KⅡ离子3p光吸收谱的MQDT分析

利用多通道量子数亏损理论对钾的一价离子的3p光吸收光谱进行了分析,计算并预言了80多个实验上未观察到的能级以及相应能级的朗德g因子,对于实验上未区分的能级做了重新的认定,预言了自电离区的3p5ns(1/2,1/2)n=17-21的能级,讨论了通道之间的干扰情况。     

镉原子J=1偶宇称能谱的MQDT分析

在多通道量子数亏损理论(MQDT)的基础上,对镉原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算并预言了5sns12125snd21321(6≤n≤23)这两个Rydberg系列的寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5sns21211系列为τ=0.8980v2n.755;5snd12231系列为τ=0.3628v2n.829.     

铝一价离子A1 Ⅱ高激发态能级的研究

利用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ）对Ａ１Ⅱ离子的两个ＭＱＤＴ模型进行了计算，预言了３ｓｎｓ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｄ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｆ３Ｆ３（ｎ＜８０）、三个主序列的未知能级，讨论了双激发态对主序列以及主序列之间的干扰情况。     

Energy levels and radiative lifetimes of 3pns 3P0 and 3pnd 3P0 series of Si I

The energy levels and lifetimes of 3pns ^3po （n = 7 - 35） and 3pnd ^3p0 （n = 6 - 17） series of neutral silicon are calculated and predicted by means of multichannel quantum defect theory （MQDT）. In addition, the perturbation caused by core-excited state 3s3p^3 is discussed. The 3pnd ^3p0 series, especially 3p4d ^3p0, 3p5d ^3P0, and 3p6d ^3P0 are perturbed strongly by the core-excited state 3s3p3 ^3P0. These cause the lifetime of 3pnd ^3P0 （n = 5 - 7） to be less than that of 3p4d 3Po. The lifetimes of 3p14d ^3P0 （65479.14 cm^-1） and 3p16d ^3p0 （65608.77 cm^-1） are less than that of their frontal states respectively, because these states are perturbed by 3p22s ^3p0 （65476.48 cm-1） and 3p30s ^3p0 （65608.99 cm^-1） respectively.     

最弱受约束电子势模型下Fe ΧⅥ离子Rydberg态能级的研究

在最弱受约束电子势模型的理论框架下,通过对最弱受约束电子的识别,将Martin关于单价原子量子亏损公式推广到多价原子(离子)系统,从而计算了Fe ΧⅥ离子的2p6np2P°1/2,3/2(n≥3)和2p6nd2D3/2,5/2(n≥3)系列Rydberg态的能级,理论计算值与实验值符合很好,两者的相对误差不超过3.02×10-5,达到了很高的精度.