层(O)的存在形成了两个势垒区,但由于中间势阱区的存在,适当调节阱深[即调节中间正常金属(N)或超导体(S)上的偏置正电位]时,总可使宏观波函数ψ在势垒区中不是衰减,甚至可以上升,因此在共振点邻近,这种结可以实现强耦合。共振时的最大电流,原则上也可达无结超导体的临界电流值。同时,还讨论了这种结在实际应用上的意义。     

粲(Charm)粒子的质量谱

J/(?)粒子谱表明这些粒子由一对费米子组成.这个新的组成成分具有粲数c,它也出现于其它强子中,构成粲介子和粲重子.最近实验找到的D(1.865)、D~*(2.005)和重子(2.260),可能都是粲粒子.本文用两个模型来研究粲粒子质量谱的规律性. 方案A[SU(4)理论] SU(4)质量关系的讨论已经很多,大多假定了质量算符取～αΤ_8+βΤ_(15)形式.但由于粲自由度的破缺很大,不能看作线性,这样做结果往往和实验符合不佳.我们仍采用资料[10]的分析方法,从层子二体作用的普遍概念出发进行研究.将层子u,d记为O;s记为●;c记为△,它们的质量(包括动能)分别为n_o、λ_o和c_o,则各种二体作用可图示如下(介子中相应量用带撇文字表示):     

五磷酸钕大晶体的生长

关键词：     

第三届全国磁学讨论会在成都召开

近年来,磁学理论的研究日益受到学术界的重视.为了活跃磁学埋论研究的学术空气,交流国内外磁学理论研究的情况,推动我国磁学理论研究的发展,1985年3月15日至30日在成都四川师范学院召开了第三届全国磁学讨论会.来自全国五十多个研究所、大专院校的六十多名代表出席了会议.这次会议以专题报告为主.山东大学姜寿亭,四川师范学院赵敏光,中国科学院物理研究所李伯臧、蒲富恪、张寿恭,北京大学刘福绥,复旦大学孙鑫等七位同志分别作了题为《巡游电子磁性》、《顺磁晶体的晶场和顺磁共振理论》、《微磁学理论问题》、《磁性孤子》、《新型永磁材料…     

2002年度诺贝尔物理奖

对2002年度的诺贝尔物理奖和中微子天文学以及一些相关的有趣问题作了比较详细的介绍。介绍了太阳中微子短缺之谜以及长达三四十年的奋斗历程;SN1987A中微子的发现以及最近太阳中微子短缺之谜的解决。还介绍了X射线天文学的发现和进展。现在,X射线天文学已经发展成为可与光学天文学、射电天文学媲美的一门举足轻重的学科。     

高温超导涂层导体——RE123双轴织构技术及其发展状态

本文对高温超导涂层导体及其双轴织构外延生长技术进行了全面的论述。内容分金属基体、缓冲层、超导层三个方面,根据金属基体的不同将缓冲层分成四个类型,即辊扎双轴织构金属基带(RABiTS)上外延缓冲层、自氧化外延(SOE)NiO缓冲层、离子束辅助沉积(IBAD)缓冲层和衬底倾斜沉积(ISD)缓冲层。总结了超导层沉积工艺和人工磁通钉扎中心的最新研究成果,评述和展望了高温超导涂层导体的当前国际状态和发展前景。