乙炔和三乙氧基硅烷的硅氢加成反应研究

制备了氯铂酸-异丙醇、氯铂酸-聚甲基乙烯基硅氧烷和氯铂酸-三苯基膦三种催化剂,评价了它们在乙炔与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应中的催化活性及选择性;并考察了反应温度、乙炔流量、氯铂酸-聚甲基乙烯基硅氧烷与三乙氧基硅烷摩尔比、PPh3/H2PtCl6摩尔比等因素对产物收率的影响.结果表明,氯铂酸-聚甲基乙烯基硅氧烷对该反应表现出较高的催化活性,在催化剂与三乙氧基硅烷摩尔比为1.2×10-4∶1,T=80℃,乙炔流量=120 mL/min的条件下反应,产物乙烯基三乙氧基硅烷的选择性为100%,收率可达97.5%.     

SrTiO3纳米四方片状晶体的自组装行为及向立方晶体的转变

采用复合氢氧化物媒介法(CHM), 以SrCO₃和TiO₂为原料在200 ℃、48 h的生长条件下合成了立方相SrTiO₃纳米晶体, 它由大量的平行四方片层自组装成为长约500-800 nm、宽约100-150 nm的弯曲条状. 生长时加入少量水可以改变晶体的形状得到尺寸略大的立方SrTiO₃颗粒. 探讨了CHM法制备纳米SrTiO₃粉体的形成机理, 指出SrTiO₃纳米条的生长经过了“溶解→均相成核→片状晶体的生长→片层自组装”四个过程, 此外分析了水在CHM方法中对晶体生长产生的影响.     

痕量硅的催化极谱测定

硅的极谱测定有间接法,直接法与伏安法等。我们研究了在一定条件下使SiO_4~(2-)与MoO_4~(2-)形成β-12-硅钼酸。通过测定硅钼酸中组成钼的催化波来间接测定硅,灵敏度为7×10~(-10)M(0.02ppb)。本法应用于高纯铟中痕量硅的测定,可检测至4×10~(-6)％。实验仪器与试剂:8960型极谱仪(上海冶金所,上海分析仪器厂)。反渗透水;各种酸均为MOS级或亚沸蒸馏;钼酸铵(E.Merck,G.R);试样表面腐蚀剂为醋酸-硝酸-氢氟酸(5:15:2);极谱底液为2.5％氯酸钾-0.1M苯羟乙酸-0.5M硫酸。     

微波辐射对淀粉结构及性质的影响

简单地介绍了微波对淀粉的辐射作用,并综述了微波辐射对淀粉形态结构和结晶结构以及淀粉凝胶化性质、热性质等影响的国内外研究进展,如微波辐射可改变淀粉颗粒形状、结晶结构及其结晶度.微波辐射时间及辐射能等技术参数能够改变淀粉的凝胶化性质,而淀粉的含水量也是重要的影响因素.淀粉的溶解性、润胀性和吸水性都会因微波辐射而较原淀粉下降.     

超纯物质分析

一、引言近代科学技术发展的基本趋势,在于对许多新物质材料的应用,其中对超纯物质的质量问题亦不断提出一系列高的要求。喷气技术所需要的高温材料,对纯金属的要求比较平凡,无论在稀有金属或普通金属中,每种有害杂质含量限于1·10~(-4)％。原子能工业的发展是近代超纯物质的主要推动力,它对中子截面大的有害杂质不能超过10~(-4)—10~(-6)％。对超纯物质要求最严格的是半导体技术材料。它为了保证电子学、电工学、远距离控制、自动化及其它新技术的特殊性能,提出了杂质的含量,要求分析方法灵敏度在10~(-6)—10~(-8)％,个别为10~(-9)％。这不仅对半     

光纤玻璃中痕量钒的催化极谱测定

本文研究SiO_2-Tl_2O-PbO-Na_2O光纤玻璃中痕量钒的催化极谱测定。样品溶于HF-H_2SO_4中,铅以PbSO_4沉淀分离之后,在0.5—1M H_2SO_4介质中用氯仿萃取钒的铜铁试剂螯合物,最后在0.1M KH_2PO_4—0.04M H_2O_2 (pH4.8)支持电解质中进行钒的催化极谱测定。灵敏度为0.0004μg/ml。测定了光纤玻璃中3×10~(-6)～1×10~(-5)％w/w的钒。     

以重铬酸钠—硫酸作氧化剂合成1,3—二氯丙酮

用重铬酸钠—硫酸作氧化剂,由1,3-二氯-2-丙醇氧化合成1,3-二氯丙酮。反应产物经乙醚萃取、正已烷重结晶,得白色针状或片状结晶,1,3-二氯丙酮收率81×10(-2),纯度>90×10(-2)。     

氨基膦酸树脂吸附镨的研究

氨基膦酸树脂 (简称ＡＰＡＲ)是一类性能优良的螯合树脂 ,功能基为 ＣＨ2 ＮＨＣＨ2 Ｐ(Ｏ) (ＯＨ) 2 ,由于功能基上同时含有Ｎ和Ｏ等配位原子 ,它能与多种金属离子形成比较稳定的配合物。近年来有关含磷的螯合树脂吸附金属离子的各种研究比较活跃[1～ 4] 。本文就氨基膦酸树脂在ＨＡｃ ＮａＡｃ体系中对镨 (Ⅲ )的吸附行为进行了研究。获得了诸多基本参数 ,为氨基膦酸树脂在湿法冶金中对镨离子的富集、提取等方面的应用提供了理论依据。1　实验部分1 1　试剂及仪器72 1型分光光度计 ,ＳＨＡ Ｃ水浴恒温振荡器(± 0 .1℃ ) ,ｐＨＳ 3ｃ型…     

The Second Threshold Field of Charge-Density-Wave Conductor Rb0.3MoO3 in High Temperature Range

The switching and threshold properties of quasi-one-dimensional charge-density-wave conductor rubidium blue bronze Rb0.3MoO3 single crystals are investigated in a comparative high and large temperature range. Beyond the limit temperature 50K of Littlewood‘s theory, even up to about lOOK, typical sharp switching to negative or zero differential resistance is observed in E-I characteristic curves. Correspondingly, an obvious switching between two conducting states, from a lowly conducting state to a highly conducting state, is observed in the I-E characteristic curves in the same temperature range. Temperature dependence of the second threshold field ET2 accompanied by this kind of high field switching behaviour is firstly obtained. These new observations are discussed in the mechanism of the current inhomogeneity and redistribution due to the existence of transverse energy barriers suggested by Zhang et al. [Solid State Commun. 85 (1993) 121]