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241.
242.
从技击走向审美:中国武术套路特征分析 总被引:2,自引:0,他引:2
解题是学好数学基础知识、培养和提高思维能力的重要手段,中学生思维的片面性与表面性影响他们对数学对象理解的真度和深度,通过解题错误可见一斑.研究表明,错误是把新方法与已有知识统一起来的尝试的必然结果,因此,辨认出学生知识联系上的特殊缺陷从而进行针对性引导是研究错解教学的根本目的.有限的考试时间使学生的思维高度紧张,虽然会造成较多失误,但从认知心理学的角度考虑,这种低反应时状态更利于反映考生知识技能的掌握情况和思维倾向,笔者以江苏高三高考模拟题(理)为例加以说明. 相似文献
243.
纳米压印模板通常采用极紫外光刻、聚焦离子束光刻和电子束光刻等传统光刻技术制备,成本较高.寻找一种简单、低成本的纳米压印模板制备方法以提升纳米压印光刻技术的应用成为研究的重点与难点.本文以多孔氧化铝为母模板,采用纳米压印光刻技术对纳米多孔硅模板的制备进行了研究.在硅基表面成功制备出纳米多孔阵列结构,孔间距为350—560 nm,孔径在170—480 nm,孔深为200 nm.在激发波长为514 nm时,拉曼光谱的测试结果表明,相对于单面抛光的硅片,纳米多孔结构的硅模板拉曼光强有了约12倍左右的提升,对提升硅基光电器件的应用具有重要的意义.最后,利用多孔硅模板作为纳米压印母模板,通过热压印技术,成功制备出了聚合物纳米柱软模板. 相似文献
245.
硅表面固有的菲涅耳反射, 使得硅基半导体光电器件(如太阳能电池、红外探测器)表面有30%以上的入射光因反射而损失掉, 严重影响着器件的光电转换效率. 寻找一种方法降低硅基表面的反射率, 进而提高器件的效率成为近年来研究的重点.本文基于纳米压印光刻技术, 在2 英寸单晶硅表面制备出周期530 nm, 高240 nm的二维六角截顶抛面纳米柱阵列结构. 反射率的测试表明, 当入射光角度为8° 时, 有纳米结构的硅片相对于无纳米 结构的硅片来讲, 在400到2500 nm波长范围内的反射率有很明显的降低, 其中, 800到2000 nm波段的反射率都小于10%, 在波长1360 nm附近的反射率由31%降低为零. 结合等效介质理论和严格耦合波理论对结果进行了分析和验证.
关键词:
纳米压印
截顶抛物面阵列
抗反射
等效介质理论 相似文献
246.
流动注射-分光光度法测定痕量过氧化氢 总被引:5,自引:0,他引:5
在NaOH-Na_2CO_3介质(pH=12.0)中,Cu~(2+)对过氧化氢氧化钙试剂羧酸钠褪色的反应有催化作用,据此建立了测定痕量过氧化氢的流动注射分光光度法.该方法的线性范围为0.1~2.4μg/mL,进样频率为120次/h,应用本法测定雨水中痕量过氧化氢,获得了满意的结果. 相似文献
247.
EPR问题的双波解答 总被引:1,自引:0,他引:1
用双波描术连续力学量和分立力学量的EPR问题,所得结果具决定论特点,只要给出初始力学量值以及作为初始条件之一的隐参数数值,我们可完全预知两个分离开的两个粒子的运动,在双波描述中不存在的EPR佯谬。当对隐参数作统计平均时,双波描述回到通常的单个波函数描述,这时EPR佯谬出现,EPR倦谬是同由于我们认为单个波函数可完全描述单个体系而引起的,这些结果可直接用来分析EPR问题的量子光学实验。 相似文献
248.
用假设弱透镜焦距表达式是一个幂级数中的第一项的方法,可以导出相当准确且便于实用的电磁电子透镜物镜焦距公式。这个外推了的弱透镜近似公式能在即使相当强的激励下仍保持准确。这个方法也能用于其他一些光学参量。对于不能用此方法的光学参量,本文也导出了实用的经验公式。式中的常数是用前人发表的数据确定的。公式的准确度足够满足电子光学设计要求。 相似文献
249.
250.
在INDO/CI方法的基础上,预测B32及其包心化合物的电子结构与光谱,并与其共轭多面体C40及其包心化合物进行对比。 相似文献